ĈҤI HӐC QUӔC GIA TP. HCM
75ѬӠ1*ĈҤI HӐC BÁCH KHOA
FOG
BÁO CÁO TӘNG KӂT KӂT QUҦ
Ĉӄ TÀI KHCN CҨ375ѬӠNG
7rQ ÿӅ tài:
MÔ PHӒNG QUÁ TRÌNH TҤO MÀNG MӒNG SILICON
LÊN Bӄ MҺT SILICA BҴ1*3+ѬѪ1*3+È3
PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
3(&9' 9¬Ĉӄ XUҨT CÁC THÔNG SӔ CÔNG NGHӊ
Ĉӆ TӔ, Ѭ8&+248È75Î1+ 7+ӴC NGHIӊM
Mã sӕ ÿӅ tài: T-CK-2013-08
Thӡi gian thӵc hiӋn: 12 tháng
Chӫ nhiӋP ÿӅ tài:
Trҫn NgӑF3Kѭӟc Thҥnh
/ѭX3KѭѫQJ0LQK
Cán bӝ WKDPJLDÿӅ tài:
Phҥm Quang Trung
Thành phӕ Hӗ Chí Minh ± Tháng 02/2014
Danh sách các cán b͡ tham gia thc hi͏Qÿ͉ tài
(Ghi rõ hӑc hàm, hӑc vӏ, ÿѫQYӏ công tác gӗm bӝ môn, Khoa/Trung tâm)
1.
2.
3.
KS. Trҫn NgӑF3Kѭӟc ThҥQK%07% &19/&..KRD&ѫNKt.
76/ѭX3KѭѫQJ0LQK %07% &19/&..KRD&ѫNKt.
ThS. Phҥm Quang Trung%07% &19/&..KRD&ѫNKt.
1
MӨC LӨC
MӨC LӨC ......................................................................................................................... 2
I. TәQJTXDQÿӅ tài ............................................................................................................ 3
1.1 Tәng quan vӅ công nghӋ PECVD ........................................................................ 3
1.2 Mô hình thӵc nghiӋm PECVD ............................................................................. 3
II. Mô hình toán hӑc ......................................................................................................... 5
3KѭѫQJWUuQKGzQJFKҧy......................................................................................... 5
2.2 Phҧn ӭng plasma trong buӗng phҧn ӭng ............................................................. 5
2.3 Phҧn ӭng lҳQJÿӑng tҥo lӟp màn mӓng trên bӅ mһt silicat ............................... 7
III. Mô hình mô phӓQJYjÿLӅu kiӋn biên ...................................................................... 8
IV. KӃt quҧ cӫDÿӅ tài ..................................................................................................... 10
4.1 KӃt quҧ mô phӓng trong buӗng phҧn ӭng ......................................................... 10
%iRFiRWjLFKtQKÿӅ tài........................................................................................ 17
4.3 Bài báo cáo tҥi Hӝi nghӏ Khoa hӑc .................................................................... 17
V: KӃt luұn và kiӃn nghӏ ................................................................................................ 17
Tài liӋu tham khҧo .......................................................................................................... 18
Phө lөc A. Bҧn vӁ chӃ tҥo mô hình thӵc nghiӋm ............................................................ 19
Phө lөc B. Source code mô phӓng .................................Error! Bookmark not defined.
2
I. Tәng quan ÿӅ tài
1.1 Tәng quan vӅ công nghӋ PECVD
Công nghӋ sҧn xuҩt màng mӓng (thin film) hiӋn nay là mӝt trong nhӳQJ OƭQK Yӵc
³QyQJ´ QKҩt cӫD FiF QѭӟF ÿL YjR Kѭӟng công nghӋ FDR ÿӇ sҧn xuҩt ra các linh kiӋQ ÿLӋn
tӱ Yj ÿһt biӋt sӱ dөng trong công nghӋ sҧn xuҩW SLQ QăQJ Oѭӧng mһt trӡi.
Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) là mӝW SKѭѫQJ SKiS KjQJ ÿҫu
hiӋQ QD\ ÿӇ sҧn xuҩt màng mӓng. Các phҧn ӭng cӫa các hӛn hӧS NKt ÿҫu vào là Silan
SiH4 và Hydrogen H2 xҧy ra mҥnh mӁ WURQJ P{L WUѭӡng Argon plasma. Khi các chҩt
ÿѭӧc tҥo thành tӯ các phҧn ӭng trên lҳQJ ÿӑng trên bӅ mһt silica sӁ tiӃp tөc tham gia các
phҧn ӭng trên bӅ mһW ÿӇ tҥo thành lӟp màng mӓng. Mô hình minh hӑa mӝt hӋ thӕng
3(&9' ÿҫ\ ÿӫ ÿѭӧc thӇ hiӋn ӣ hình vӁ GѭӟLÿk\
Hình 1: Mô hình nguyên lý plasma PECVD
1.2 Mô hình thӵc nghiӋm PECVD
Hình 2 là hình ҧnh buӗng phҧn ӭng plasma cӫD SKѭѫQJ SKiS 3(&9' ÿk\ Oj P{
hình thӵc nghiӋP ÿѭӧc xây dӵng bӣi trung tâm Industrial Technology Research Institute
,75, ÿѫQ Yӏ hӧp tác vӟi tác giҧ tҥi Taiwan). Mô hình thӵc nghiӋP Qj\VDXÿyÿѭӧc xây
dӵng thành mô hình mô phӓQJ ÿѭӧc trình bày trong hình 3. Mô hình thӵc nghiӋm gӗm có
mӝt nguӗn plasma (Hollow-cathode discharge HCD) và mӝt buӗng phҧn ӭng hóa hӑF ÿӇ
cho các phҧn ӭng giӳa các hӧp chҩt cӫa silane và hydrogen diӉQ UD ÿӇ tҥo ra lӟp màng
mӓng trên bӅ mһt film. Nguӗn plasma là hai ӕng hӧp kim nhôm song song có các lӛ nhӓ
dӑc ӕng, có tәng chiӅX GjL PPYjÿѭӧc nӕi vӟi nguӗQÿLӋn có công suҩt 13.56 MHz.
6DX NKL DUJRQ SODVPD ÿѭӧc tҥo ra trong ӕQJ Qy ÿѭӧF ÿҭy xuӕng buӗng phҧn ӭng nҵm
3
SKtD Gѭӟi. Hình 4 là hình chөp quá trình phҧn ӭng trong buӗng phҧn ӭng plasma trong
thӵc nghiӋm.
Hình 2: Mô hình thc nghi͏m PECVD
Argon Plasma Oriffice
Hollow-Cathode Discharge
Chamber
Gas Orifice
SiH4, H2
0
Ar
Glass Substrate
D
J
Outflow
Outflow
Hình 3: Mô hình mô ph͗ng thc nghi͏m
Hình 4: Bu͛ng ph̫n ͱng plasma
4
II. Mô hình toán hӑc
2.1 3KѭѫQJWUuQK GzQJFKҧy
ĈӇ mô phӓng quá trình phҧn ӭng trong buӗQJ SODVPD FiF SKѭѫQJ WUuQKOLrQ
tөFSKѭѫQJWUuQKPRPHQWYjSKѭѫQJWUuQKQăQJOѭӧng phҧLÿѭӧc giҧLÿӗng thӡLÿӇ
tìm ra tӕFÿӝ, áp suҩt và nhiӋWÿӝ cӫa tҩt cҧ các chҩt trong buӗng phҧn ӭng plasma.
3KѭѫQJWUuQKOLrQ Wөc:
wȡ
ȡ U 0 ,
wt
3KѭѫQJWUuQKP{PRPHQW
w ȡ U
U ȡ U P Ș U ȡ f ,
wt
3KѭѫQJWUuQKQăQJOѭӧng:
w ȡF pT
wt
U ȡF pT țT ,
7URQJÿy ȡ mұWÿӝ, t thӡi gian, U vector vұn tӕc, P áp suҩt, Ș ÿ{QKӟWFKҩWOӓQJf
trӑng lӵc, cp QKLӋW GXQJULrQJ ț KӋVӕQӣQKLӋWYjT OjQKLӋW ÿӝ
2.2 Phҧn ӭng plasma trong buӗng phҧn ӭng
Dӵa trên các tài liӋu tham khҧo, vӟi ba chҩW ÿҫu vào là Ar, SiH4 và H2 bên trong
buӗng phҧn ӭng sӁ sinh ra tәng cӝng 17 chҩt tham gia vào SKѭѫQJ WUuQK SKҧn ӭng hóa
hӑc. Các chҩt trong buӗng phҧn ӭng là: Ar, Ar*, Ar+, SiH4, SiH3, SiH2, SiH, H2, H, Si,
Si+, SiH3+, SiH2+, SiH+, H2+, H+ and electron. 'DQK ViFK SKѭѫQJ WUuQK SKҧn ӭng
ÿѭӧc trình bày ӣ bҧng 1.
