ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
CHƯƠNG I: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN
1.1
Một ampe-kế dùng cơ cấu đo từ điện có điện trở cơ cấu đo R(m) =99Ω và dòng làm
lệch tối đa Imax = 0,1mA. Điện trở shunt Rs = 1Ω. Tính dòng điện tổng cộng đi qua
ampe-kế trong các trường hợp:
a) kim lệch tối đa
b) 0,5Dm; (FSD = Imax, full scale deviation)
c) 0,25Dm
Hình B.1.1
Giải:
a) kim lệch tối đa Dm:
Điện áp hai đầu cơ cấu đo:
Vm=Im.Rm=0,1mA.99Ω=99mV
IsRs = Vm => Is =
Vm 9,9mV
=
= 9,9mA
Rs
1
Dòng tổng cộng:
I = Is + I = 9,9 + 0,1 = 10mA
b) 0,5Dm:
Im = 0,5 . 1mA = 0,05mA
Vm = Im.Rm = 0,05mA.99Ω = 4,95mV
Is =
Vm 4.95mV
4.95mA
Rs
1
I = Is + Im = 4.95mA + 0,05mA=5mA
c)0,25mA:
Im = 0,25.0,1mA = 0,025mA
Vm = ImRm = 0,025mA.99Ω = 2,475mV
Io=
Vm
2,475
2,475V
Rs
1
Trang 1
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
1.2 Một cơ cấu đo từ điện có I= 100µA, điện trở nội khung quay R= 1KΩ. Tính điện trở
shunt mắc vào cơ cấu đo để trở thành một ampe-kế tương ứng với hình 1.1.
a) Dm = 100mA = tầm đo 1
b) Dm = 1A = tầm đo 2
Giải:
a) ở tầm đo 100mA
Vm= ImRm = 100.1 = 100mV
It = Is+ Im => Is = It –Im = 100mA – 100µA = 9,9mA
Vm
100mV
Rs = Is 99,9mA 1,001
b) Ở tầm đo 1A:
Vm = ImRm = 100mV
Is= It – Im = 1A- 100µA= 999,9mA
Vm
100mV
Rs= Is 999,9mA 0,10001
1.3 Một cơ cấu đo từ điện có ba điện trở shunt được mắc theo kiểu shunt ayrton sử dụng
làm ampe-kế. Ba điện trở có trị số R1=0,05Ω, R2=0,45Ω, R3=4,5Ω, Rm= 1kΩ, Imax=
50µA, có mạch đo như hình sau, tính các trị số tầm đo của ampe-kế
Hình B.1.3
Giải:
Tại độ lệch 0,5 Dm
Vs= Imax.Rm= 50µA.1kΩ = 50mV
Trang 2
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
Is=
BÀI TẬP
Vs
50
10mA
R1 R2 R3 5
It=Is+Im=50µA+10mA = 10,05mA; I=10mA.
Khóa điện ở C:
Vs= Im(Rm+R3) = 50µA.(1kΩ+4,5Ω) = 50mV
Is=
Vs
50mV
100mA
R1 R 2
0,5 4,5
Khóa điện ở D:
Vs= Im(Rm +R2 +R3) = 50µA(1kΩ + 4,5Ω +0,45Ω) =50mV
Vs
50mV
Is = R1 0,05 1A.I = 50µA+1A=1,00005A = 1A
1.4 Một cơ cấu đo từ điện Imax =100µA,điện trở dây nội (dây quấn) Rm = 1KΩ được sử
dụng làm vôn kế DC. Tính điện trở tầm đo để vônkế có Vtd= 100V. Tính điện áp V
hai đầu vôn kế khi kim có độ lệch 0,75Dm; 0,75Dm và 0,25Dm (độ lệch tối đa Dm)
Hình B.1.4
Giải:
V = IM (Rs + Rm) => Rs =
V
Rm
Im
Khi V= Vtd=100V => IM = Imax =100µA
100V
Rs = 100 A -1KΩ =999KΩ
Tại độ lệch 0,75 Dm
