Tài liệu Thiết kế vi mạch khuếch đại công suất ở băng tần ka

ĈҤI HӐC QUӔC GIA TP. HӖ CHÍ MINH 75ѬӠ1*ĈҤI HӐC BÁCH KHOA ---------------o0o--------------- PHAN VҤN KIM THIӂT Kӂ VI MҤCH KHUӂ&+ĈҤI CÔNG SUҨT Ӣ %Ă1*7ҪN KA Chuyên ngành: Kӻ thuұt viӉn thông 0m6ӕ LUҰ19Ă17+Ҥ&6Ƭ TP. Hӗ Chí Minh, tháng 08 QăP &{QJWUuQKÿѭӧc hoàn thành tҥi: 7UѭӡQJĈҥi hӑc Bách Khoa ± Ĉ+4*-HCM Cán bӝ Kѭӟng dүn khoa hӑc: TS HuǤQK3K~0LQK&ѭӡng Cán bӝ chҩm nhұn xét 1: 3*676Ĉӛ Hӗng Tuҩn Cán bӝ chҩm nhұn xét 2: PGS.TS Võ NguyӉn Quӕc Bҧo LuұQYăQWKҥFVƭÿѭӧc bҧo vӋ tҥL7UѭӡQJĈҥi hӑF%iFK.KRDĈ+4*7S+&0 ngày 18 WKiQJQăP. (Trӵc tuyӃn) Thành phҫn HӝLÿӗQJÿiQKJLiOXұQYăQWKҥFVƭJӗm: 1. Chӫ tӏch HӝLÿӗng: GS.TS. Lê TiӃQ7Kѭӡng 2. 7KѭNêKӝLÿӗng: TS. Võ Tuҩn KiӋt 3. Phҧn biӋn 1: PGS.T6Ĉӛ Hӗng Tuҩn 4. Phҧn biӋn 2: PGS.TS. Võ NguyӉn Quӕc Bҧo 5. Ӫy viên: TS. NguyӉQĈuQK/RQJ Xác nhұn cӫa Chӫ tӏch HӝLÿӗQJÿiQKJLi/9Yj7Uѭӣng Khoa quҧn lý chuyên ngành sau khi luұQYăQÿmÿѭӧc sӱa chӱa. CHӪ TӎCH HӜ,ĈӖNG 75ѬӢ1*.+2$Ĉ,ӊN-Ĉ,ӊN TӰ ĈҤI HӐC QUӔC GIA TP.HCM 75ѬӠ1*ĈҤI HӐC BÁCH KHOA CӜNG HÒA Xà HӜI CHӪ 1*+Ƭ$9,ӊT NAM Ĉӝc lұp - Tӵ do - Hҥnh phúc NHIӊM VӨ LUҰ19Ă17+Ҥ&6Ƭ Hӑ tên hӑc viên :Phan Vҥn Kim ........................................................ MSHV :1970073 ....... 1Jj\WKiQJQăPVLQK : 07/06/1996 .................................................. 1ѫLVLQK : Phú Yên .... Chuyên ngành :Kӻ thuұt viӉn thông .................................................. Mã sӕ :8520208 ......... I. 7Ç1Ĉӄ TÀI : THIӂT Kӂ VI MҤCH KHUӂ&+ĈҤI CÔNG SUҨT Ӣ %Ă1*7ҪN KA ................... II. NHIӊM VӨ VÀ NӜI DUNG : x Nghiên cӭu, thiӃt kӃ, chӃ tҥo mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt hoҥWÿӝng tҥLEăQJWҫn sӕ Ka dӵa trên công nghӋ bán dүn III-V GaN. III. NGÀY GIAO NHIӊM VӨ : 21/09/2020 ...................................................................... IV. NGÀY HOÀN THÀNH NHIӊM VӨ : 19/07/2021 ..................................................... V. CÁN BӜ +ѬӞNG DҮN :TS. HuǤQK3K~0LQK&ѭӡng ............................................... 7S+&0QJj\WKiQJQăP CÁN BӜ +ѬӞNG DҮN (Hӑ tên và chӳ ký) CHӪ NHIӊM BӜ 0Ð1Ĉ¬27ҤO (Hӑ tên và chӳ ký) 75ѬӢ1*.+2$Ĉ,ӊN-Ĉ,ӊN TӰ (Hӑ tên và chӳ ký) i /Ӡ,&Ҧ0Ѫ1 4XDTXiWUuQKWK͹FKL͏QOX̵QYăQW͙WQJKL͏SHP[LQGjQKP͡WOͥLF̫P˯QFKkQ WKjQKVkXV̷Fÿ͇QWK̯\76+XǤQK3K~0LQK&˱ͥQJQJ˱ͥLÿmJL~SÿͩHPṶWQKL͉XY͉ P̿WNL͇QWKͱFFNJQJQK˱NLQKQJKL͏PWKL͇WN͇YLP̩FKJL~Sÿ͓QK K˱ͣQJU}UjQJY͉V͹ QJKL͏SW˱˯QJODLVDXQj\FͯDHPFiP˯QWK̯\ÿmGjQKWKͥLJLDQÿ͋W͝FKͱFQKͷQJEX͝L PHHWLQJÿ̯\E͝tFKWK~Y͓ÿ͋O̷QJQJKHHPEiRFiRYjJySêJL~SHP1JRjLUDWK̯\ FNJQJFKLDV̓YͣLHPQKL͉XEjLK͕FKD\Y͉FX͡FV͙QJFiFͱQJ[͵YͣL P͕LQJ˱ͥL[XQJ TXDQKVDRFKRKͫSOtQK̭W(PFNJQJ[LQJ͵LOͥLF̫P˯QVkXV̷Fÿ͇QW̭WF̫FiFWKjQK ÿDQJOjPYL͏FWURQJ3715),&ÿmÿ͛QJKjQKFNJQJHPWURQJVX͙WWKͥLJLDQTXD (PFNJQJPX͙QJ͵LOͥLFiP˯QVkXV̷Fÿ͇Q766DQJKXQ/HH&(2FͯDF{QJW\ WavHSLDÿmW̩RÿL͉XNL͏QṶWQKL͉XWURQJYL͏FFK͇W̩RÿRÿ̩FFiFP̩FKNKX͇FKÿ̩LF{QJ VX̭W(PFNJQJ[LQFiP˯QFiFDQKFK͓ErQF{QJW\ÿmK͟WUͫHPṶWQKL͉XWURQJTXi WUuQKOjPYL͏F 9jFRQFNJQJJ͵LOͥLFiP˯Qÿ͇QJLDÿuQKQJ˱ͥLWKkQTXHQE̩QEqÿmÿ͡ng viên, ÿ͛QJKjQKJL~SÿͩWURQJVX͙WWKͥLJLDQWK͹FKL͏Qÿ͉F˱˯QJOX̵QYăQ Tp. Hӗ &Kt0LQKQJj\WKiQJQăP Hӑc viên Phan Vҥn Kim ii 7Ï07Ҳ7/8Ұ19Ă1 LuұQYăQQj\WUuQKEj\TXiWUuQKWKLӃt kӃ, mô phӓQJÿRÿҥc mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt ӣ EăQJWҫn sӕ Ka (37-40.5 GHz), có ӭng dөng phә biӃn trong các hӋ thӕng thông tin hiӋQQD\QKѭYӋ tinh, 5G, radar, chiӃQWUDQKÿLӋn tӱ«0ҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku (15-*+]ÿѭӧc thiӃt kӃ vӟi vai trò làm nӅn tҧng, kiӇm chӭQJSKѭѫQJSKiS thiӃt kӃ WUѭӟc khi thiӃt kӃ mҥch ӣ tҫn sӕ rҩWFDROj.DYjFNJQJÿѭӧFÿһt mөc tiêu phөc vө trong hӋ thông vӋ WLQK96$7ĈӇ thӓDPmQÿѭӧc các yêu cҫu vӅ công suҩt lӟn, hiӋu suҩt cao cӫa các hӋ thӕng trên, công nghӋ GaN là mӝWÿӅ cӱ thích hӧp nhҩt vì các tính QăQJѭXYLӋt cӫDQyQKѭPұWÿӝ công suҩWFDRÿLӋQiSÿiQKWKӫng lӟQÿӝ OLQKÿӝng cao, ÿiSӭng tҫn sӕ tӕt. Vӟi các yêu cҫu khҳc khe vӅ công suҩt, hiӋu suҩWÿӝ lӧi, các mҥch khuӃFKÿҥi ÿѭӧc thiӃt kӃ WKHRSKѭѫQJiQVӱ dөng kӃt hӧp song song nhiӅu transistor nhӓ tҥi tҫng QJ}UDÿӇ tҥo ra công suҩWEmRKzDÿiSӭQJÿѭӧc yêu cҫXÿһt ra và nhiӅu tҫng transistor ÿѭӧc