Tài liệu PHÒNG THÍ NGHIỆM TRỌNG ĐIỂM QUỐC GIA VẬT LIỆU LINH KIỆN VÀ ĐIỆN TỬ

PHÒNG THÍ NGHIỆM TRỌNG ĐIỂM QUỐC GIA VẬT LIỆU LINH KIỆN VÀ ĐIỆN TỬ NATIONAL KEY LABORATORY FOR ELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES 1 Phòng thí nghiệm Trọng điểm Quốc gia về Vật liệu và Linh kiện Điện tử được xây dựng tại Viện Khoa học Vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam. PTNTĐ được chia thành hai khu công nghệ chính: 1. Khu công nghệ chế tạo và đo đạc các tính chất đặc trưng của vật liệu và linh kiện điện tử 2. Khu công nghệ chế tạo vật liệu từ tiên tiến Khu công nghệ chế tạo và đo đạc các tính chất đặc trưng của vật liệu và linh kiện điện tử được xây dựng tại nhà A2 - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam với tổng diện tích khoảng 800 m2, được bố trí thành các khu chức năng sau: - Khu công nghệ chế tạo vật liệu và linh kiện (Tầng 3, nhà A2): Có nhiệm vụ nghiên cứu công nghệ chế tạo các vật liệu (khối, màng, hạt nano) và linh kiện tiên tiến, có triển vọng trong kỹ thuật điện tử như: vật liệu thuỷ tinh pha đất hiếm, vật liệu quang tử, vật liệu laser rắn, công nghệ Si ở kích thước giới hạn, công nghệ vi cơ điện tử (MEMS/NEMS). PTNTĐ đã trang bị các thiết bị công nghệ chế tạo linh kiện, xây dựng phòng sạch cho phép thực hiện công nghệ quang khắc, hệ thống xử lý hoá, rung rửa siêu âm, thiết bị quay phủ, tạo nước khử iôn, v.v… Nhiều thiết bị đầu tay như đo độ pH, đo độ dẫn điện, hệ thống lò nung nhiệt độ cao, lò oxy hoá nhiệt, thiết bị chế tạo linh kiện trên quang sợi sử dụng laser, hàn chíp sử dụng laser, v.v... đã được trang bị. - Khu phân tích cấu trúc và đo tính chất của vật liệu và linh kiện (Tầng 2, nhà A2): 2 Có chức năng phân tích cấu trúc, đo tính chất điện, từ, quang của vật liệu, linh kiện điện tử, quang điện tử. Có thể nói đây là điểm mạnh của PTNTĐ, Viện Khoa học Vật liệu. So với nhiều cơ sở nghiên cứu trong nước, hệ thống các thiết bị đo và phân tích cấu trúc của PTNTĐ là đồng bộ và hiện đại với nhiều thiết bị tiên tiến như: thiết bị hiển vi điện tử quét phân giải cao FESEM và phân tích thành phần EDX Hitachi S-4800 (phân giải 1.4 nm); thiết bị đo tính chất vật lý PPMS (Quantum Design) trong từ trường cao đến 7 Tesla, trong giải rộng nhiệt độ; thiết bị phân tích sử dụng tia X, thiết bị đo phổ tán xạ Raman; thiết bị quét đầu dò đa chức năng SPM; thiết bị phân tích phổ sợi quang; thiết bị đo phổ hấp thụ hồng ngoại; thiết bị đo quang phổ phân giải cao; độ nhạy cao; v.v... - Khu thiết kế chế tạo thử nghiệm và mô phỏng-mô hình hoá (Tầng 2, nhà A2): PTNTĐ đã xác lập khu thiết kế chế tạo thử và trang bị hệ thống máy tính cho mô phỏng, mô hình hoá chủ yếu là các hệ vật lý có cấu trúc nano và các hệ thấp chiều dựa trên các bán dẫn và vật liệu từ. - Khu công nghệ chân không, CVD (Tầng 1, nhà A2): Các thiết bị chân không như thiết bị phún xạ cathode chuyên dụng chế tạo các màng mỏng từ đa lớp; thiết bị chế tạo điện cực kim loại; thiết bị bốc bay bằng laser được bố trí ở tầng 1 nhà A2. Các thiết bị trên được bổ sung kết hợp với một số thiết bị chân không có từ trước của Viện KHVL như thiết bị bốc bay bằng chùm điện tử, thiết bị lắng đọng hoá học pha hơi MPCVD tạo vật liệu kim cương nhân tạo, vật liệu ống nanô các bon. 3 KHU THIẾT