Tài liệu Kỹ thuật mạch điện tử chương 3

44 CHƯƠNG 3 ĐIỀU CHẾ 3.1. Định nghĩa Điều chế là quá trình ghi tin tức vào 1 dao động cao tần để chuyển đi xa nhờ biến đổi một thông số nào đó (ví dụ : biên độ, tần số, góc pha, độ rộng xung...) Tin tức gọi là tín hiệu điều chế, dao động cao tần gọi là tải tin. Dao động cao tần mang tin tức gọi là dao động cao tần đã điều chế. Có 2 loại điều chế; điều biên và điều tần (gồm điều tần và điều pha). 3.2. Điều biên • Điều biên là quá trình làm cho biên độ tải tin biến đổi theo tin tức. Giả sử tin tức vs và tải tin vt đều là dao động điều hòa: v S = VS cos ω S t và vt = Vt cos ω t t với ωt >> ωS Do đó tín hiệu điều biên: Vdb = (Vt + VS cos ω S t ) cos ω t t = Vt ( 1 + VS cos ω S t ) cos ωt t Vt = Vt ( 1 + m cos ω S t ) cos ωt t (1) Trong đó: m là hệ số điều chế. Để tín hiệu không bị méo trầm trọng hoặc quá điều chế thì m ≤1 → vdb = Vt cos ωt t + m m Vt cos( ωt − ωs )t + Vt cos( ωt + ωs )t 2 2 Vđb t vdb Hình 3.1. Đồ thị thời gian tín hiệu điều biên Vt 1/2 mVt 1/2 mVt ωt - ωs ωt ωt + ωs Hình 3.2 Phổ tín hiệu điều biên ω 45 Phổ của tín hiệu điều biên có dạng như hình 3.2. ω S min ÷ ω S max thì phổ của tín hiệu điều biên có Khi tín hiệu điều chế có phổ biến thiên từ dạng như hình 3.3 Vđb Vt ωt-ωsmax ωt-ωsmin ωt ωt+ωsmin ωt+ωsmax ω Hình 3.3 Phổ của tín hiệu điều biên • Quan hệ năng lượng trong điều biên: Công suất tải tin là công suất bình quân trong 1 chu kỳ của tải tin: P~t = I hd2 R = Tương tự: P~bt ∼ Vhd2 1 1 = R RT ∫ => P~t ~ Vt 2 2 T 0 Vt 2 sin 2 ωdt = Vt 2 2R 1 mVt 2 1 2 Vt 2 m 2 ( ) = m = P∼t 2 2 4 2 4 Công suất của tín hiệu đã điều chế biên là công suất bình quân trong một chu kỳ của tín hiệu điều chế: P~ db = P~ t + 2 P~ bt m2 = P~ t ( 1 + ) 2 m càng lớn thì P~đb càng lớn Khi m = 1 → P~ db = 3P~ t 1 và → P~ bt = P~ t 2 4 Từ biểu thức (1) suy ra: Vđbmax = Vt (1+m) Do đó • P~ max ∼ 1 (1 + m) 2 Vt 2 2 Các chỉ tiêu cơ bản của dao động đã điều biên 3.2.1 Hệ số méo phi tuyến 46 K= I 2 (ω t ± 2ω s ) + I 2 (ω t ± 3ω s ) + ... I (ω t ± ω s ) I (ω t ± nω S ) (n ≥ 2 ): Biên độ dòng điện ứng với hài bậc cao của tín hiệu điều chế. It I (ω t ± ω S ) : Biên độ các thành phần biên tần A Trong đó: It : biên độ tín hiệu ra VS : giá trị tức thời của tín hiệu vào A : giá trị cực đại B B : tải tin chưa điều chế V Hình 3.4. Đặc tính điều chế tĩnh Đường đặc tuyến thực không thẳng tạo ra các hài bậc cao