Im = 0,75.100µA = 75µA
V= Im(Rs+ Rm) 75µA(999kΩ +1kΩ)=75V
Trang 3
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
Tại độ lệch 0,5 Dm
Im = 50 µA
V= 50 µA(999 kΩ+1kΩ)=50V
Tại độ lệch 0,25 Dm
V= 25µA(999 kΩ+1kΩ)=25V
1.5 Một cơ cấu đo từ điện có Imax=50 µA; Rm =1700 Ω được sử dụng làm vôn kế DC có
tầm đo 10V, 50V, 100V. tính các điện trở tầm đo theo hình sau:
Hình B.1.5
Giải
Theo hình a:
Rm R1
R1
V
I max
V
I max
Rm
10V
1700 198,3k
50 A
50V
1700 998,3k
50 A
100V
R3
1700 1,9983 M
50 A
R2
Theo hình b:
R1
V1
10V
Rm
1700 198,3k
I max
50A
Rm R1 R2
V2
Im
V2
50V
R1 Rm
198,3k 1700 800k
Im ax
50A
V
V3
Rm R1 R2 R3
R3 3 R2 R1 Rm
I max
Im
R2
100V
800k 198,3k 1700 1M
50A
Trang 4
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
1.6 Một vônkế có tầm đo 5V, được mắc vào mạch, đo điện áp hai đầu điện trở R2
như hình sau:
a) Tính điện áp VR2 khi chưa mắc Vônkế.
b) Tính VR2 khi mắc vôn kế, có độ nhạy 20kΩ/V.
c) Tính VR2 khi mắc vôn kế, có độ nhạy 200kΩ/V
Hình B.1.6
Giải:
a) VR2 khi chưa mắc Vônkế.
VR 2 E
R2
50k
12V
5V
R1 R 2
70k 50k
b)Với vôn kế có độ nhạy 20kΩ/V.
Rv=5V.20kΩ/V=100kΩ
Rv//R2=100kΩ//50kΩ=33,3kΩ
E
VR2=
Rv // R2
33,3k
12V
3,87V
R1 Rv // R2
70k 33,3k
c)Với vôn kế có độ nhạy 200kΩ/V
Rv=5V.200kΩ/V=1kΩ
Rv//R2=1MΩ//50kΩ= 47,62kΩ
V R 2 12V
47,62k
=4,86V
70k 47,62k 4,86V
1.7 Một cơ cấu đo từ điện có Ifs= 100µA và điện tr73 cơ cấu đo Rm =1kΩ được
sử dụng làm vônkế AC có V tầm đo = 100V. Mạch chỉnh lưu có dạng cầu sử
dụng diode silicon như hình vẽ, diode có VF(đỉnh) =0,7V
a) tính điện trở nối tiếp Rs
Trang 5
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
b) Tính độ lệch của vônkế khi điện áp đưa vào vônkế là 75V và 50V (trị hiệu dụngRMS).
c) Tính độ nhạy của vôn kế. Tín hiệu đo là tín hiệu xoay chiều dạng sin.
Hình B.1.7
Giải:
a) Tính Rs:
Đây là mạch chỉnh lưu toàn kì nên ta có quan hệ:
IP(trị đỉnh)= Itb/0,637
Vm (trị đỉnh)=
2V
Cơ cấu đo có:
Trang 6
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
I Fs I tb 100A I p
100A
157 A
0,637
tacó :
1,414Vtd 2V F
1,414Vtd 2V F
Rs
Rm
Rs Rm
Ip
(1,414.100V ) ( 2.0,7V )
1k 890,7 k
157 A
b) KhiV 75V
I tb 0,637 I m 0,637
1,414V 2V F
(1,414 75V ) ( 2 0,7V )
0,637
Rs R m
890,7 k 1k
I tb 75 A
KhiV 50V
(1,414 50V ) ( 2 0,7V )
50 A
890,7 k 1k
157 A I ( RMS ) 0,707 IP 0,707 157A 111A
I tb 0,673
c) I m
R
100V
900,9k.