BỊ CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ EQUIPMENTS FOR FABRICATION OF ELECRONIC MATERIALS AND DEVICES 4 HỆ BAY HƠI CHÂN KHÔNG MINI SPUTTER Nơi đặt máy/Location P 312, Nhà A2 Cán bộ phụ trách/Administrator TS. Phan Ngọc Hồng/PGS. Vũ Đình Lãm ĐT: Email: [email protected] - Kích thước bia kim loại: f 50.8 mm - Diện tích vùng lắng đọng: f 40 mm - Độ đồng đều của màng: 10% - Dễ dàng thay bia kim loại I. GIỚI THIỆU Hệ Mini Sputter là thiết bị bay hơi chân không hiện đại được sử dụng để tạo điện cực, màng mỏng các vật liệu. Màng mỏng các vật liệu được lắng đọng bằng kỹ thuật phún xạ Katôt trong môi trường khí Ar. Bằng kỹ thuật này có thể chế tạo màng mỏng của hầu hết các vật liệu kim loại, các hợp chất. Màng mỏng nhận được bằng phương pháp phún xạ thường có độ sạch khá cao do không có tương tác của vật liệu với vật liệu thuyền như trong kỹ thuật bốc bay nhiệt. III. CÁC YÊU CẦU VỀ MẪU VÀ CÁC KHẢ NĂNG CỦA HỆ Yêu cầu về mẫu : - Kích thước mẫu tối đa có đường kính 40mm - Các đế sử dụng để tạo màng cần đảm bảo sạch, không có các thành phần nhả khí mạnh trong môi trường chân không - Vật liệu nguồn ở dạng đĩa kích thước: 50.8mm×5mm với các vật liệu không từ tính 50.8mm×2mm với các vật liệu từ tính Khả năng bốc bay : - Chiều dày của các lớp màng có thể đạt từ vài nano và cao nhất đạt dưới 1mm - Có thể tạo được màng mỏng của hầu hết kim loại hoặc một số các hợp chất. II. ĐẶC ĐIỂM CỦA THIẾT BỊ - Kích thước buồng chân không: f 312 mm, chiều cao 42 mm - Mức độ chân không tối đa 7x10-5 Pa (5.0 x10-7 torr) - Nguồn phát xạ RF 200W 5 THIẾT BỊ QUANG KHẮC URE - 2000S LITHOGRAPHY EQUIPMENT URE-2000S Nơi đặt máy /Location P 308, nhà A2 Cán bộ phụ trách/Administrator TS. Phan Ngọc Hồng/PGS. Vũ Đình Lãm ĐT: Email: [email protected] I. HÃNG SẢN XUẤT I. MANUFACTURER Viện Quang học và Điện tử, Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Science II. CÁC THÔNG SỐ VÀ TÍNH NĂNG KỸ THUẬT II. TECHNICAL PARAMETERS AND SPECIFICATIONS Nguồn UV: đèn thuỷ ngân (bước sóng 365nm) Diện tích chiếu sáng: 110mm×110mm ~ 150mm×150mm Kích thước phiến: Nhỏ nhất: 8mm×8mm (f8mm) Lớn nhất:150mm×150mm (f15mm) Kích thước mask: 4, 5, 6 inch Độ đồng đều chiếu sáng: ±3.5% (110mm×110mm) ±5% (150mm×150mm) Độ phân giải: 0.8mm ~ 1.2mm Chiều dày màng cảm quang lớn nhất: 600mm Căn chỉnh định vị mặt dưới bằng CCD Light source: (i-line) mercury lamp (wave length 365 nm) Exposure areas: 110mm×110mm ~ 150mm×150mm Wafer size: - minimum: 8mm × 8mm (f8mm) - maximum: 150mm × 150mm (f15mm) Mask size:4, 5, 6 inch Illumination uniformity: ±3.5%(110mm×110mm) ±5%(150mm×150mm) Resolution: 0.8mm ~ 1.2mm Maximum film thickness of photoresist: (SU8): 600mm Aligning: bottom-sided alignment (BSA) III. KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG III. APPLICATION POSSIBILITY Thiết bị quang khắc URE 2000S UV có thể được dùng để chế tạo các linh kiện điện tử thông thường (chế tạo FET, mở lớp tiếp xúc để hàn dây,...), chế tạo các vi cấu trúc cho MEMS, chế tạo điện cực và bếp đốt linh kiện cảm biến, chế tạo mask. The lithography equipment - URE 2000S can be used for fabrication of electronic devices (such as a FET, openning contact for welding wire,...), the fabrication of MEMS devices, electrodes and microheater of the sensors and masks. 