không mong muốn. Trong đó đáng lưu ý nhất là các hài (ω t ± 2ω S ) có thể lọt vào các biên tần mà không thể lọc được. Để giảm K thì phải hạn chế phạm vi làm việc của bộ điều chế trong địa thẳng của đặc tuyến. Lúc đó buộc phải giảm hệ số điều chế m. 3.2.2 Hệ số méo tần số Gọi : mo : hệ số điều chế lớn nhất m m : Hệ số điều chế tại tần số đang xét. Hệ số méo tần số được xác định theo biểu thức : M = mo Hoặc MdB = 20lgM m m0 m Để đánh giá độ méo tần số này, người ta căn cứ vào đặc tuyến biên độ và tần số: m = f(Fs) Vs = cte • Fs Hình 3.5. Đặc tính biên độ tần số Phương pháp tính toán mạch điều biên : Hai nguyên tắc xây dựng mạch điều biên : - Dùng phần tử phi tuyến công tải tin và tín hiệu điều chế trên đặc tuyến của phần tử phi tuyến đó. - Dùng phân tử tuyến tính có tham số điều khiển được. Nhân tải tin và tín hiệu điều chế nhờ phân tử tuyến tính đó. 47 3.2.3 Điều biên dùng phân tử phi tuyến Phần tử phi tuyến được dùng để điều biên có thể là đèn điện tử, bán dẫn, các đèn có khí, cuộn cảm có lõi sắt hoặc điện trở có trị số biến đổi theo điện áp đặt vào. Tùy thuộc vào điểm làm việc được chọn trên đặc tuyến phi tuyến, hàm số đặc trưng của phần tử phi tuyến có thể biểu diễn gần đúng theo chuỗi Taylo khi chế độ làm việc của mạch là chế độ A (θ = 180o) hoặc phân tích theo chuỗi Fourrier khi chế độ làm việc của mạch có góc cắt θ< 180o ( chế độ AB, B, C) D ♠ Trường hợp 1: ĐIỀU BIÊN Ở CHẾ ĐỘ A θ = 180o Vt Mạch làm việc ở chế độ A nếu thỏa mãn điều kiện: Vt + Vs < E o (*) Khai triển dòng iD theo chuỗi Taylor: i D = a0 + a1v D + a 2 v D2 + a3 v D3 + (1 ) Với vD : điện áp trên Diode D và trên tải Rt Với: Rt CS EO Vs vD = Eo + Vtcosωt t+ Vscosωst Hình 3.6. Mạch điều chế dùng diode iD ωS 2ωS 3ωS iD vD E0 vD t ωt - 3ωS ωt - 2ωS ωt - ωS ωt ωt + ωS ωt + 2ωS ωt + 3ωS 2ωt - 2ωS 2ωt - ωS 2ωt 2ωt + ωS 2ωt + 2ωS t Hình 3.7. Đặc tuyến của diode và đồ thị thời gian của tín hiệu vào ra Hình 3.8. Phổ tín hiệu điều biên khi làm việc ở chế độ A 48 Thay vD vào biểu thức (1) ta nhận được : iD = a1(E0 + Vtcosωtt + Vscosωst) + a2 (E0 + Vtcosωtt + Vscosωst)2 + + a3( E0 + Vtcosωtt + Vscosωst )3 +..... (2) Khai triển (2) và bỏ qua các số hạng bậc cao n ≥ 4 sẽ có kết quả mà phổ của nó được biểu diễn như hình 3.8. Khi a3 = a4 = a5 =.....a2n+1 = 0 (n = 1,2,3) nghĩa là đường đặc tính của phần tử phi tuyến là 1 đường cong bậc 2 thì tín hiệu điều biên không