111A
Độ nhạy=
900,9k
9,009k / V
100V
1.8 Một cơ cấu đo từ điện có Ifs = 50µA; Rm = 1700Ω kết hợp với mạch chỉnh lưu bán
kì như hình sau. Diod silicon D1 có giá trị dòng điện thuận If (đỉnh) tối thiểu là
100 µA. Khi điện áp đo bằng 20% Vtầm đo , diode có VF = 0,7V, vôn kế có Vtầm đo =
50V.
a) Tính Rs và RSH
b) Tính độ nhạy của Vônkế trong hai trường hợp: có D2 và không có D2
Hình B.1.8
Giải:
a)Tính Rs và RSH
Ở đây sử dụng chỉnh lưu bán kì nên ta có:
Trang 7
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
Ip=Itb/(0,5.0,673): trị đỉnh trong trường hợp chỉnh lưu bán kì
Cơ cấu đo có Ifs = Itb = 50 µA=> Im= 50 µA/(0,5.0,673) = 157 µA(trị đỉnh)
Khi V= 20% Vtd, IF(đỉnh) có giá trị 100 µA. Vậy khi V= Vtd, IF(đỉnh) có
giá trị:
100%
100 A 500 A
20%
I m I SH I SH I F I M 500 A 157 A 343A
IF
IF
V p I m Rm 157 A 1700 266,9mV
RSH
Vm
266,9mV
778
I SH
343A
IF
1,414Vtd Vm V F
RS
Rs
1,414Vtd Vm V F
1,414 50V 266,9mV 0,7V
139,5k
IF
500 A
b)Tính độ nhạy:
Có D2 trong bán kì dương, dòng qua D1 có giá trị đỉnh: IF=500 µA
Trong bán kì âm, dòng qua vônkế có giá trị đỉnh:
1,414Vtd
1,414.50V
500 A
Rs
139,5k
I hiêudung 0,707.500 A 353,5A( RMR)c
I
50V ( RMR )
141,4k
353,5A( RMR )
141,4k
Đônhay
2,8k / V
50V
Rtông
Không có D2:
Trong bán kì dương:IF(đỉnh) = 500 µA. Trong bán kì âm: I = 0
Trong chu kì của tín hiệu:
Ihiệu dụng =0,5I F(đỉnh)
Với I là dòng điện mạch chính chạy qua Rs trong bán kì dương.
T
I
2
hiêudung
1
2T
2
( I F sin t ) 2 dt
0
I F2 ( đinh)
4
I 0,5.500 A 250A
50V
R
200k
250A
200k
Đô _ nhay :
4k / V
50V
Trang 8
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
1.9 Một ampe kế sử dụng cơ cấu đo từ điện có cầu chỉnh lưu và biến dòng như hình
vẽ. Biết rằng cơ cấu đo có Ifs = 1mA và Rm = 1700Ω. Biết dòng có Nthứ = 500; Nsơ
= 4. Diode cóVF(đỉnh) = 0,7V; Rs=20kΩ. Ampe kế lệch tối đa khi dòng sơ cấp Ip
= 250mA. Tính giá trị RL.
Hình B.1.9
Giải:
Chỉnh lưu toàn kì nên ta có:
Itb
1mA
Im(trị đỉnh) 0,637 0,673 1,57mA
Điện áp Em ở hai đầu cuộn thứ biến dòng(trị đỉnh):
Em = (Rm+Rs) + 2VF = 1,57mA(20kΩ + 1700Ω) + 1,4V= 35,5V
ð Es(trị hiệu dụng) = (0,707.35,5V) = 25,1V
Dòng làm lệch tối đa cơ cấu đo có trị hiệu dụng I:
I = 11,1Itb = 11,1.1mA=11,1mA
Ta có:
I thu I so
N so
4
250mA
2mA
N thu
500
I thu I q I L I L 2mA 11,1mA 0,89mA; (với Iq=Iqua cơ cấu đo)
Es
25,1V
RL
28,2k
E L 0,89mA
Trang 9
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
CHƯƠNG II: ĐO ĐIỆN TRỞ
2.1 Cho Eb = 1,5; R1= 15kΩ; Rm =1kΩ; R2 = 1kΩ; Imax = 50µA. Xác định trị số đọc
của Rx khi Ib = Imax; Im = ½ Imax; Im =3/4 Imax .
Giải:
Tại Im =Imax = 50µA; Vm = Imax × Rm = 50µA × 1kΩ = 50mA.