6 HỆ THIẾT BỊ TẠO MÀNG MỎNG BẰNG LASER PULSE LASER ABLATION DEPOSITION SYSTEM Nơi đặt máy /Location P 110 Nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator TS. Đỗ Hùng Mạnh ĐT: Email: [email protected] I. INTRODUCTION Pulse laser ablation deposition system (PLA) is made in by MECA 2000 (a French company). Its operation is following: Using a high energy laser to remove atoms of a target material from its surface and deposit them onto substrates. The system can fabricate monolayer thin films or multilayer thin films in size of nano-meter with of high uniform quality. This system is a suitable equipment for manufacturing the nano multi component and multilayer thin films. I. GIỚI THIỆU Hệ thiết bị tạo màng mỏng bằng laser xung do hãng MECA của Pháp sản xuất dùng để chế tạo màng mỏng dựa trên việc sử dụng chùm laser năng lượng cao phá vỡ lực liên kết của các nguyên tử trên mẫu vật liệu cần tạo màng, làm bay hơi tức thời và lắng đọng vật liệu lên đế. Hệ có khả năng chế tạo các màng mỏng đơn lớp hoặc đa lớp có độ đồng đều cao, điều khiển tốt độ dày màng mỏng và thích hợp cho việc chế tạo màng vật liệu đa lớp đa thành phần. II. MAIN FEATURES II. ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT · Vacuum base: 3x10-8 Torr. · Laser resource: Nd: YAG; Laser wave lenght: 1064nm, 532nm, 236nm. Power: 1.2J/Pulse. Maximum Frequency: 10Hz. · 8 target socket for easy fabrication multilayer thin film. · Connection and automatic control by computer. · Chuông chân không: 3x10-8 Torr (Meca 2000). · Nguồn laser rắn Nd:YAG (Quantel YG980), với 3 bước sóng laser: 1064nm, 532nm, 355nm. Công suất laser: 1.2J/xung. Tần số tối đa: 10xung/giây. · Hệ có thể gắn đồng thời 8 bia nên dễ dàng chế tạo được màng có cấu trúc đa lớp. · Hệ có khả năng ghép nối và điều khiển tự động bằng máy tính. 7 THIẾT BỊ LẮNG ĐỌNG PHA HƠI HOÁ HỌC PLASMA VI SÓNG MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MPCVD) ASTeX 5200 SYSTEM – SEKI TECHNOTRON Nơi đặt máy /Location P 111, nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator TS. Nguyễn Văn Chúc ĐT: Email: [email protected] I. GIỚI THIỆU I. INTRODUCTION MPCVD - ASTeX 5200 là thiết bị lắng đọng hơi pha hơi hóa học, dùng để chế tạo vật liệu kim cương dạng màng và dạng hạt. MPCVD-ASTeX 5200 is the equipment for deposition of diamond film onto substrates in the framework of advanced materials plasma processing. II. THÔNG SỐ KỸ THUẬT II. TECHNICAL PARAMETERS - Áp suất khi lắng đọng nằm trong dải từ 15 Torr đến 50 Torr. - Nhiệt độ đế thay đổi từ 650oC đến 1500oC. - Công suất plasma từ 500 W đến 1500 W. - Reposition pressure of 15 Torr to 50 Torr. - Substrate temperature: 650oC to 1500oC. - Plasma power: 500 W to 1500 W. III. EXPERIMENTAL REQUIREMENTS III. YÊU CẦU THỰC NGHIỆM - Đế: Các đế Si (silic) hoặc Mo (Môlípđen) với đường kính nhỏ hơn 2 inch cần được mài bằng bột kim cương trước khi CVD. - Khí: Độ sạch các khí H2, CH4, N2 cao (99,999%). Áp suất trong các bình khí luôn lớn hơn 5 MPa. - Substrates: Silicon (Si) or Molybdenum (Mo) with diameters below 2 inches should be polished by diamond powder before CVD. - Gases: the purity of H2, CH4 and N2 gases must be higher than 99.999 %. Pressure of gas tanks should