bị méo phi tuyến. Để thỏa mãn điều kiện (*) mạch làm việc chế độ A thì m phải nhỏ và hạn chế công suất ra. Chính vì vậy mà người ta rất ít khi dùng điều biên chế độ A. ♠ Trường hợp 2: ĐIỀU BIÊN CHẾ ĐỘ AB, B hoặc C θ < 180o Khi θ < 180o, nếu biên độ điện áp đặc vào diode đủ lớn thì có thể coi đặc tuyến của nó là một đường gấp khúc. Phương trình biểu diễn đặc tuyến của diode lúc đó : iD = 0 = SvD khi vD ≤ 0 khi vD > 0 S : Hỗ dẫn của đặc tuyến Chọn điểm làm việc ban đầu trong khu tắt của Diode (chế độ C). iD iD vD Eo ωt vD D Vt Rt CS - + EO ωt Hình 3.10. Đặc tuyến của diode và đồ thị của tín hiệu vào ra khi làm việc ở chế độ C Vs Hình 3.9. Mạch điều chế dùng Diode 49 Dòng qua diode là 1 dãy xung hình sine, nên có thể biểu diễn iD theo chuỗi Fourier như sau : iD = I0 + i1 + i2 + in + = Io + I1cosωtt + I2cos2ωtt + I3cos3ωtt + .......+ Incosnωtt (3) I0 : thành phần dòng điện một chiều. I1: biên độ thành phần dòng điện cơ bản đối với tải tin I2, I3.....In : biên độ thành phần dòng điện bậc cao đối với tải tin I0, I1 I3.....In : được tính toán theo biểu thức của chuỗi Fourrier : I0 = I1 = 1 θ π∫ i D . dω t t 2 i D . cos ω t t.dω t t c θ π∫ c (4) ..................... 2 θ I n = ∫ i D cos nω t t.dω t t π c Theo biểu thức (*) ta có thể viết : iD = S.vD = S( -E0 + VScosωst + Vtcosωtt ) (5) Khi ωtt = θ thì iD = 0 : 0 = S.vD = S( -E0 + VScosωst + Vtcosθ ) (6) Lấy (5) - (6) => i D = SVt ( cos ωt t − cos θ ) 2 θ SVt ( cos ωt t − cos θ ). cos ωt t . dωt t π ∫o θ 2 ⎡1 + cos 2ωt t ⎤ = ∫ SVt .⎢ − cos θ. cos ωt t ⎥ dωt t 2 π0 ⎣ ⎦ I1 = θ ⎞ ⎛1 ⎜ θ + sin 2ωt t − cos θ. sin ωt t θ ⎟ 0 ⎟ ⎜2 4 0 ⎠ ⎝ SV 2 SVt 1 1 1 = ( θ − sin 2θ ) = t ( θ − sin 2θ ) 4 2 π 2 π SV 1 i1 = t ( θ − sin 2θ ) cos ωt t π 2 2 SVt = π Vậy i1 = SVt π 1 ( θ − sin 2θ ) cos ωt t 2 Ở đây θ được xác định từ biểu thức (6) : cos θ = − E o + Vs . cos ω s t E o − Vs . cos ω s t = Vt Vt (7) (8) Từ biểu thức (7) và (8) biên độ của thành phần dòng điện cơ bản biến thiên theo tín hiệu điều chế (Vs). 50 3.2.4 Điều biên dùng phân tử tuyến tính có tham số thay đổi Đây là quá trình nhân tín hiệu dùng bộ nhân tương tự E0 vS(t) ~ = vđb K=1 ~ vt(t) Hình 3.11. Mạch điều biên dung phần tử tuyến tính vđb = (Eo + VS.cosωst) . Vt.cosωtt vđb = EoVt.cosωtt + • Vt .Vs V .V cos (ωt + ωS) t + t s cos (ωt - ωs) t 2 2 Các mạch điều biên cụ thể : a. Điều biên cân bằng dùng diode D1 i1 i = i1 - i2 Cb vS vdB