Vm 50mV
50A . Như vậy dòng điện: Ib = 100µA.
Do đó: I m
R2
1k
Vậy R x R1 #
Eb
Ib
Nếu R x R1 R2 // Rm 500 .
1,5V
# 100A 15k. Rx +15kΩ = 15kΩ; Rx = 0Ω.
Khi Im =1/2 Imax = 25µA; Vm = 25mV I2 = 25µA.
1,5V
Suy ra Ib = 50µA. Vậy Rx + R1 # 50 A ; Rx # 15kΩ.
Tương tự như cách tính trên. Im = 3/4 Imax = 37,5µA.
Ib = Im + I2 = 37,5µA + 37,5µA = 75µA.
1,5V
Rx + R1 = 75A = 20kΩ, Rx = 5kΩ.
2.2 Một ohm-kế loại nối tiếp có mạch đo (Hinh dưới đây). Nguồn Eb = 1,5V, cơ
cấu đo có Ifs = 100µA. Điện trở R1 + Rm = 15kΩ.
a)Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo khi Rx = 0.
b)Tính trị giá Rx để cho kim chỉ thi có độ lệch bằng 1/2 FSD, 1/4 FSD, 3/4 FSD
(FSD: độ lệch tối đa thang đo.)
Hình B.2.2
Trang 10
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
Giải:
a. I m
b.
Eb
1,5V
100A (FSD).
R x R1 Rm 0 15k
Độ lệch bằng 1/2 FSD:
100 A
50 A (vì cơ cấu đo tuyến tính.)
Im =
2
R x R1 Rm
Độ lệch bằng 1/4 FSD:
100 A
Im
4
Eb
E
1,5V
R x b R1 Rm
15k 15k
Im
Im
50 A
25A ; R x
1,5V
15k 45k
25A
Độ lệch bằng 3/4 FSD:
1,5V
Im = 0,75 × 100µA = 75µA; R x 75A 15k 5k.
2.3 Một ohm-kế có mạch đo như hình sau. Biết Eb =1,5V, R1 = 15kΩ; Rm = 50Ω;
R2 = 50Ω; cơ cấu đo có Ifs = 50µÂ.
Tính trị giá Rx khi kim chỉ thị có độ lệch tối đa: (FSD); 1/2 FSD và 3/4 FSD.
Hình B.2.3
Giải:
Khi kim lệch tối đa (FSD):
Im = 50µA; Vm = Im.Rm = 50µA×50Ω = 2,5mV.
Trang 11
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
I2
BÀI TẬP
Vm 2,5Vm
50 A
R2
50
Dòng điện mạch chính: Ib = I2 + Im = 50µA + 50µA = 100µA.
E
1,5V
R x R1 b
15k
I b 100 A
Rx = ( Rx + R1) – R1 = 15kΩ - 15kΩ = 0
Kim lệch 1/2 FSD:
Im = 25µA; Vm = 25µA × 50Ω = 1,25mV; I 2
Ib = 25µA + 25µA = 50µA.
Rx R1
1,25mV
25A
50
1,5V
30k ; Rx = 30kΩ - 15kΩ = 15kΩ.
50 A
Kim lệch 3/4 FSD:
Im = 0,75 × 50µA = 37,5µA; Vm = 37,5µA×50Ω = 1,875mV.
I 2
1,875mV
37,5A ; Ib = 37,5µA + 37,5µA = 75µA.
50
R x R1
1,5V
20k R x 20k 15k 5k .
75A
2.4 Một ohm-kế co mạch đo nhiu hình bai 3. có nguồn Eb giam xuống chỉ còn
1,3V. Tính trị giá mới của R2 ?.?lại các giá trị Rx tương ứng với độ lệch của
kim: 1/2 FSD, 3/4 FSD.
Giải:
Eb
1,3V
86,67 A
Rx = 0; I b
R x R1 0 15k
Im = 50µA (FSD); I2 = Ib – Im = 86,67µA – 50µA = 36,67µA.