be higher than 5 MPa. IV. KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG IV. APPLICATION CAPACITY Chế tạo cửa sổ quang học, cửa sổ tia X phiến tản nhiệt cho các vi mạch, các đầu dò SPM phủ kim cương trên các mũi nhọn kim loại và silic, bột kim cương nanô đơn tinh thể làm vật liệu phát xạ điện tử trường và phát xạ điện tử nhiệt trường,.... Fabrication of optical and X-ray windows, thermal dissipation material for high power electronics, diamond coated SPM probes, diamond on metal tips or silic, nano singlecrystal diamond powders for electron field and thermal field emission … 8 HỆ BAY HƠI CHAN KHONG DUNG CHUM TIA ĐIỆN TỬ YBH-74 ELECTRON BEAM DEPOSITION SYSTEM YBH-74 Nơi đặt máy /Location P 115, Nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator PGS. Phạm Duy Long, ĐT: 756433/1160, DĐ: 0902064909 Email: [email protected] I. GIỚI THIỆU I. INTRODUCTION Hệ bốc bay chân không chùm tia điện tử YBH-74 là thiết bay hơi chân không được sử dụng để tạo màng mỏng các vật liệu. Màng mỏng các vật liệu được lắng đọng bằng kỹ thuật hóa hơi các vật liệu trong môi trường chân không dưới tác dụng của chùm tia điện tử có năng lượng cao được hội tụ vào vật liệu nguồn. Bằng kỹ thuật này có thể chế tạo màng mỏng của hầu hết các vật liệu kim loại và một số các hợp chất. Electron beam deposition is one of the vaccum evaporation methods to get the materials thin films. In this method the source materials was evaporated and deposition under the activation of high energy electron beaam that was focused on it in a high vaccum medium to form thin films materials. By using this methods it can be fabricated the thin films of almost mettal and compound materials with high quality and purity. II. ĐẶC ĐIỂM CỦA THIẾT BỊ II. SPECIFICATIONS - Mức độ chân không đạt tối đa 5.0x10-5 torr - Hệ được trang bị 01 nguồn phát xạ điện tử với năng lượng khoảng 6.5 KeV - Diện tích vùng lắng đọng có đường kính khoảng 200 mm, độ đồng đều của màng đạt 20% tính từ tâm tới mép ngoài trong vùng lắng đọng - Chiều dày màng được xác định bằng thiết bị đo chiều dày bằng dao động thạch anh - Vaccum level: 5.0 x10-5 torr - 01 eletron gun with energy of about 6.5KeV - Deposition erea is 200 mm in diameter, the thickness unifomity of 10% from centre to edge in the deposition erea - The film thickness can be diterminded by using quartz micro balance system Advantages - The thickness of the thin films obtained is in range from few nanometre to 1 micrometer. - Almost of mettal and compound thin films can be obtaned. Khả năng bốc bay - Chiều dày của các lớp màng có thể đạt từ vài nano tới hơn 1mm - Có thể tạo được màng mỏng của hầu hết kim loại hoặc một số các hợp chất. 9 Thiết bị tạo màng mỏng bằng phương pháp phún xạ catốt MAGNETON SPUTTERING SYSTEM EDWARDS AUTO 306 Nơi đặt máy /Location P 110, Nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator TS. Nguyễn Trung Hiếu/PGS. Vũ Đình Lãm ĐT: Email: [email protected] I. INTRODUCTION Magneton Sputtering System Auto 306 made in England by Edwards Box Company. This system is used for fabrication of the metal, oxide and alloy nano thin films by sputtering method. The system can deposit the single thin film or multilayer thin films with large area and high uniform