Cb D2 i2 EO vt Hình 3.12. Mạch điều chế cân bằng dùng diode Điện áp đặt lên D1, D2 : ⎧v1 = VS cos ω s t + Vt . cos ωt t ⎨ ⎩v2 = −VS cos ω s t + Vt . cos ωt t (1) Dòng điện qua diode được biểu diễn theo chuỗi Taylo : ⎧⎪i1 = ao + a1v1 + a2 v12 + a3 v13 + ... ⎨ ⎪⎩i2 = ao + a1v2 + a2 v22 + a3 v23 + ... Dòng điện ra : i = i1 - i2 (2) (3) Thay (1), (2) vào (3) và chỉ lấy 4 vế đầu ta nhận được biểu thức dòng điện ra : i = A cos ωst + B cos 3ωst + C [cos (ωt + ωs) t + cos (ωt - ωs) t] + D [cos (2ωt + ωs) t + cos (2ωt - ωs) t] (4) 51 ⎧ ⎛ VS2 ⎞ 2 ⎟ ⎪ A = VS ⎜⎜ 2a1 + 3a3Vt + a3 2 ⎟⎠ ⎪ ⎝ Trong đó : ⎨ a3VS2 Vt ⎪ ⎪⎩ B = 2 , C = 2a 2VS Vt , D = 3a3VS 2 ωs ωt-ωs ωt ωt+ωs 3ωs 2ωt-ωs 2ωt 2ωt+ωs Hình 3.13. Phổ tín hiệu điều biên cân bằng b. Mạch điều biên cân bằng dùng 2BJT VCC vt VS vdb Hình 3.14. Mạch điều biên cân bằng dùng 2 BJT Kết quả cũng tương tự như trường hợp trên. c. Mạch điều chế vòng D1 D3 Cb vS vdb D4 D2 Cb D 4 ~ Vt Hình 3.15. Mạch điều chế vòng Gọi : iI là dòng điện ra của mạch điều chế cân bằng gồm D1, D2 iII là dòng điện ra của mạch điều chế cân bằng gồm D3, D4 ωt - ωs ωt + ωs ωt 52 Theo công thức (4) ở mục trên (điều biên cân bằng dùng diode) ta có được biểu thức tính iI : iI = A cosωst + B cos 3ωst + C [cos (ωt + ωs) t + cos (ωt - ωs) t] + D [cos (2ωt + ωs) t + cos (2ωt - ωs) Ta có : iII = iD3 - iD4 (*) (1) Trong đó : i D3 = a o + a 1 v 3 + a 2 v 32 + a 3 v 33 + ... i D4 = a o + a 1 v 4 + a 2 v 42 + a 3 v 43 + ... (2) Với v3, v4 là điện áp đặt lên D3, D4 và được xác định như sau : v 3 = −V t cos ω t t − V s cos ω s t v 4 = −V t cos ω t t + V s cos ω s t (3) Thay (3) vào (2) và sau đó thay vào (1), đồng thời lấy 4 vế đầu ta được kết quả : iII = - A cosωst - B cos 3ωst + C [cos (ωt + ωs) t + cos (ωt - ωs) t] - D [cos (2ωt + ωs) t + cos (2ωt - ωs) t] ⇒ idB = iI + iII = 2C [cos (ωt + ωs) t + cos (ωt - ωs) t] (4) Vậy : mạch điều chế vòng có thể khử được các hàm bậc lẻ của ωs và các biên tần của 2ωst, do đó méo phi tuyến rất nhỏ. 3.3. Điều chế đơn biên 3.3.1. Khái niệm Phổ tín hiệu đã điều biên gồm tải tần và hai dải biên tần, trong đó chỉ có các biên tần mang tin tức. Vì hai dải biên tần mang tin tức như nhau (về biên độ và tần số) nên chỉ cần truyền đi một biên tần là đủ thông tin về tin tức, còn tải tần thì được nén trước khi truyền đi. Quá trình đó gọi là điều chế đơn biên. Ưu điểm của điều chế dơn biên so với điều chế