sӱ dөng kӃt hӧSÿӇ tҥRÿѭӧFÿӝ lӧi công suҩt mong muӕn. Các mҥch phӕi hӧp trӣ NKiQJÿѭӧc thiӃt kӃ theo cҩu trúc mҥng cluster, vӯa có chӭFQăQJSKӕi hӧp trӣ kháng, vӯa có chӭFQăQJJӝp/chia công suҩt. Thách thӭc lӟn nhҩt gһp phҧi ӣ các mҥch phӕi hӧp trӣ NKiQJOjOjPVDRÿӇ ÿҥWÿѭӧc suy hao và khҧ QăQJFKX\ӇQÿәi trӣ kháng tӕt nhҩt trong khi vүQÿҧm bҧRÿѭӧc mҥch hoҥWÿӝng әQÿӏnh, tӭFOjNK{QJFyGDRÿӝng. Cҩu trúc chi tiӃt cӫa các mҥch phӕi hӧp trӣ NKiQJÿѭӧc lӵa chӑn tӕLѭXWKHRSKѭѫQJSKiS ÿӗ thӏ Smith. Toàn bӝ mҥch khuӃFKÿҥi công suҩWÿӅXÿѭӧc mô phӓQJWUѭӡQJÿLӋn tӯ vӟi sӵ JL~Sÿӥ cӫa thuұt toán Momentum trong phҫn mӅm ADS. Mӝt trong nhӳng vҩQÿӅ thách thӭFNKyNKăQQKҩt gһp phҧi khi thiӃt kӃ mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt nhiӅu transistor, nhiӅu tҫQJFKtQKOjGDRÿӝng. VҩQÿӅ Qj\ÿѭӧc khҧo sát, mô phӓng, kiӇm chӭQJNƭFjQJWK{QJTXDKDLSKѭѫQJSKiSFKtQKOj5ROOHWYj Kurokawa. Các loҥLGDRÿӝng tҫn sӕ thҩSGDRÿӝng chӃ ÿӝ chҹQGDRÿӝng chӃ ÿӝ lҿ, GDRÿӝng tín hiӋu lӟQÿѭӧc phát hiӋn và khҳc phөc hiӋu quҧ vӟi sӵ trӧ giúp cӫa các mҥQJÿLӋn trӣ, tө ÿLӋQÿѭӧFÿһWWUrQÿѭӡng tín hiӋu RF hoһc trên các mҥng phân cӵc cho PA. KӃt quҧ kiӇm chӭQJWK{QJTXDÿRÿҥc cho thҩ\ÿӝ hiӋu quҧ, tin cұy cӫDSKѭѫQJ pháp này mang lҥi là rҩt cao. iii $%675$&7 This thesis presents the process of design, simulation and measurement of the Ka band (37-40.5 GHz) power amplifier having popular application in the modern FRPPXQLFDWLRQVV\VWHPVVXFKDVVDWHOOLWH*UDGDUZDUIDUH«$VWKHUROHRIFUHDWLQJ foundation and verification of the design methodology before designing the Ka band as well as the purpose to build the VSAT system, the Ku band (15-17 GHz) power amplifier was designed firstly. To satisfy the saturated output power, efficiency and power gain requirements, GaN technology is one of the best candidates due to its attracted characteristics like high power density, high breakdown voltage, high mobility and very good frequency response. With restricted requirements of output power, efficiency and power gain, the power amplifiers were designed in the combination of parallel transistors at the output stage to reach the target number of output power and series stages to tolerate the required power gain. The matching networks were designed as the cluster network with 2 concurrent functions of matching and dividing/combing power. The most challenge in designing cluster matching network is how to have the low loss and good matching performance while preventing the power amplifier from any potential oscillations. The structure of the matching networks was chosen based the Smith chart method. The whole power amplifiers were done the electromagnetic simulation with the support of the Momentum Engine in ADS software. One of the most challenging and difficult problems in multi-transistor multi-stage power amplifier design is oscillation which is considered, simulated and verified thoroughly based on 2 main popular theorems of Rollet and Kurokawa. The low frequency, even mode, odd mode and large signal stabilities were detected and fixed efficiently with the suport of various stabilized RC networks placed on the RF paths or the DC bias paths. The measurement verification results show that the efficiency and reliability of this method is very high. iv /Ӡ,&$0Ĉ2$1 Tôi tên Phan Vҥn Kim là hӑc viên cao hӑFFKX\rQQJjQKNƭWKXұWĈLӋn tӱ - ViӉn Thông, khóa 2019, tҥLĈҥi hӑc Quӕc gia thành phӕ Hӗ Chí Minh ± 7UѭӡQJĈҥi hӑc Bách .KRD7{L[LQFDPÿRDQQKӳng nӝLGXQJVDXÿӅu là sӵ thұt: (i) Công trình nghiên cӭu này hoàn toàn do chính tôi thӵc hiӋn; (ii) Các tài liӋu và trích dүn trong luұQYăQQj\ ÿѭӧc tham khҧo tӯ các nguӗn thӵc tӃFyX\WtQYjÿӝ chính xác cao; (iii) Các sӕ liӋu và kӃt quҧ cӫDF{QJWUuQKQj\ÿѭӧc tôi tӵ thӵc hiӋn mӝWFiFKÿӝc lұp và trung thӵc. TP. Hӗ &Kt0LQKQJj\WKiQJQăP Hӑc viên Phan Vҥn Kim v 0Ө&/Ө& LӠI CҦ0Ѫ1 .................................................................................................................. i TÓM TҲT LUҰ19Ă1 ................................................................................................. ii