quality. The thickness of films is controlled insitu during the fabrication processing. I. GIỚI THIỆU Thiết bị phún xạ Edwards Auto 306 do hãng EDWARDS của Anh sản xuất, được sử dụng để chế tạo màng mỏng kích thước nanô mét dựa trên phương pháp phún xạ catốt. Hệ có khả năng chế tạo các màng mỏng đơn lớp hoặc đa lớp kim loại, hợp kim hoặc ôxit của chúng với diện tích lớn, độ đồng đều cao và điều khiển tốt độ dày màng mỏng ngay trong quá trình chế tạo. II. STANDARD SPECIFICATIONS: · Vacuum base: ~10-6 Torr. · 2 soures (DC and RF, 500W max) and 3 targets (one target for DC supttering and two targets for RF sputtering) · Co-sputtering from 2 target for manufacturing the alloy thin film, and reactive sputtering in a low-pressure oxygen gas for fabrication of the oxide thin film. · Subtrate heating up to 250 oC by a lamp. · Controlling the film thickness by a quaztmeter with 0.1 nm in accuracy. II. ĐẶC TÍNH · Chuông chân không: ~10-6 mBar. Hệ có 2 nguồn phún xạ: DC(400W) và RF(500W), có thể lắp đồng thời 3 bia (1 bia cho phún xạ DC, 2 bia cho phún xạ RF) · Hệ có thể phún xạ đồng thời từ 2 bia để tạo hợp kim và có thể phún xạ phản ứng trong môi trường Oxi để tạo ôxit. · Hệ có khả năng đốt đế tới 250oC và khống chế tốt độ dày màng bằng phương pháp dao động thạch anh (sai số 0.1 nm). III TARGET AND REQUIREMENT: III. YÊU CẦU VỀ VẬT LIỆU TẠO MÀNG VÀ ĐẾ SUBSTRATE · Target: 7.5mm diameter and 1-7mm in thickness. · Substrate: any materials with 20 cm maximum diameter. · Bia: dạng tròn đường kính 7.5 cm, chiều dày từ 1 - 7 mm. · Đế: Vật liệu tuỳ ý với kích thước có thể tới F 20 cm. · 10 THIẾT BỊ ĐIỆN HÓA AUTOLAB. PGS-30 ELECTROCHEMICAL SYSTEM: AUTOLAB. PGS-30 Nơi đặt máy/Location P 115, Nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator PGS. Phạm Duy Long, ĐT: 756433/1160 , DĐ: 0902064909, Email: [email protected] I. GIỚI THIỆU I. INTRODUCTION Autolab. PGS-30 là thiết bị điện hóa được ghép nối và điều khiển hoàn toàn tự động bằng máy tính. Các tính năng chính của thiết bị là: - Thực hiện các phép đo điện hóa nói chung - Nghiên cứu các quá trình mạ điện, lắng đọng điện hóa, ăn mòn điện hóa - Ngoài ra thiết bị được trang bị thêm 01 module (FRA) cho phép tiến hành các phép đo phổ tổng trở. Autolab PGS-30 and the general purpose electrochemical system software (GPES) provide a fully computer controlled electrochemical measurement system. It can be used for different purposes, i.e. - General electrochemical research - Research of electrochemical processes like plating, deposition and etching, electrochemical corrosion measurements - The system was equipted with a module (FRA) for impedance spectroscopy measurements. II. ĐẶC ĐIỂM CỦA THIẾT BỊ Các phép đo điện hóa được điều khiển hoàn toàn tự động thông qua phần mềm đi kèm theo thiết bị. Hệ làm việc với các CELL ba điện cực hoặc CELL hai điện cực. - Điện áp làm việc: ±10V (± 0.2%), độ phân giải thế đo min là 30 mV - Dòng làm việc: 10nA -1A ( ± 0.2 %), độ phân giải dòng đo min 0.0003% - Phổ tổng trở làm việc trong vùng tần số từ 1MHz đến 0.1mHz. Các phép đo phổ tổng trở có thể thực hiện với các thế áp đặt (bias) từ 0 ± 5V. Khả năng đo : · Các phép đo và phân tích điện hóa · Phổ điện thế quét vòng (CV), quét thế tuyến tính · Các phương pháp dòng không đổi (Amperometry), thế không đổi (Voltametry) · Phổ tổng trở xoay chiều II. SPECIFICATIONS Electrochemical measurements can be automatcally controlled by using computer software (GPECS).. System can be worked with too kinds of CELLs (3 electrodes cell anf 2 electrodes cell). - Potential range: ± 10 V (± 0.2%), measured potential resolution min 30 mV - Current range: 10 nA to 1 A (±0.2 %) and ±0.2% of current range, applied current resolution: 0.0003% - Impedance spectroscopy with frequecy range from 1 MHz to 0.1 mHz with bias potential in range of 0 ¸ ± 5 V. Measuring possibility · Voltammetric analysis · Cyclic and linear sweep voltametry · Chrono methods: · AC impedance spectroscopy 11 Hệ Thống Hàn điểm bằng LASER LASER WELDING SYSTEM Nơi đặt máy/Location P 115, Nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator TS. Trần Quốc Tiến, ĐT: Email: [email protected] I. INTRODUCTION I. GIỚI THIỆU Laser spot-welding system including laser welder WF30 (HansLaser, China), stereomicroscope STEMI 2000-C (Carl Zeiss, Germany) and six axis parrallelflexure stages NANOMAX-HS 17 MAX 600/L (Melles Griot, USA), 3 axes stages. The equipments are installed on the optical table to perform the system for optical coupling and packaging. Hệ thống hàn điểm bằng laser bao gồm máy hàn điểm laser LASER WELDER WF30 (HansLaser, Trung Quốc), kính hiển vi soi nổi STEMI 2000-C (Carl Zeiss, CHLB Đức) và hệ bàn vi chỉnh 6 chiều NANOMAX-HS 17 MAX 600/L (Melles Griot, Mỹ), các hệ bàn vi chỉnh 3 chiều. Các thiết bị trên được đặt trên bàn quang học làm thành một hệ thiết bị để ghép nối quang và đóng gói. II. MAIN TECHNICAL CHARACTERISTICS II. TÍNH NĂNG KỸ THUẬT Máy hàn điểm laser WF30 sử dụng laser Ne:YAG (l = 1,064mm) có ghép nối với sợi quang để thực hiện các mối hàn vi nhỏ các chi tiết kim loại. Đường kính vết hàn nhỏ nhất: 400mm Công suất lối ra trung bình tối đa: ³ 30W Công suất xung laser đơn tối đa: ³ 25J Công suất xung laser: 0,1 ¸ 2 J/ms Tần số xung : 1 ¸ 200Hz Độ rộng xung: 0,1 ¸ 50ms Công suất lối ra trên một sợi quang duy nhất: ³ 20 J Số sợi quang : 02 Laser Welder WF30 using Ne:YAG laser (l = 1.064 mm) coupled with the optical fibers for welding of micro and small metalic parts: Minimum welding spot diameter: 400mm Maximum average output power: ³ 30W Maximum single pulse output power: ³25 J Laser pulse power: 0.1 ¸ 2 J/ms Laser pulse frequency: 1 ¸ 200 Hz Laser pulse width: 0.1 ¸ 50 ms Single fiber output energy: ³ 20 J Number of fibers: 02 Cooling system: water (closed cycle) III. KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG - Optical coupling and packaging of the optical modules - Welding, fixing the small parts in the electronic, optoelectronic, mem, … devices III. APPLICATION CAPACITIES - Ghép nối quang và định vị các chi tiết của các loại module quang - Hàn, định vị các chi tiết trong các linh kiện điện tử, quang điện tử, vi cơ,... 