Vm
2,5mV
68,18
Vm = ImRm = 50µA × 50Ω = 2,5mV; R2
I2
36,67 A
Khi kim lệch 1/2 FSD:
Im = 25µA; Vm = 25µA × 50Ω = 12,5mV
Trang 12
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
Vm 1,25mV
18,33A
R2
68,1
Ib=Im + I2 = 25µA + 18,3µA =43,33µA
V
1,3V
R2 R1 m
30k R x 30k 15k 15k
Ib
43,33A
Khi kim lệch 3/4 FSD:
I2
Im = 0,75 × 50µA = 37,5µA; Vm = 37,5µA × 50Ω = 1,875mV.
I2
1,875mV
27,5A;
68,18
R x R1
Ib =37,5µA + 27,5µA = 65µA.
Vm
1,3V
20k R x 20k 15k 5k
Ib
65A
2.5 Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế có
mạch dô như hình vẽ khi ta sử dung tầm đo R×1 trong hai trường hợp:
a)Rx = 0
b) Rx = 24Ω
Hình B.2.5
Giải:
Mạch tương đương của ohm- kế khi ta sử dụng tầm đo R×1 trong hai
truwowg\ngf hợp Rx = 0 và Rx = 24Ω như sau:
Rx = 0; I b
Ib
1,5V
14 10 // 9,99k 2,875k 3,82 k
1,5V
62,516mA
14 10 // 16,685k
Trang 13
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
Dòng Im chạy qua cơ cấu đo:
I m 62,516mA
10
10 16,685k
Im = 37,5µA = Ifs: Khi kim lệch tối đa.
Rx = 24Ω:
Ib
1,5V
31,254mA
24 1410 // 16,685k
I m 31,254mA
10
18,72A : kim lệch 1/2 FSD.
10 16,685k
2.6 Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế có
mạch như bài 5, khi sử dụng tầm đo R×100 va R×10k trong trường hợp Rx =
0.
Hình B.2.6
Giải:
Mạch tương đương của Ohm-kế khi ta sử dụng tầm đo R×100 và R = 0.
Ib
1,5V
1470 1k // 9k 2,875k 3,82k
1,5V
622,38A
236k 1k // 15,695k
I m 62238A
1k
37,5A I fs : kim chỉ thị lệch tối đa.
1k 6,695k
Mạch tương đương của ohm-kế khi ta sử dungj tầm đo R×10kΩ và Rx = 0.
Trang 14
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
Ib
BÀI TẬP
15V
236k 10k // 2,875k 3,82 k
15V
62,5A
236k 10k // 6,695k
I m 62,5A
10k
37,5k I fs : Kim chỉ thị lệch tối đa.
10k 6,695 k
2.7 Ta đo điện trở bằng cách dùng phương pháp V và A được mắc rẻ dài. Ampekế chỉ 0,5A,vôn kế chỉ 500V.Ampe kế có Ra = 10Ω,10kΩ/V. Tính giá trị R.
Hình B.2.7
Giải:
E + EA = 500V; I = 0,5A
Rx R
E E A 500V
1000
I
0,5 A
R = 1000Ω - Ra = 1000Ω - 10Ω =990Ω.
2.8 Các ampe-kế, vôn kế và điện trở R ở bài 2.7 được mắc rẻ ngắn. Hãy tính độ
chỉ của vôn kế và ampe-kế (nguồn cung cấp vẫn là 500V).
Trang 15
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
Hình B.2.8
Giải:
Nội trở của vôn kế :
Rv = 1000V × 10kΩ/V =10MΩ
Rv // R = 10MΩ // 990Ω = 989,9Ω
500V Rv // R 5000V 989,9
495V
R a Rv R
10 989,9
Độ chỉ của vôn kế : E
Độ chỉ của ampe-kế: I I v
E
495V
0,5 A .
Rv // R 989,9
CHƯƠNG III:
ĐO ĐIỆN DUNG, ĐIỆN CẢM VÀ HỔ CẢM
3.1.Cho cầu đo như hình vẽ , biết C1 =0.1μF và tỉ số R3/R4 có thể chỉnh được thay
đổi trong khoảng : 100/1 và 1/100 . Hãy tính CX mà cầu có thể đo được.