B̫ng 1: 3K˱˯QJWUuQKSK̫n ͱng trong bu͛ng plasma
3KѭѫQJWUuQKSKҧn ӭng
No.
1
($Uĺ($U*
2
($Uĺ$U+
+
2E
3
E
+ Ar* ĺ$U+
+
2E
5
4
Ar* + Ar* ĺ$U$U+ + E
5
E
+ SiH4 ĺ6L+4 + E
6
E
+ SiH4 ĺ6L+4 + E
7
E
+ SiH4 ĺ6L+3 + H
8
E
+ SiH4 ĺ6L+2 + 2H + E
9
E
+ SiH4 ĺ6L+3+ + H
10
E
+ SiH4 ĺ6L+2+ + H2 + 2E
11
E
+ SiH4 ĺ SiH+ + H2 + H + 2E
12
E
+ SiH4 ĺ6L+
+ 2H2 + 2E
13
E
+ SiH4 ĺ+2+
+ SiH + H + 2E
14
E
+ SiH4 ĺ++
+ SiH2 + H + 2E
15
E
+ H2 ĺ+2
+
E
16
E
+ H2
ĺ+2
+
E
17
E
+ H2
ĺ+2
+
E
18
E
+ H2
ĺ+(
19
E
+ H2
ĺ+2+
20
(+ĺ+(
21
(+ĺ++
22
E
+ SiH3 ĺ6L+3+ + 2E
23
E
+ SiH3 ĺ6L+2+ +
24
E
+ SiH2 ĺ6L+2++
2E
25
E
+ SiH2 ĺ6L++ +
H + 2E
26
(6L+ĺ6L++ +
2E
27
(6L+ĺ6L+
+
H + 2E
28
H
+ SiH4 ĺ+2
+
SiH3
29
SiH3 + SiH3 ĺ6L+2 +
SiH4
6
+
+ E
+ 2E
2E
+ 2E
H + 2E
30
SiH2 0ĺ6L+2 + M
31
SiH2 +ĺ6L++2
32
Ar* + H2
33
Ar* + SiH4 ĺ6L+3 + H + Ar
34
Ar* + SiH4 ĺ6L+2 + H + H + Ar
35
Ar* + SiH3 ĺ6L+2 + H + Ar
36
Ar* + SiH2 ĺ6L++$U
37
Ar* 6L+ĺ6L+$U
ĺ++$U
2.3 Phҧn ӭng lҳQJÿӑng tҥo lӟp màn mӓng trên bӅ mһt silicat
Sau các chҩt WKDP JLD YjR FiF SKѭѫQJ WUuQK SKҧn ӭng trên sӁ tҥo ra chҩt hӧp chҩt cҫn
thiӃt cӫD VLOHQFH Yj K\GURJHQ ÿӇ tham gia tiӃp vào phҧn ӭng lҳQJ ÿӑng trên bӅ mһt tҥo ra
lӟp thin film. BҧQJ WUuQKEj\ FiFSKѭѫQJ WUuQKSKҧn ӭng diӉn ra trên bӅ mһt silicat.
B̫ng 2 : Ph̫n ͱng l̷QJÿ͕ng t̩o lͣp màng m͗ng thin film
No.