12 HỆ THỐNG THIẾT BỊ CHẾ TẠO CÁCH TỬ BRAGG BRAGG GRATING WRITING SYSTEM Phòng đặt máy/Location P 311, nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator PGS. TS. Phạm Văn Hội ĐT: (04)8360586; DĐ: 0913078107 Email: [email protected] Cán bộ vận hành /Main Operator ThS. Phạm Thanh Bình ĐT: (04)8360586; DĐ: 0945621276 I. INTRODUCTION I. GIỚI THIỆU Hệ thống thiết bị chế tạo cách tử và màng dẫn sóng quang hoạt động theo nguyên tắc tạo ảnh giao thoa trên sợi quang hoặc màng. Được sử dụng để chế tạo: - Khắc cách tử trong sợi. - Chế tạo màng dẫn sóng quang. Principle of Bragg grating writing system based on the light interferometer on fiber or thin film. It is used for: - Bragg grating writing on fiber - Fabricate optical waveguide film II. FEATURES II. ĐẶC TÍNH CỦA HỆ THỐNG The ASX-750 Excimer laser has the wavelength of 248nm with the beam energy from 300mJ to 390mJ, beam size 22x8mm, pulse width 10ns, and repetition rate 5– 50 Hz Interferometer components consist of: - 1 phase mask with the grating period 560nm and 1 phase mask with the grating period 1060nm; 1 HR-Mirror (highreflective at 450 angle of incidence); 2 HRinterferometer mirrors (high-reflective at 620 - 780 angle of incidence). - Mechanical components: 2 precision rotation stages M-037.DG with a computer controlled travel angle of ±900; 1 precision linear stage M-405.DG with a travel range of ±25mm; 1 precision linear stage M-410.DG with a travel range of ±50mm; 1 goniometer stage for manual alignment of the phase mask; 2 fiber clamps for the mounting of the fiber. High-resolution Camera and CEM-09-11 display. Nguồn LASER EXCIMER KrF (ASX-750) phát xạ tại bước sóng 248nm, năng lượng chùm tia khoảng 300mJ đến 390mJ, kích thước chùm tia là 22x8mm, độ rộng xung 10 ns, tần số lặp lại 5 – 50 Hz Hệ giao thoa gồm: - 1 phase mask có chu kỳ 560nm và 1 phase mask có chu kỳ 1060nm; 1 gương có độ phản xạ cao (góc tới 450); 2 gương giao thoa có độ phản xạ cao tại góc tới 620 - 780. - Thiết bị cơ học: 2 đế điều chỉnh quay chính xác (M-037.DG) bằng máy tính với góc quay giới hạn ±900; 1 đế dịch chuyển tịnh tiến (M-405.DG) ±25mm; 1 đế dịch chuyển tịnh tiến (M-410.DG) ±50mm; 1 đế quay để điều chỉnh phase mask; 2 giá kẹp sợi quang. - Hệ Camera với độ phân giải cao và màn hình theo dõi (CEM-09-11) Chế tạo các loại cách tử trong vùng bước sóng 1500nm có độ rộng phổ ∆l<0.1nm, bước sóng cách tử có độ chính xác cao (đến 0.1nm), hệ số phản xạ cao. 13 HỆ THỐNG LO NUNG LINDBERG/BLUE M THREE-ZONE TUBE FURNACES Nơi đặt máy /Location P 309, Nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator KSC. Nguyễn Thị Thu Hà ĐT: 7564333 / ext 1137; DĐ: 0983545782 Email: [email protected] I. GIỚI THIỆU Hệ Lò nung Lindberg/Blue M Three-Zone Tube Furnaces với ống lò có nhiều loại kích thước (từ 3 inch đến 6 inch), với giải nhiệt độ cao đến 1100oC, cho phép nung, ủ các mẫu có kích thước tương đối lớn. Có thể điều khiển 3 vùng nhiệt độ trên ống lò, được kiểm soát bởi 3 cặp nhiệt loại K. Có thể đặt các mức tăng (hoặc giảm) và duy trì nhiệt độ theo thời gian bằng chương trình với tối đa 16 khoảng (bước). Điều khiển bằng tay hoặc bằng máy tính thông qua cổng ghép nối RS485 với phần mềm kèm theo của nhà cung cấp. I. INTRODUCTION AND FEATURES Three-zone tube furnaces feature three 16segment programmable controllers-one for each zone. Furnaces include K-type thermocouple (one per zone) and a set of tube adapters for the largest size tube the furnace will accept. The system can be manually operated or computerized by using an RS-485 communications