Hình B.3.1
Giải:
Ta có: Cx = C1R3/R4 . Với : R3/R4 =100/1
=>CX = 0,1μF(100/1) =10μF
Với : R3/R4 =1/100 => 0,1μF(1/100) =0,001μF
Trang 16
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
Vậy cầu có tầm đo : từ 0,001μF 10μF
3.2. Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần mẫu C1 =0,1µF ;R3 =10kΩ. Biết rằng
cầu cân bằng khi nguồn cung cấp co f = 100Hz; R1 =125Ω và R4 = 14,7Ω . Hãy tình giá
trị Rs , CS và hệ số tổn hao D của tụ?
Hình B.3.2
Giải:
Ta có : Cs =C1R3/R4;
CS =
0,1F 10k
= 0.068μF ;
14,7 k
RS =
R1 R 4 125 14,7 k
=
=183.3Ω
R3
10k
D = CSRS = 2π . 100Hz
0,068μF 183,8Ω = 0,008
3.3. Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần mẫu C1 =0,1µF ;R3 =10kΩ. Biết rằng
cầu cân bằng khi nguồn cung cấp co f = 100Hz; R1 =125Ω và R4 = 14,7Ω . Hãy tình giá
trị Rs , CS và hệ số tổn hao D của tụ?
Trang 17
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
BÀI TẬP
Hình B.3.3
Giải:
Ta có : Cs =C1R3/R4;
CS =
0,1F 10k
= 0.068μF ;
14,7 k
RS =
R1 R 4 125 14,7 k
=
=183.3Ω
R3
10k
D = CSRS = 2π . 100Hz
0,068μF 183,8Ω = 0,008
3.4.Cầu Maxwell đo điện cảm dùng thành phần mẫu C3 = 0,1μF, nguồn cung cấp có tần
số f=100Hz. Cầu cân bằng khi R1 =1,26kΩ; R3= 470Ω và R4 =500Ω .Tính trị giá điện
cảm LS, điện trở RS và hệ số phẩm chất Q của cuộn dây.
Hình B.3.4
Giải:
Ta có :LS =C3R1R4 =0,1μF 1,26k 500 63mH
Trang 18
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
R1 R 4 1,26k 500
1.,34k
R3
470
RS =
Q=
BÀI TẬP
LS 2 100 Hz 63mH
0,03
RS
1,34k
3.5. Cầu có nguồn cung cấp f= 100Hz cân bằng khi C3 =0,1μF, R1 =1,26kΩ , R3 =75Ω và
R4 =500Ω. Tính điện cảm LP ,điện trở RP và hệ số phẩm chất Q của cuộn dây?
Hình B.3.5
Giải:
L P C 3 R1 R 4 0,1μF 1,26k 500 63mH
RP
Q=
R1 R 4 1,26k 500
8,4k
R3
75
RP
8,4k
212
L P 2 100 Hz 63mH
3.6. Hãy tính thành phần tương đương LS,RS của cuộn dây có :LP =63Mh ; RP = 8,4kΩ ( f
=100Hz).
Giải:
2
RP X P
2
7,056 10 7 ; X P LP
RS = 2
2 ;thế: RP = 8,4kΩ ; R P
X P RP
=>XP =2
100Hz 63mH =39,6Ω
Trang 19
ĐO LƯỜNG ĐIỆN
X 2P =1,57 10 3 ; X P2 R P2 =7,056
RS =
8,4k 1,57 10 3
0,187 ;
7,056 10 7
XS =
7,056 10 7 39,6
39,6Ω
7,056 10 7
LS =
XS
39,6
=
= 63mH
2 100 Hz
BÀI TẬP
107
3.7. Hãy tính thành phần tương đương CP ,RP của tụ điê ên có RS =183,8Ω và CS =0,068Μf
(f=100Hz).
Giải:
Ta có: RP =( RS2 +XS2 )/RS ; RS2 = (183,8)2 =33,782 10 3
XS =1/2πfCS = 1/(2π.100Hz.0,68µF) =23,405.103Ω
2
X S =5,478.108
RP =( 33,78.103 +5,478 10 8 ) / 183 2,99MΩ
R S2 X S2 33,78 10 3 5,478 10 8
XP =
=23,41.103Ω
XS
23,405 10 3
CP = 1/(2π.100Hz.23,41kΩ)= 0,068μF
Trang 20
- Xem thêm -