Reaction
ĺ
1
SiH3 +
2
SiH3 + SiH(S) ĺ
SiH4
+ Si(S)
3
SiH2 +
ĺ
Si(S)
+ Si(B) + H2
4
SiH2 + SiH(S) ĺ
Si(B)
+ SiH(S) + H2
5
SiH +
6
SiH + SiH(S) ĺ
Si(S)
+ Si(B) + H2
Si(S)
Si(S)
Si(S)
SiH(S) + Si(B) + H2
ĺ
SiH(S) + Si(B)
7
Si +
ĺ
Si(S)
+ Si(B)
8
Si + SiH(S) ĺ
Si(B)
+ SiH(S)
9
H +
ĺ
SiH(S)
10
H + SiH(S) ĺ
Si(S)
Si(S)
Si(S)
7
+
H2
III. Mô hình mô phӓQJYjÿLӅu kiӋn biên
ĈӇ mô phӓng quá trình phҧn ӭng plasma trong buӗng phҧn ӭng, mô hình mô
phӓQJ ' ÿm ÿѭӧF ÿѭD Yҧo sӱ dөQJ Yj ÿѭӧc thӇ hiӋn trên hình sӕ 7URQJ ÿy
ÿѭӡng BC và DE là ӕQJÿҫXYjRSODVPDÿѭӧFÿһt phía trên cùng cӫa buӗng phҧn
ӭQJĈѭӡng ST và UV thӇ hiӋQFKRÿҫu vào cӫa khí nӅn phҧn ӭng là SiH4 và H2,
ÿѭӧFÿһt giӳa buӗng bên trong buӗng phҧn ӭQJĈѭӡQJ+,-.Ojÿҫu ra cӫa buӗng
phҧn ӭQJ ÿѭӡng MN thӇ hiӋn cho mһt silicat cҫn phӫ. Hình chӳ nhұt OPQR thӇ
hiӋn nguӗn nhiӋt trong buӗng phҧn ӭQJ .tFK WKѭӟc cӫD P{KuQKÿѭӧc trình bày
trong bҧng 3.
B̫ng 3: &iFNtFKWK˱ͣFF˯b̫n cͯa mô hình
Dimen
sion
dt
da
dg
ht
ha
hg
Length
(cm)
114
15
30
26
9.5
3.5
dt
y
da
B C
A
x D E
F
S
T
Glass Substrate
U
V
N
ht
M
hg
ha
dg
ds
O
P
Heater
R
L
Q
G
K
I
J
Hình 5: Mô hình mô ph͗ng 2D
8
H
ĈLӅu kiӋQELrQFѫEҧn cӫa mô hình mô phӓng là tҥi các thành cӫa buӗng phҧn
ӭng sӁ là no-slip và nhiӋWÿӝ cӫa thành trong buӗng phҧn ӭng sӁ NK{QJÿәi (sau khi
ÿmÿLYjRKRҥWÿӝng әQÿӏnh). Quá trình tҥROѭӟi và mô phӓQJÿѭӧc sӱ dөng bҵng
phҫn mӅP&20(7 ÿk\OjSKҫn mӅm có bҧn quyӅn và chuyên dөng cho phҧn ӭng
plasma). Hình 6 thӇ hiӋn mұW ÿӝ Oѭӟi cho mô hình mô phӓng, mұW ÿӝ Oѭӟi là 0.5
mm, và có tҩt cҧ tәng cӝng 15000 cells.
Hình 6: T̩RO˱ͣi cho mô hình mô ph͗ng
9
IV. KӃt quҧ cӫDÿӅ tài
4.1 KӃt quҧ mô phӓng trong buӗng phҧn ӭng
ĈӇ thӇ hiӋn kӃt quҧ mô phӓng trong buӗng phҧn ӭng, tác giҧ sӁ trình bày
WUѭӡng hӧp chuҭn cӫa quá trình mô phӓng tҥLFiFÿLӅu kiӋn biên: P = 1 Torr, Pw =
750 W và Te = 1.8 eV. KӃt quҧ mô phӓng bao gӗm vұn tӕc, nhiӋWÿӝ, mұWÿӝ và
nhiӋW ÿӝ electron và sӵ phân bӕ mұWÿӝ cӫa 17 chҩt trong buӗng phҧn ӭng.