ABSTRACT .................................................................................................................. iii LӠ,&$0Ĉ2$1 .......................................................................................................... iv MӨC LӨC .......................................................................................................................v DANH SÁCH HÌNH ҦNH .......................................................................................... vii DANH SÁCH BҦNG SӔ LIӊU .....................................................................................x DANH MӨC VIӂT TҲT............................................................................................... xi &+ѬѪ1**,ӞI THIӊU ............................................................................................1 1.1 Bӕi cҧQKYjÿӝng lӵc .............................................................................................1 1.2 Vai trò mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt trong hӋ thӕng thu phát tín hiӋu cao tҫn ........2 ;XKѭӟng phát triӇn công nghӋ .............................................................................3 1.4 Phҥm vi nghiên cӭu và cҩu trúc luұQYăQ ..............................................................6 &+ѬѪ1*7ӘNG QUAN MҤCH KHUӂ&+ĈҤI CÔNG SUҨT ...........................7 2.1 Mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt ....................................................................................7 2.1.1 Mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt và các thông sӕ ÿiQKJLiFKҩWOѭӧng ..................7 2.1.2 Mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt lӟp A, AB, B, C ................................................10 2.1.3 Loadpull ........................................................................................................14 'DRÿӝng trong mҥch khuӃFKÿҥi công suҩWYjÿӏnh lí Kurokawa ......................16 ĈӏQKQJKƭDGDRÿӝng .....................................................................................16 2.2.2 Các loҥLGDRÿӝng ..........................................................................................16 2.2.3 Ĉӏnh lí Kurokawa ..........................................................................................24 &+ѬѪ1*0ҤCH KHUӂ&+ĈҤ,%Ă1*7ҪN Ku ..............................................26 vi 3.1 Giӟi thiӋu .............................................................................................................26 3.2 Công nghӋ thiӃt kӃ ...............................................................................................27 3.3 Thách thӭc ...........................................................................................................29 3.4 Thông sӕ thiӃt kӃ YjWtQKWRiQVѫÿӗ công suҩt ....................................................31 3.5 ThiӃt kӃ các mҥch phӕi hӧp trӣ kháng.................................................................32 3.6 KӃt quҧ mô phӓng toàn bӝ mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt ......................................38 3.7 KӃt quҧ ÿRÿҥc thӵc tӃ .........................................................................................46 3.8 KӃt luұn ................................................................................................................51 &+ѬѪ1*0ҤCH KHUӂ&+ĈҤ,%Ă1*7ҪN Ka ...............................................53 4.1 Giӟi thiӋu .............................................................................................................53 4.2 Công nghӋ thiӃt kӃ ...............................................................................................53 4.3 Thách thӭc ...........................................................................................................54 4.4 Thông sӕ thiӃt kӃ YjWtQKWRiQVѫÿӗ công suҩt ....................................................55 4.5 ThiӃt kӃ các mҥch phӕi hӧp trӣ kháng.................................................................57 4.6 KӃt quҧ mô phӓng toàn bӝ mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt ......................................64 4.7 KӃt quҧ ÿRÿҥc thӵc tӃ .........................................................................................70 4.8 KӃt luұn ................................................................................................................76 &+ѬѪ1*.