hai biên : - Độ rộng dải tần giảm đi một nửa. - Công suất phát xạ yêu cầu thấp hơn với cùng một cự ly thông tin. - Tạp âm đầu thu giảm do dải tần của tín hiệu hẹp hơn, Biểu thức của điều chế đơn biên :Vđb (t) = Vt . m : hệ số nén tải tin, m= m . cos (ωt + ωs) t 2 VS , m có thể nhận giá trị từ 0 → ∞ Vt 53 3.3.2. Các phương pháp điều chế đơn biên 3.3.2.1. Điều chế theo phương pháp lọc ft2 ± (ft1 + fS) vS(t) ĐCCB1 ft1 ± fS LỌC1 ft1 + fS LỌC2 ĐCCB1 ft1 ft2 + ft1 + fS ft2 Dao động Dao động Hình 3.17. Sơ đồ khối mạch điều chế theo phương pháp lọc V1 0 V2 fsmin fsmax f ft1 2fmin 0 f1-fmax f1-fmin f1+fmin f1+fma f1+fmin f1+fmax f V3 0 f V4 2∆ = 2f1 + 2fmin f 0 f2 - f1-fmax f2 - f1-fmin f2 f2 +f1+fmin f2 + f1+ fmax V5 f 0 f2 +f1+fmin Phổ tín hiệu theo phương pháp lọc f2 + f1+ fmax 54 ∆fs = fsmax - fsmin Đặt : ft1 : tần số của tải tần thứ nhất x= ft2 : tần số của tải tần thứ hai f − f S min ∆f S : hệ số lọc của bộ lọc. = S max ft ft Trong sơ đồ khối trên đây, trước tiên ta dùng một tần số dao động ft1 khá nhỏ so với dải tần yêu cầu ft2 để tiến hành điều chế cân bằng tín hiệu vào vs(t). Lúc đó hệ số lọc tăng lên để có thể lọc bỏ được một biên tần dễ dàng. Trên đầu ra bộ lọc thứ nhất sẽ nhận được một tín hiệu có dải phổ bằng dải phổ của tín hiệu vào ∆fs = f smax -f smin, nhưng dịch một lượng bằng ft1 trên thang tần số, sau đó đưa đến bộ điều chế cân bằng thứ hai mà trên đầu ra của nó là tín hiệu phổ gồm hai biên tần cách nhau một khoảng ∆f ’ = 2(ft1 + fs min) sao cho việc lọc lấy một dải biên tần nhờ bộ lọc thứ hai thực hiện một cách dễ dàng. 3.3.2.2. Điều chế đơn biên theo phương pháp quay pha Tín hiệu ra của 2 bộ điều chế cân bằng: VCB1 = VCB cosωst cosωtt = 1 VCB [cos (ωt + ωs) t + cos (ωt - ωs) t] 2 VCB2 = VCB sinωst sinωtt = 1 VCB [- cos (ωt + ωs) t + cos (ωt - ωs) t] 2 vCB1 vS 00 900 Cầu Diode ĐCCB1 vCB2 00 vt 900 Cầu Diode ĐCCB2 MẠCH ĐIỆN TỔNG HOẶC HIỆU VDB Hình 3.18. Sơ đồ mạch điều chế đơn biên theo phương pháp pha Hiệu hai điện áp ta sẽ có biên tần trên : ⇒ VDB = VCB1 - VCB2 = VCB cos (ωt + ωs) t Tổng hai điện áp ta sẽ có biên tần dưới : ⇒ VDB = VCB1 + VCB2 = VCB cos (ωt - ωs) t 3.4 Điều tần và điều pha 55 3.4.1. Quan hệ giữa điều tần và điều pha dφ dt (1) v(t) = Vt . cos (ωtt + ϕo) = Vt . cos φ( t ) (2) ω= Với tải tin là dao động điều hòa : Từ (1) rút ra : t φ( t ) = ∫ ω( t ).dt + ϕ( t ) (3) o Thay (3) vào (2), ta được : t v(t) = Vt cos [ ∫ ω (t ).dt + ϕ (t ) ] (4) o Giả thiết tín hiệu điều chế là tín hiệu đơn âm : vs = Vs cosωst (5) Khi điều tần và điều pha thì ω(t) và ϕ (t) được xác định theo các biểu thức : ω (t) = ωt + Kđt Vs cosωst (6) ϕ (t) = ϕo + Kđf Vs cosωst (7) ωt : tần số trung tâm của tín hiệu điều tần. Kđt.Vs = ∆ωm : lượng di tần cực đại Kđf.Vs = ∆ϕm : lượng di pha cực đại ω(t) = ωt + ∆ωm cosωst (8) ϕ (t) = ϕo + ∆ϕm cosωst (9) Khi điều tần thì góc pha đầu không đổi, do đó ϕ(t) = ϕo. Thay (8), (9) vào (4) và tích phân lên, ta nhận được : ⎛ ⎞ ∆ωm vdt ( t ) = Vt cos⎜⎜ ωt t + sin ωs t + ϕo ⎟⎟ ωS ⎝ ⎠ (10) Tương tự thay ϕ(t) trong (9) vào (4) và cho ω=ω(t) = cte ta có : vđf(t) = Vt.cos (ωtt + ∆ϕm cos ωst+ϕo) (11) Lượng di pha đạt được khi điều pha : ∆ϕ = ∆ϕm cos ωst Tương tự với lượng di tần : ∆ω = d∆ϕ = ∆ϕm ωs.sin ωst dt Lượng di tần cực đại đạt được khi điều pha: ∆ω =ωs∆ϕm = ωs.Kđf Vs Lượng di tần cực đại đạt được khi điều tần: (12) 56 ∆ω =Kđt Vs (13) Từ (12) và (13) ta thấy rằng: điểm khác nhau cơ bản giữa điều tần và điều pha là: - Lượng di tần khi điều pha tỉ lệ với Vs và ωs - Lượng di tần khi điều tần tỉ lệ với Vs mà thôi. Từ đó ta có thể lập được hai sơ đồ khối minh họa quá trình điều tần và điều pha: Tích phân Điều pha T/h điều tần Đạo hàm Điều tần T/h điều pha vS vS Hình 3.19. Sơ đồ khối quá trình điều pha và điều tần 3.4.2. Phổ của dao động đã điều tần và điều pha Trong biểu thức (10), cho ϕo = 0, đặt ∆ϕ m = M f gọi là hệ số điều tần, ta sẽ có biểu ωS vđt = Vt cos [ωtt+ Mf.sin ωtt] thức điều tần : (14) Tương tự, ta có biểu thức của dao động đã điều pha : vđf = Vt cos [ωtt + M. cos ωtt] (15) Trong đó : M = ∆ϕm Thông thường tín hiệu điều chế là tín hiệu bất kỳ gồm nhiều thành phần tần số. Lúc đó tín hiệu điều chế tần số và điều chế pha có thể biểu diễn tổng quát theo biểu thức : Vdt = Vt cos [ωtt + m ∑ ∆M i =1 i cos(ωSit + ϕ i ) ] Phổ của tín hiệu điều tần gồm có tất cả các thành phần tần số tổ hợp : ωtt + m ∑µω i =1 i Si Với µi là một số nguyên hữu tỉ; -∞≤ µi ≤ ∞ 3.4.3 Mạch điều tần và điều pha 3.4.3.1 Điều tần dùng diode biến dung CV C1 RFC L Cv R1 Rv + V C2 VV Hình 3.20. Mạch điều tần dung Diode biến dung và đặc tuyến của CV 57 L, Cv tạo thành khung cộng hưởng dao động của một mạch dao động C1 : tụ ngăn DC C2 : tụ thoát cao tần để ổn định phân cực cho Cv RFC : cuộn cản cao tần R1 : trở ngăn cách giữa mạch cộng hưởng