Hình 7: V̵n t͙c dòng ch̫y cͯa khí trong bu͛ng ph̫n ͱng
Hình 8 Phân bӕ nhiӋWÿӝ
Hình 9 Phân bӕ mұWÿӝ
Hình 10 Phân bӕ Electron temperature
Hình 11 Phân bӕ mұWÿӝ Ar
10
Hình 12 Phân bӕ mұWÿӝ H2
Hình 13 Phân bӕ mұWÿӝ SiH4
Hình 14 Phân bӕ mұWÿӝ SiH3
Hình 15 Phân bӕ mұWÿӝ SiH2
Hình 16 Phân bӕ mұWÿӝ SiH
Hình 17 Phân bӕ mұWÿӝ Si
Hình 18 Phân bӕ mұWÿӝ H
Hình 19 Phân bӕ mұWÿӝ electron
Hình 20 Phân bӕ mұWÿӝ Ar*
Hình 21 Phân bӕ mұWÿӝ Ar+
11
Hình 22 Phân bӕ mұWÿӝ SiH3+
Hình 23 Phân bӕ mұWÿӝ SiH2+
Hình 24 Phân bӕ mұWÿӝ SiH+
Hình 25 Phân bӕ mұWÿӝ Si+
Hình 26 Phân bӕ mұWÿӝ H2+
Hình 27 Phân bӕ mұWÿӝ H+
4.2 KӃt quҧ các thông sӕ tӕLѭXFKRWKӵc nghiӋm
ĈӇ cung cҩp các kӃt quҧ tӕLѭXFKRWKӵc nghiӋm, các thông sӕ cӫa mô phӓng
và thông sӕ cӫa buӗng phҧn ӭQJÿmÿѭӧc mô phӓng vӟi nhiӅu giá trӏ NKiFQKDXÿӇ
cung cҩp mӝt cái nhìn toàn cҧnh cӫa sӵ ҧQKKѭӣng cӫa các thông sӕ Qj\OrQÿӝ dày
Yj ÿӝ ÿӗQJ ÿӅu cӫa lӟp màng mӓng. KӃt quҧ mô phӓng chӍ ra rҵng: tӕFÿӝ lҳng
ÿӑng sӁ WăQJNKLWăQJFiFWK{QJVӕ: P, rg và da1Jѭӧc lҥi tӕFÿӝ lҳQJÿӝng sӁ giҧm
khi các thông sӕ: Pw, ha, Ts and dg. Bênh cҥQKÿyWK{QJVӕ hg có rҩt ít ҧQKKѭӣng
ÿӃn kӃt quҧ cӫa sӵ lҳQJÿӑng trên bӅ mһWVLOLFDW1KѭYұy dӵa vào kӃt quҧ trên, tùy
vào tӕF ÿӝ lҳQJ ÿӑng mà thӵc nghiӋm yêu cҫu ta sӁ ÿLӅu chӍnh các thông sӕ cho
hӧp lý.
12
Hình 28
Sӵ phân bӕ cӫa tӕF ÿӝ lҳng Hình 29
ÿӑng trên bӅ mһt silicat vӟi các giá trӏ P
Hình 30
TӕF ÿӝ lҳQJÿӑng trung bình
vӟi các giá trӏ P
Sӵ phân bӕ cӫa tӕF ÿӝ lҳng Hình 31
TӕF ÿӝ lҳQJÿӑng trung bình
ÿӑng trên bӅ mһt silicat vӟi các giá trӏ vӟi các giá trӏ Pw
Pw
13
Hình 32
Sӵ phân bӕ cӫa tӕF ÿӝ lҳng Hình 33
TӕF ÿӝ lҳQJÿӑng trung bình
ÿӑng trên bӅ mһt silicat vӟi các giá trӏ ha vӟi các giá trӏ ha
Sӵ phân bӕ cӫa tӕF ÿӝ lҳng Hình 35 TӕF ÿӝ lҳQJÿӑng trung bình
ÿӑng trên bӅ mһt silicat vӟi các giá trӏ rg vӟi các giá trӏ r
Hình 34
g
14
Hình 36
Sӵ phân bӕ cӫa tӕF ÿӝ lҳng Hình 37
TӕF ÿӝ lҳQJÿӑng trung bình
ÿӑng trên bӅ mһt silicat vӟi các giá trӏ Ts vӟi các giá trӏ Ts
Hình 38 Sӵ phân bӕ cӫa tӕF ÿӝ lҳng Hình 39
TӕF ÿӝ lҳQJÿӑng trung bình
ÿӑng trên bӅ mһt silicat vӟi các giá trӏ hg vӟi các giá trӏ hg
15
Hình 40
Sӵ phân bӕ cӫa tӕF ÿӝ lҳng Hình 41
TӕF ÿӝ lҳQJÿӑng trung bình
ÿӑng trên bӅ mһt silicat vӟi các giá trӏ da vӟi các giá trӏ da
Hình 42 Sӵ phân bӕ cӫa tӕF ÿӝ lҳng Hình 43 TӕF ÿӝ lҳQJ ÿӑng trung bình
ÿӑng trên bӅ mһt silicat vӟi các giá trӏ dg vӟi các giá trӏ dg
16
%iRFiRWjLFKtQKÿӅ tài (Phө lөc)
4.3 Bài báo cáo tҥi Hӝi nghӏ Khoa hӑc (Phө lөc)
V: KӃt luұn và kiӃn nghӏ
ĈӅ WjL ÿm KRjQ WKjQK YLӋc xây dӵng mô hình và mô phӓng quá trình tҥo màng
mӓng silicon lên bӅ mһt silica bҵQJ SKѭѫQJ SKiS 3ODVPD-Enhanced Chemical
9DSRU'HSRVLWLRQ 3(&9' Yjÿӗng thӡLFNJQJÿmWuPUDÿѭӧc mӝt sӕ thông sӕ Fѫ
bҧn tӕLѭXÿӅ xuҩt các thông sӕ công nghӋ cho quá trình thӵc nghiӋm.