ӂT LUҰ19¬+ѬӞNG PHÁT TRIӆN .............................................78 DANH MӨC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HӐC.........................................................81 TÀI LIӊU THAM KHҦO .............................................................................................82 LÝ LӎCH TRÍCH NGANG ...........................................................................................83 vii '$1+6È&++Î1+Ҧ1+ Hình 1-6ѫÿӗ chung cӫa hӋ thӕng beamforming phased array hӛn hӧp [2] ...............2 Hình 1-2. So sánh chi tiӃt các công nghê GaN, GaAs và Si [3] ......................................4 Hình 1-;XKѭӟng công nghӋ theo công suҩt bão hòa .................................................5 Hình 1-4. Sӵ nәi trӝi cӫa GaN vӅ công suҩt phát xҥ ÿҷQJKѭӟng EIRP .........................5 Hình 2-1 Mô hình tәng quát cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt [5] ...................................7 Hình 2-ĈLӇm nén 1dB cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt ...............................................8 Hình 2-Ĉһc tính hiӋu suҩt theo công suҩt ngõ vào .......................................................9 Hình 2-4 Mҥch khuӃFKÿҥi có 4 tҫng nӕi tiӃp nhau.......................................................10 Hình 2-5 Mҥch khuӃFKÿҥi lӟp A, AB, B, C .................................................................11 Hình 2-Ĉһc tính mҥch khuӃFKÿҥi lӟp A ....................................................................12 Hình 2-Ĉһc tính mҥch khuӃFKÿҥi lӟp B ....................................................................13 Hình 2-Ĉһc tính mҥch khuӃFKÿҥi lӟp C ....................................................................14 Hình 2-9 HӋ thӕQJÿRÿҥc loadpull ...............................................................................15 Hình 2-&iFÿѭӡQJÿҷng công suҩt và hiӋu suҩt tӯ ÿRÿҥc loadpull .........................16 Hình 2-11 HӋ thӕng hӗi tiӃSGѭѫQJ...............................................................................16 Hình 2-12 Phân cӵc transistor trong mҥch khuӃFKÿҥi..................................................17 Hình 2-0{KuQKWѭѫQJÿѭѫQJFӫa transistor bao gӗm cҧ cuӝn chһn tín hiӋu LRFC .17 Hình 2-14 Mô hình rút gӑn tӯ hình 2-13 .......................................................................18 Hình 2-ĈLӋn trӣ RG khҳc phөFGDRÿӝng tҫn sӕ thҩp [6] ..........................................18 Hình 2-ĈLӋn trӣ de-Q RD khҳc phөFGDRÿӝng tҫn sӕ thҩp trên cӵc D ....................19 Hình 2-17 Mô hình hóa tәng quát cӫa mӝt mҥch khuӃFKÿҥi nhiӅu transistor ( 1 d i d n ) .......................................................................................................................................21 Hình 2-18 BiӇXÿӗ luӗng tín hiӋu tӯ hình 2-16 ( 1 d i d n ).............................................21 Hình 2-3KѭѫQJSKiSP{SKӓng Gi (jZ ) ...................................................................22 Hình 2-20 Sӵ WKD\ÿәi cӫa Gi (jZ ) theo Rodd ..................................................................22 Hình 2-21 Mô hình cách tính hàm truyӅn vòng kín trong mҥch khuӃFKÿҥi [8] ...........23 Hình 2-Ĉӝ әQÿӏnh cӫa hӋ thӕng hӗi tiӃp dӵa trên vӏ trí các cӵc .............................24 Hình 2-23 Minh hӑDÿӏQKOtGDRÿӝng Kurokawa .........................................................25 viii Hình 3-6ѫÿӗ hӋ thӕng thu phát tín hiӋu vӋ tinh [10] .................................................26 Hình 3-2 Cҩu trúc substrate cӫa công nghӋ 250nm GaN ..............................................28 Hình 3-3 Layout cӫa ISV (trái) và OSV (phҧi) transistor .............................................29 Hình 3-4 ChҩWOѭӧng tө ÿLӋQNKLGQJJURXQGOtWѭӣng và thӵc tӃ ................................30 Hình 3-6ѫÿӗ công suҩt chi tiӃt cӫa mҥch khuӃFKÿҥi Ku..........................................32 Hình 3-6. Layout mҥch phӕi hӧp trӣ kháng ngõ ra OCMN ..........................................33 Hình 3-7. Thông sӕ [S] mҥch OCMN ...........................................................................33 Hình 3-8. Layout mҥch phӕi hӧp trӣ kháng liên tҫn thӭ nhҩt ISMN1 ..........................34 Hình 3-9. Thông sӕ [S] mҥch ISMN1 ...........................................................................35 Hình 3-10. Layout mҥch phӕi hӧp trӣ kháng liên tҫn thӭ hai ISMN2 ..........................36 Hình 3-11. Thông sӕ [S] mҥch ISMN2 .........................................................................37 Hình 3-12. Layout mҥch phӕi hӧp trӣ kháng ngõ vào IMN..........................................37 Hình 3-13. Thông sӕ [S] mҥch IMN .............................................................................38 Hình 3-14. Layout toàn bӝ mҥch khuӃFKÿҥi Ku ..........................................................39 Hình 3-15. Thông sӕ [S] toàn bӝ mҥch khuӃFKÿҥi Ku .................................................39 Hình 3-16. Công suҩt, hiӋu suҩt cӫa mҥch khuӃFKÿҥi Ku vӟi Pin=26 dBm ................40 Hình 3-17. ChҩWOѭӧng mҥch khuӃFKÿҥi Ku theo công suҩt ngõ vào ...........................41 Hình 3-18. Test-bench mô phӓQJGDRÿӝng trong mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku ......42 Hình 3-19. a. HӋ sӕ әQÿӏQK—YjEĈӝ lӧi S21 cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku khi WKD\ÿәLÿLӋn áp phân cӵc VD=[0:32:1] V, VG=[-5:-2:0.1] V........................................43 Hình 3-20. KӃt quҧ kiӇm trDGDRÿӝng ӣ miӅn tuyӃn tính bҵQJ:6SUREHNKLWKD\ÿәi ÿLӋn áp phân cӵc VD=[0:32:1] V, VG=[-5:-2:0.1] V......................................................44 Hình 3-21. Test-bench mô phӓQJGDRÿӝng tín hiӋu lӟn ...............................................45 Hình 3-22. KӃt quҧ kiӇPWUDGDRÿӝng ӣ miӅn phi tuyӃn bҵng WS probe ....................45 Hình 3-23. Hình chөp thӵc tӃ die chip cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku .................46 Hình 3-24. PCB hӛ trӧ ÿRÿҥc mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku .....................................47 Hình 3-7HVWEHQFKÿRÿҥc thӵc tӃ .............................................................................47 Hình 3-26. Thông sӕ >6@ÿRÿҥc cӫa mҥch khuӃFKÿҥi Ku tҥLÿLӇm phân cӵc VD=28V, ID=730mA ......................................................................................................................49 Hình 3-27. So sánh thông sӕ [S] mҥch khuӃFKÿҥi Ku giӳa mô phӓQJYjÿRÿҥc ........49 ix Hình 3-28. KӃt quҧ ÿRÿҥt chҩWOѭӧng phi tuyӃn mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku .........50 Hình 3-29. So sánh công suҩt, hiӋu suҩt mҥch khuӃFKÿҥi Ku giӳa kӃt quҧ mô phӓng YjÿRÿҥc ........................................................................................................................50 Hình 4-1 Cҩu trúc substrate cӫa công nghӋ 150nm GaN ..............................................54 Hình 4-/D\RXWFiFWUDQVLVWRUÿmÿѭӧFÿRÿҥc kiӇm chӭng ( 4x50 P m ,6x50 P m ,6x75 P m ,8x100 P m theo thӭ tӵ tӯ trái sang phҧi) ................................................................54 Hình 4-6ѫÿӗ công suҩt chi tiӃt cӫa mҥch khuӃFKÿҥi Ka ..........................................57 Hình 4-4. Layout mҥch phӕi hӧp trӣ kháng ngõ ra OCMN ..........................................58 Hình 4-5. Thông sӕ [S] mҥch OCMN ...........................................................................58 Hình 4-6. Layout mҥch phӕi hӧp trӣ kháng liên tҫn thӭ nhҩt ISMN1 ..........................59 Hình 4-7. Thông sӕ [S] mҥch ISMN1 ...........................................................................60 Hình 4-8. Layout mҥch phӕi hӧp trӣ kháng liên tҫn thӭ hai ISMN2 ............................61 Hình 4-9. Thông sӕ [S] mҥch ISMN2 ...........................................................................61 Hình 4-10. Layout mҥch phӕi hӧp trӣ kháng liên tҫn thӭ ba ISMN3 và mҥch phӕi hӧp trӣ kháng ngõ vào IMN .................................................................................................62 Hình 4-11. Thông sӕ [S] mҥch ISMN3 .........................................................................63 Hình 4-12. Thông sӕ [S] mҥch IMN .............................................................................63 Hình 4-13. Layout toàn bӝ mҥch khuӃFKÿҥi Ka ...........................................................64 Hình 4-14. Thông sӕ [S] toàn bӝ mҥch khuӃFKÿҥi Ka .................................................65 Hình 4-15. Công suҩt, hiӋu suҩt cӫa mҥch khuӃFKÿҥi Ku vӟi Pin=26 dBm ................65 Hình 4-16. ChҩWOѭӧng mҥch khuӃFKÿҥi Ka theo công suҩt ngõ vào ...........................66 Hình 4-17. a. HӋ sӕ әQÿӏQK—YjEĈӝ lӧi S21 cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku khi WKD\ÿәLÿLӋn áp phân cӵc VD=[0:28:1] V, VG=[-5:-1.4:0.1] V.....................................67 Hình 4-18. KӃt quҧ kiӇPWUDGDRÿӝng ӣ miӅn tuyӃn tính bҵQJ:6SUREHNKLWKD\ÿәi ÿLӋn áp phân cӵc VD=[0:28:1] V, VG=[-5:-1.4:0.1] V...................................................67 Hình 4-19. KӃt quҧ kiӇPWUDGDRÿӝng ӣ miӅn tuyӃn tính bҵng WS probe tҥi ngõ vào transistor tҫn 1 và tҫn 2 tҥLÿLӋn áp VG=-1.4 V, VD=5 V ..............................................68 Hình 4-20. KӃt quҧ kiӇPWUDGDRÿӝng ӣ miӅn tuyӃn tính bҵng WS probe tҥi ngõ vào transistor tҫn 3 tҥLÿLӋn áp VD=3 V, VG=-1.8 V & VD=27 V, VG=-1.4 V .................69 Hình 4-21. KӃt quҧ kiӇPWUDGDRÿӝng ӣ miӅn phi tuyӃn bҵng WS probe ....................69 x Hình 4-22. Hình chөp thӵc tӃ die chip cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ka..................70 Hình 4-23. PCB hӛ trӧ ÿRÿҥc mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ka .....................................71 Hình 4-24. Thông sӕ >6@ÿRÿҥc cӫa mҥch Ka PA ӣ WUѭӡng hӧp phân cӵc 1 ................72 Hình 4-25. Thông sӕ >6@ÿRÿҥc cӫa mҥch Ka PA ӣ WUѭӡng hӧp phân cӵc 2 ................73 Hình 4-26. Thông sӕ >6@ÿRÿҥc cӫa mҥch Ka PA ӣ WUѭӡng hӧp phân cӵc 3 ................74 Hình 4-27. Thông sӕ >6@ÿRÿҥc cӫa mҥch Ka PA ӣ WUѭӡng hӧp phân cӵc 4 ................74 Hình 4-28. Thông sӕ [S] cӫa mҥFK.D3$WKHRÿLӋn áp phân cӵc VD=[0:28:1] V, VG=[-5:-1.4:0.1] V khi mô phӓng vӟi phiên bҧn PDK mӟi. ........................................75 Hình 5-6ѫÿӗ công suҩt chi tiӃt cӫa mҥch khuӃFKÿҥi Ka vӟi phiên bҧn cұp nhұt mӟi nhҩt cӫa công nghӋ 150nm GaN. ..................................................................................80 '$1+6È&+%Ҧ1*6Ӕ/,ӊ8 Bҧng 3-1 . Các thông sӕ thiӃt kӃ cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku ...........................31 Bҧng 3-2 . Bҧng so sánh cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ku .......................................52 Bҧng 4-1 . Các thông sӕ thiӃt kӃ cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ka ...........................56 Bҧng 4-2 . Bҧng so sánh cӫa mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt Ka .......................................76 xi '$1+0Ө&9,ӂ77Ҳ7 DUC/ DDC Digital Up/Down Conversion RF/ IF Radio frequency/ Intermediate frequency AC/ DC Alternating current/ Direct current FEM Front End Module GaAs/ GaN Gallium Asernide/ Gallium Nitride SiGe Silicon Germanium CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor EIRP Effective Isotropic Radiated Power FCC Federal Communications Commission PA Power amplifier PAE Power added efficiency RFC Radio frequency choke DPA Driving point admittance VSAT Very small aperture terminal LNB/ BUC Low noise block/ Block up conversion RX/ TX Receiver/ Transmitter MIM Metal insulator metal TFR Thin film