và nguồn cung cấp khi Rv thay đổi ( VPC thay đổi ( 1 của khung cộng hưởng CV thay đổi theo làm cho tần số cộng hưởng riêng f = 2π LCV LCV thay đổi, dẫn đến quá trình điều tần. 3.4.3.2 Điều pha theo Amstrong vđb1 ĐB1 vđb1 vS Vt2 Tổng mVt2 → v Vđb2 Di pha 900 ĐB2 mVt1 Vt1 Vđb2 Hình 3.21. Mạch điều pha theo Amstrong và đồ thị vector của tín hiệu Tải tin từ thạch anh đưa đến bộ điều biên 1 (ĐB1) và điều biên 2 (ĐB2) lệch pha 90o, còn tín hiệu điều chế vs đưa đến hai mạch điều biên ngược pha. Điện áp ra trên hai bộ điều pha : vđb1 = Vt1 (1 + m cos ωst) cos ωtt = Vt1 cos ωt t − mVt1[cos(ωt + ω s )t + cos(ωt + ω s )t ] 2 vđb1 = Vt1 (1 - m cos ωst) sin ωtt = Vt 2 sin ωt t − mVt 2 [sin(ωt + ω s )t + sin(ωt + ω s )t ] 2 → → → → → Đồ thị véc tơ của tín hiệu V db1 và V db 2 và véc tơ tổng của chúng V = V db1 + V db 2 là một dao động được điều chế pha và biên độ. Điều biên ở đây là điều biên ký sinh. Để hạn chế điều biên ký sinh →chọn ∆ϕ nhỏ (∆ϕ< 0,35) 3.4.3.3 Điều tần dùng Transistor điện kháng Phần tử điện kháng : dung tích hoặc cảm tính có trị số biến thiên theo điện áp điều chế đặt trên nó được mắc song song với hệ dao động của bộ dao động làm cho tần số dao động thay đổi theo tín hiệu điều chế. Phân tử điện kháng được thực hiện nhờ một mạch di pha trong mạch hồi tiếp của BJT. Có 4 cách mắc phân tử điện kháng như hình vẽ. 58 Cách mắc mạch Sơ đồ nguyên lý Đồ thị véc tơ Tham số tương đương _ _ Mạch phân áp RC Trị số điện kháng I R _ _ V I _ _ VR _ _ V RC S Ltd = RC S R ωLS Ctd = LS R VC Z = jω _ Z=-j C _ I R Mạch phân áp RL V _ I V _ L VR _ _ I C Mạch phân áp CR _ _ VL _ I VR _ VC V V Z=-j R 1 ω `RCS Ctd = RCS _ I Mạch phân áp LR L _ V R _ VL _ V _ _ I Z = jω L RS VR Với mạch phân áp RC ta tính được : Z= V V (IC = S.VBE ⇒ IC luôn luôn cùng pha với VBE) = I S .VBE Ltd = L RS 59 V Z= 1 S .V . Nếu chọn ⇒ R+ = j.ωC 1 R+ j.ωC 1 j.ωC 1 j.ωC 1 1 tương ứng với VBE; R tương ứng với VCB) << R (hợp lý vì jωC jωC ≅ jωCR = jXL = jωLtd S Với Ltd = RC S Tham số của điện kháng tương đương phụ thuộc vào độ hỗ dẫn S của BJT. Điều tần dùng phân tử điện kháng có thể đạt được lượng di tần tương đối là ∆f khoảng ft 2% • Sơ đồ bộ tạo dao động điều tần bằng phần tử điện kháng phân áp RC : Cb1 Lc R T1 T2 Lk C Lgh Cb3 Cb2 R1 R2 ck R3 Cb4 VC C Hình 3.22. Sơ đồ mạch tạo dao động điều tần phần tử điện kháng phân áp RC T1 : BJT điện kháng; T2 : BJT dao động