Bênh cҥQKÿyFiFFiQEӝ WKDPJLDÿӅ WjLÿmWKӵc hiӋQÿҫ\ÿӫ các yêu cҫXÿѭӧc
ghi trong hӧS ÿӗQJ QKѭ Mô hình 2D tính toán, Bҧn vӁ thiӃt kӃ P{KuQK&KѭѫQJ
trình mô phӓng tính toán, Bài báo hӝi nghӏ.
7X\QKLrQÿk\OjPҧQJÿӅ tài kӃt hӧp giӳa xây dӵng mô hình mô phӓng và tiӃn
hành thӵc nghiӋP ÿӇ kiӇm chӭng do vұy sau khi hai kӃt quҧ trên trùng khӟp nhau
thì kӃt quҧ mô phӓng mӟi thұt sӵ hiӋu quҧ ÿӇ ÿѭDYjRWKӵc tӃ sҧn xuҩt. Nhӳng kӃt
quҧ EѭӟFÿҫu thӵc nghiӋm cho thҩy giӳa hai kӃt quҧ thӵc nghiӋm và mô phӓQJÿm
Fy [X Kѭӟng giӕng nhau nhiӅu. Tuy nhiên vүn cҫn thӡLJLDQÿӇ hoành chӍnh cҧ hai
WUѭӟc khi công bӕ kӃt quҧ cuӕi cùng.
7S+&0QJj\WKiQJQăP
7S+&0QJj\WKiQJQăP
&KӫQKLӋPÿӅWjL
.êYjJKLU}KӑWrQ
7/+,ӊ875ѬӢ1*
KT.75ѬӢ1*3+Ñ1*.+&1 '$
3+Ï75ѬӢ1*3+Ñ1*
7UҫQ1JӑF3KѭӟF7KҥQK
17
Tài liӋu tham khҧo
[1] H. Keppner, J. Meier, P. Torres, D. Fischer, A. Shah, Applied Physics A:
Materials Science and Processing, Vol. 69 (1999), 169.
[2] J. Meier, S. Dubail, J. Cuperus, U. Kroll, R. Platz, P. Torres, J.A.A. Selvan, P.
Pernet, N. Beck, N Pellaton Vaucher, C. Hof, D. Fischer, H. Keppner, A. Shah,
Journal of Non-Crystalline Solids, Vol. 227-230 (1998), 1250.
[3] A. Matsuda, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and
Short Notes and Review Papers, Vol. 43 (2004), 7909.
[4] P. Scheubert, P. Awakowicz, R. Schwefel, G. Wachutka, 2001, Surface and
Coatings Technology, Vol. 142-144 (2001), 526.
[5] D.B. Hash, D. Bose, M.V.V.S Rao, B.A. Cruden, M. Meyyappan, S.P. Sharma,
Journal of Applied Physics, Vol. 90 (2001), 2148.
[6] T. Kimura, K. Ohe, 2002, Journal of Applied Physics, Vol. 92 (2002), 1780.
[7] M.V.V.S. Rao, M. Meyyappan, S.P Sharma, Journal of the Electrochemical
Society, Vol. 149 (2002), 487.
[8] E. Meeks, R.S. Larson, P. Ho, C. Apblett, S.M Han, E. Edelberg, E.S. Aydil,
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films,
Vol. 16 (1998), 544.
[9] MJ. Kushner, Journal of Applied Physics, Vol. 63 (1988), 2532.
18
Phө lөc A. Bҧn vӁ chӃ tҥo mô hình thӵc nghiӋm
19
- Xem thêm -
.PDF 
26 
1 
110 