resistor ISV/ OSV Individual source via/ Outside source via PDK Package design kit PBP Power budget plan OCMN Output combining and matching network ISMN Interstage matching network IMN Input matching network GSG Ground signal ground DRC/ LVS Design rule check/ Layout versus schematic MMIC Monolithic microwave integrated circuit PCB Printed circuit board 1 &+ѬѪ1**,Ӟ,7+,ӊ8 1.1 Bӕi cҧQKYjÿӝng lӵc 3KӫVyQJPҥQJWK{QJWLQ*KLӋQÿDQJÿDQJOjFKӫÿӅQKұQÿѭӧFUҩWQKLӅXVӵ FK~êWӯJLӟLNKRDKӑFFNJQJQKѭOjQJѭӡLGQJPҥQJY{WX\ӃQWUrQWRjQWKӃJLӟL 7KHRQKyPQJKLrQFӭX,'7HFK([WKuYLӋFWULӇQNKDLPҥQJ*ÿѭӧFGӵÿRiQVӁPDQJ OҥLWӹÿ{ODFKRQӅQNLQKWӃWRjQFҫXYjRQăP+LӋSKӝLKӋWKӕQJWK{QJWLQ GLÿӝQJWRjQFҫXFKRWKҩ\*ÿDQJWUrQÿjÿҥWWӹNӃWQӕLGLÿӝQJWRjQFҫXYjR QăP4XiWUuQKKLӋQWKӵFKyDPҥQJ*GLӉQUDQKDQKKѫQFiFGӵÿRiQWUѭӟF ÿk\QKDQKKѫQQKLӅXVRYӟLVӵFKX\ӇQJLDRWӯ*OrQ*0ӝWYjLYtGөÿѭӧFQrXUD ÿӇWKҩ\ÿѭӧFVӵSKiWWULӇQFӫDPҥQJ*WURQJQKӳQJQăPJҫQÿk\WҥL2O\PSLFVPD ÿ{QJGLӉQ UDӣ 3\HRQJFKDQJ +jQ 4XӕFPҥQJ *KRҥW ÿӝQJÿҫXWLrQÿѭӧF PLQKFKӭQJWKiQJQăPWӯFiFEiRFiRFӫDFiFQKjYұQKjQKGӏFKYөGLÿӝQJ FKRWKҩ\+jQ4XӕFÿmFyKѫQWULӋXWKXrEDR*$7 7OjQKjPҥQJÿҫXWLrQWҥL 0ӻYѭӧWTXDÿѭӧFWӕFÿӝNK{QJGk\*ESV9HUL]RQÿmYұQKjQK*WҥLVkQYұQÿӝQJ 1)/UDPҳWWUrQNKҳSQѭӟF0ӻ0ҥQJ*VӁKuQKWKjQKPӝWSKҫQTXDQWUӑQJWURQJ TXiWUuQKWKӃJLӟLKѭӟQJWӟLNӃWQӕLWK{QJPLQK7ҩWFҧFiFTXӕFJLDYjQKjPҥQJ WUrQWKӃJLӟLÿDQJFӕJҳQJKӃWVӭFÿӇWUӣWKjQKQJѭӡLÿҫXWLrQWULӇQNKDLVӱGөQJPҥQJ *JL~SFҧLWKLӋQWUҧLQJKLӋPNKiFKKjQJPDQJOҥLQJXӗQOӧLQKXұQOӟQ>@ 9LӋW1DPFNJQJQҵPWURQJQKӳQJQѭӟFKѭӟQJÿӃQWULӇQNKDLPҥQKPӁPҥQJ *7URQJQăPFҧEDQKjPҥQJOӟQ9LHWWHO91370REL)RQHÿmWULӇQNKDLWKӱ QJKLӋPWKѭѫQJPҥLPҥQJ*ӣPӝWVӕTXұQWҥLWKjQKSKӕOӟQOj+j1ӝLYj+ӗ&Kt 0LQKPDQJ OҥLFKRQJѭӡLGQJQKLӅXWUҧLQJKLӋPYѭӧWEұWVRYӟLPҥQJ*7X\ QKLrQTXiWUuQKWULӇQNKDLPӟLFKӍGLӉQUDӣEăQJWҫQQKӓKѫQ*+]&zQEăQJWҫQ PP:DYHGjQKFKRPҥQJ*YүQFKѭDÿѭӧFFKҥPÿӃQ 7UѭӟFVӭFK~WNKӫQJNKLӃSFӫDPҥQJ*PӝWYҩQÿӅOӟQFҫQÿѭӧFTXDQWkP ÿyFKtQKOjWӵFKӫF{QJQJKӋ9LӋFFiFQKjPҥQJWҥL9LӋW1DPWULӇQNKDLÿѭӧFPҥQJ *SKҫQOӟQOjQKӡYjRVӵKӛWUӧF{QJQJKӋO}LWӯFiFQѭӟFFyQӅQF{QJQJKӋSKiW WULӇQ KjQJ ÿҫX QKѭ 0ӻ +jQ 6ӵ SKө WKXӝF F{QJ QJKӋ VӁ WҥR UD QKLӅX KӋ Oө\ ҧQK KѭӣQJ[ҩXWӯDQWRjQEҧRPұWWK{QJWLQFiQKkQFKRÿӃQDQQLQKTXӕFJLDĈLӅXQj\ 2 WҥRUDPӝWÿӝQJOӵFOӟQFKRFiFNƭVѭWURQJQѭӟFWKDPJLDFiFQJKLrQFӭXSKiWWULӇQ F{QJQJKӋO}L* ĈӅ WjL Qj\ VӁ WUuQK Ej\ VkX YӅ TXi WUuQK QJKLrQ FӭX Yj KLӋQ WKӵF YL PҥFK NKXӃFKÿҥLF{QJVXҩWPӝWWKjQKSKҫQUҩWTXDQWUӑQJÿyQJYDLWUzWLrQTX\ӃWWURQJKӋ WKӕQJO}LPҥQJ* 1.2 Vai trò mҥch khuӃFKÿҥi công suҩt trong hӋ thӕng thu phát tín hiӋu cao tҫn Hình 1-6˯ÿ͛ chung cͯa h͏ th͙ng beamforming phased array h͟n hͫp [2] Hình 1-WKӇKLӋQVѫÿӗFKXQJFӫDPӝWKӋWKӕQJEHDPIRUPLQJSKDVHGDUUD\ KӛQKӧSӭQJGөQJWURQJPҥQJ*&ҩXWU~FQj\NӃWKӧSFҧKDLORҥLEHDPIRUPLQJVӕ YjWѭѫQJWӵÿӇWӕLѭXKyDÿӝEDRSKӫFӫDKӋWKӕQJFXQJFҩSFiFFKPWLDÿѭӧFSKkQ WiFKNӃWKӧSWURQJNK{QJJLDQPӝWFiFKNLӇPVRiWPDQJÿӃQFKRQKLӅXQJѭӡLGQJ WUҧLQJKLӋPWӕLѭXQKҩW+ӋWKӕQJEDRJӗPNKӕLFKӭFQăQJFKtQK.KӕL[ӱOtVӕ 'LJLWDO3URFHVLQJJL~SWәQJKӧSSKkQWiFKGӳOLӋXWKHRGҥQJEHDPIRUPLQJVӕUӗL WK{QJTXDFiFPҥFK''&KD\'8&ÿӇFKX\ӇQÿәLGӳOLӋXVӕOrQ[XӕQJ.KӕL[ӱOt WtQKLӋXKӛQKӧS0L[HG6LJQDOFyFKӭFQăQJFKX\ӇQÿәLTXDOҥLWtQKLӋXDQDORJYj WtQKLӋXVӕ.KӕLFKX\ӇQÿәL5)-IF (RF-,)FRQYHUVLRQJL~SÿәLWҫQ WtQKLӋXWUXQJWҫQ 3 ,)OrQWҫQVӕFDR5)KRһFÿәLWӯWtQKLӋX5)YӅWtQKLӋX,)FQJYӟLFiFFKӭFQăQJ OӑFEăQJOӑFNrQKYjJLDWăQJÿӝOӧLKӋWKӕQJ.KӕLEHDPIRUPLQJWѭѫQJWӵ$QDORJ %HDPIRUPLQJEDRJӗPFiFVZLWFKFKX\ӇQPҥFKPҥFKVX\KDRPҥFKGӏFKSKa và FiFPҥFKNKXӃFKÿҥLJL~SÿLӅXFKӍQKFKPWLDKӋWKӕQJWKHRKѭӟQJPRQJPXӕQĈk\ OjÿһFWUѭQJTXDQWUӑQJQKҩWFӫDKӋWKӕQJ*.KӕL)(0EDRJӗPPҥFKNKXӃFKÿҥL F{QJVXҩWPҥFKNKXӃFKÿҥLQKLӉXWKҩSYjVZLWFKFKX\ӇQPҥFK&KӭFQăQJFKtQKFӫD OjNKXӃFKÿҥLWtQKLӋXSKiWÿLOrQPӭFF{QJVXҩWFDRUӗLÿҭ\UDăQJ-WHQKRһFNKXӃFK ÿҥLWtQKLӋXWKXYjRWӯăQJ-WHQJL~SWӕLѭXQRLVHILJXUHFӫDWRjQEӝKӋWKӕQJ.KӕL FXӕLFQJOjPҧQJăQJ-WHQ$QWHQQD$UUD\YӟLVӕOѭӧQJSKөWKXӝFYjRNtFKWKѭӟF FӫDKӋWRjQEӝKӋWKӕQJ 0ҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJVXҩWÿyQJYDLWUzOjWKjQKSKҫQTXDQWUӑQJEұFQKҩWҧQK KѭӣQJOӟQÿӃQKLӋXTXҧYұQKjQKFӫDKӋWKӕQJQj\1yÿѭӧFVӱGөQJFKtQKӣKDLJLDL ÿRҥQFXӕLFӫDTXiWUuQKSKiWWtQKLӋXOjEHDPIRUPLQJWѭѫQJWӵYj)(0JL~SJLDWăQJ côQJVXҩWQJ}UDFӫDWtQKLӋXWUѭӟFNKLUDăQJ-WHQQkQJFDRNKRҧQJFiFKWUX\ӅQYj KLӋXVXҩWSKiW9uVӱGөQJӣWҫQFXӕLFQJYӟL\rXFҫXYӅF{QJVXҩWQJ}UDFӵFÿҥL FKRQrQFiFPҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJVXҩWWKѭӡQJÿѭӧFWKLӃWNӃWKHRGҥQJNӃWKӧSQKLӅX transistoUÿѫQOҿQKLӅXWҫQJPҥFKOҥLYӟLQKDX%rQFҥQKÿyF{QJQJKӋOӵDFKӑQÿӇ WKLӃWNӃSKҫQPҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJVXҩWQj\FNJQJFҫQSKҧLWӕLѭXSKKӧSYӟLFiF ÿһFWUѭQJF{QJVXҩWOӟQ*D1OjӭQJYLrQVӕPӝWWURQJFiFF{QJQJKӋKLӋQQD\ÿѭӧF VӱGөQJÿӇWKLӃWNӃFKRFiFPҥFKӣ)(0ÿһWELӋWOjPҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJVXҩW&iF F{QJQJKӋQKѭ*D$V6L*H&026ÿѭӧFVӱGөQJÿӇWKLӃWNӃWURQJFiFNKӕLFKӭF QăQJÿӭQJWUѭӟF)(0WURQJKӋWKӕQJEHDPIRUPLQJSKDVHGDUUD\ 3KҫQVDXVӁWUuQKEj\FKLWLӃWFiFÿһFWUѭQJFNJQJQKѭ[XKѭӟQJSKiWWULӇQFӫD F{QJQJKӋEiQGүQYjӭQJGөQJFӫDFK~QJWURQJFiFKӋWKӕQJWKXSKiWWK{QJWLQ 1.3 ;XKѭӟng phát triӇn công nghӋ 0ӝWWURQJQKӳQJFKuDNKyDWKHQFKӕWTX\ӃWÿӏQKÿӃQVӵWKjQKF{QJFӫDPҥQJ WK{QJWLQ*ÿyFKtQKOjQҳPEҳW[XKѭӟQJSKiWWULӇQF{QJQJKӋ+uQKWKӇKLӋQ FiFWK{QJVӕÿiQKJLiFKҩWOѭӧQJFӫD*D1VRYӟL*D$VYj6L7URQJNKtDFҥQKWUrQ KuQKYӁWKuF{QJQJKӋ*D1ÿmWKӇKLӋQVӵQәLWUӝLYӟLPӭFÿӝVRYӟL*D$VYj 4 VRYӟL6L&{QJQJKӋ*D1FyѭXWKӃYӅPұWÿӝ F{QJVXҩWFDRQJѭӥQJÿLӋQiSÿiQK WKӫQJOӟQQăQJOѭӧQJEDQG-JDSOӟQKRҥWÿӝQJÿѭӧFӣQKLӋWÿӝUҩWFDRWUrQ0C. Hình 1-2. So sánh chi ti͇t các công nghê GaN, GaAs và Si [3] Hình 1-OjNӃWTXҧWKӕQJNrFKҩWOѭӧQJFӫDFiFPҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJVXҩt WURQJFiFF{QJWUuQKQJKLrQFӭXNKRDKӑFWUrQWKӃJLӟLWӯQăPFKRÿӃQQD\>@ &{QJQJKӋ*D1QәLEұWKѫQWҩWFҧFiFF{QJQJKӋFzQOҥLYӅF{QJVXҩWEmRKzDFӫD PҥFKNKXӃFKÿҥLWUrQWRjQYQJWҫQVӕ-*+]FKRQrQ*D1WKѭӡQJÿѭӧFVӱGөQJ ÿӇKLӋQWKӵF FiFPҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJVXҩWFDROLӅQNӅYӟLPҧQJăQJ-WHQWURQJKӋ WKӕQJEHDPIRUPLQJSKDVHGDUUD\FKRPҥQJ*&{QJQJKӋ*D$V6L*H%L&026 FNJQJQәLWUӝLYӅF{QJVXҩWYjWKѭӡQJÿѭӧFVӱGөQJWKLӃWNӃFiFPҥFKNKXӃFKÿҥLӣ SKҫQEHDPIRUPLQJWѭѫQJWӵÿyQJYDLWUzOjPWҫQOiLFKRFiFPҥFKNKXӃFKÿҥL*D1 ӣSKtVDX&zQF{QJQJKӋ&026KRҥWÿӝQJӣÿLӋQiSWKҩSQrQÿѭӧFVӱGөQJÿӇWKLӃW NӃFiFSKҫQPҥFKWӯEӝFKX\ӇQÿәL5)-,)WUӣYӅWUѭӟFWURQJKӋWKӕQJӣKuQK-1. 5 Hình 1-;XK˱ͣng công ngh͏ theo công sṷt bão hòa Hình 1-4. S͹ n͝i tr͡i cͯa GaN v͉ công sṷt phát x̩ ÿ̻QJK˱ͣng EIRP &{QJQJKӋ*D1ÿѭӧFWKLӃWNӃWӯFiFFKҩWEiQGүQӣQKyP,,,9WURQJEҧQJ WXҫQKRjQKyDKӑF&K~QJUҩWWKtFKKӧSÿӇWKLӃWNӃQKӳQJWUDQVLVWRUFyNKҧQăQJKRҥW ÿӝQJӣQKLӋWÿӝUҩWFDR&{QJVXҩWQJ}UDOӟQKLӋXVXҩWFDREăQJWKӝQJUӝQJÿӝWLQ Fұ\FDROjQKӳQJѭXÿLӇPJL~S*D1WUӣQrQYѭӧWWUӝLVRYӟLQKӳQJF{QJQJKӋNKiF Hình 1-FKRWKҩ\VӵQәLWUӝLFӫDF{QJQJKӋ*D1YӅF{QJVXҩWSKiW[ҥÿҷQJ KѭӟQJFyWKӇÿҥWÿӃQQJѭӥQJG%PÿѭӧFÿӏQKQJKƭDEӣL)&&FKRKDLEăQJWҫQVӕ *+]Yj*+]WҥL0ӻĈk\FyWKӇ[HPOjPӝWFѫKӝLWROӟQFKRFiFQKjYұQKjQK GӏFKYөPҥQJWK{QJWLQNKLPjF{QJQJKӋ*D1FyWKӇWKӓDÿѭӧF\rXFҫXYӅF{QJVXҩW WURQJNKLYүQÿiSӭQJÿѭӧF\rXFҫXNKҳFNKH YӅJLiFҧNtFKWKѭӟFWUӑQJOѭӧQJ 6 'ӵDWUrQQKӳQJѭXÿLӇPQәLWUӝLÿӅWjLQj\VӁOӵDFKӑQF{QJQJKӋ*D1ÿӇ WKLӃWNӃYLPҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJVXҩWSKөFYөFKRFiFKӋWKӕQJEHDPIRUPLQJSKDVHG DUUD\WURQJPҥQJWK{QJWLQ* 1.4 Phҥm vi nghiên cӭu và cҩu trúc luұQYăQ ĈӅWjLQj\WұSWUXQJQJKLrQFӭXWKLӃWNӃYjFKӃWҥRYLPҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJ VXҩWFDRӣEăQJWҫQ.DSKөFYөWURQJKӋWKӕQJEHDPIRUPLQJSKDVHGDUUD\'ӵDYjR PөFÿtFKÿҥWÿѭӧFF{QJVXҩWQJ}UDOӟQÿӅWjLQj\VӁÿѭӧFWKӵFKLӋQGӵDWUrQF{ng QJKӋEiQGүQ*D1*DOLXP1LWULGH0ҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJVXҩWVӁVӱGөQJQKLӅX WUDQVLVWRUPҳFVRQJVRQJFNJQJQKѭÿѭӧFJKpSQKLӅXWҫQJÿӇÿҥWÿѭӧFPӭFF{QJVXҩW QJ}UDPRQJPXӕQ7X\QKLrQWKLӃWNӃPҥFKNKXӃFKÿҥLQKLӅXWUDQVLVWRUQKLӅXWҫQJ VӁSKҧLÿѭѫQJÿҫXYӟLQJX\FѫGDRÿӝQJUҩWOӟQGүQÿӃQNKҧQăQJKѭKӓQJPҥFK3$ NKLÿRÿҥFWKӵFWӃ&iFORҥLGDRÿӝQJFyWKӇ[XҩWKLӋQWURQJPҥFKNKXӃFKÿҥLF{QJ VXҩWNӇWUrQOjGDRÿӝQJWҫQVӕWKҩSGDRÿӝQJFKӃÿӝFKҹQGDRÿӝQJFKӃÿӝOҿYjGDR ÿӝQJӣPLӅQWtQKLӋX OӟQĈӅWjLQj\VӁQJKLrQFӭXEҧQFKҩWFӫDWӯQJORҥLGDRÿӝQJ YjÿӅ[XҩWiSGөQJFiFKNKҳFSKөFYjNӃWTXҧVӁÿѭӧFNLӇPFKӭQJWK{QJTXDÿRÿҥF PҥFKWKӵFWӃ &ҩXWU~FOXұQYăQÿѭӧFFKLDWKjQKFKѭѫQJFKtQK&KѭѫQJVӁJLӟLWKLӋX NKiLTXiWEӕLFҧQKYjÿӝQJOӵFÿӇOӵDFKӑQÿӅWjL&KѭѫQJWUuQKEj\FiFOtWKX\ӃW FѫEҧQFNJQJQKѭQkQJFDR[RD\TXDQKYLӋFWKLӃWNӃPҥFKF{QJVXҩW&KѭѫQJWUuQK Ej\YӅTXiWUuQKWKLӃWNӃFKӃWҥRÿRÿҥFPҥFKNKXӃFKÿҥLӣEăQJWҫQ.XӭQJGөQJ WURQJFiFKӋWKӕQJWKXSKiWWtQKLӋXYӋWLQKOjPQӅQWҧQJÿӇWKLӃWNӃPҥFKNKXӃFK ÿҥL.D&KѭѫQJWUuQKEj\TXiWUuQKWKLӃWNӃPҥFKNKXӃFKÿҥLӣEăQJWҫQ.DӭQJ GөQJWURQJKӋWKӕQJ*YӟLFiFNӃWKӯDWӯWKLӃWNӃPҥFKNKXӃFKÿҥL.X3KҫQFXӕL FQJVӁWUuQKEj\FiFNӃWOXұQYjÿiQKJLiNӃWTXҧÿҥWÿѭӧFFӫDÿӅWjL