port. II. SPECIFICATIONS Temp range: 200 to 1100oC Chamber size: Three zones: 9", 18", 9" accepts 3" to 6" OD process tubes Control type: Three, 16-segment Temp. uniformity: ± 1.0oC over 14" Temp. control accuracy: ± 3oC over 3-5/16" segment Overall dimensions: 54"W x 26"H x 22"D Power: AC 208/240V, 50/60 Hz, 11KW. II. ĐẶC TÍNH - Giải nhiệt độ làm việc: 200oC đến 1100oC - Kích thước ống lò: các loại ống lò đường kính ngoài từ 7.6cm đến 15.2cm - Vùng làm việc: 3 vùng, độ dài mỗi vùng tương ứng là 23cm, 45cm, 23cm - Điều khiển: 3 vùng lò, với tối đa 16 khoảng theo thời gian - Độ đồng đều nhiệt độ: ± 1.0oC trong mỗi vùng độ dài 35.5cm - Sai số nhiệt độ đặt: ± 3oC trong 3-5/16 khoảng đặt. - Nguồn nuôi: 208/240V, 50/60 Hz - Công suất 11KW. 14 LÒ NUNG CHÂN KHÔNG NHIỆT ĐỘ CAO HIGH TEMPERATURE VACUUM FURNACE GSL1600-80X Nơi đặt máy /Location P309, Nhà A2 Cán bộ phụ trách /Administrator TS. Huỳnh Thị Hà ĐT: 7914 134 Email: [email protected] I. INTRODUCTION I. GIỚI THIỆU CHUNG GSL1600-80X tubing furnace is a precision bench-top furnace using MoSi2 as heating elements. It is widely used for materials or chemical lab to sinter all types of new materials samples under vacuum or other gases condition. The temperature of GSL160-80X tubing furnace is controlled by high precision controller with accuracy ±1oC and 51 segments programmable up to 1600oC (2912 oF). GSL1600-80X là hệ lò nung ống đứng dùng thanh đốt MoSi. Thiết bị được dùng rộng rãi cho các phòng thí nghiệm vật liệu và hoá học để tổng hợp các vật liệu mới trong điều kiện chân không hoặc các loại khí khác. Nhiệt độ của lò được điều khiển bởi bộ điều khiển với độ chính xác ±10C và chương trình hoá 51 thanh ghi đến 16000C (29120F). II. ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT - Vật liệu ống lò: gốm Al2O3 siêu sạch - Kích thước ống: đường kính trong 70mm, đường kính ngoài 80mm, dài 1000mm - Nhiệt độ hoạt động tối đa: 16000C (29120F) - Nhiệt độ hoạt động thường xuyên: 15000C (2732 0F) - Tốc độ đốt tối đa: 100C/phút - Vùng nhiệt độ đồng đều: 150mm - Độ chính xác: ±10C - Điện áp : 1 pha, 220 V AC, 50/60 Hz - Công suất tối đa đầu ra: 5KW - Kích thước lò: 550 x 450 x 670 mm II. MAIN FEATURES - Tube materials: high purity Al2O3 ceramic - Tube mize: ID: 70mm; OD: 80mm in diameter x 1000 mm length - Max. working temperature: 1600oC (2912oF); - Normal working temperature: 1500oC (2732oF) - Max. heating rate: 10oC/min - Constant temperature zone (Hot zone): 150mm - Temperature accuracy: ±1oC - Input: single phase, 220V AC, 50/60 Hz - Output: max. 5KW - Dimension: 550 L x 450 W x 670 H mm ( 21.7" L x 17.7" W x 26.4" H ) 15 HỆ THỐNG TỦ HÚT THE ADSORBENT SYSTEM Nơi đặt máy /Location P312, P310/A2, Viện Khoa học Vật liệu. Cán bộ phụ trách /Administrator ThS. Vũ Đức Chính Địa chỉ liên hệ: P120/A2, ĐT: 75 64 333/1161, Email: [email protected]. I. Effectiveness: It is used for chemical treatment and process to adsorb toxic gas of chemical substances, protecting the user’s health. I. Tính năng kỹ thuật: Dùng cho các thí nghiệm hoá học tại phòng Hoá vật liệu, để hút các khí và hơi độc hại của các hoá chất sử dụng và các chất tạo ra trong suốt quá trình phản ứng nhằm bảo vệ sức khoẻ của những người tiến hành thí nghiệm. II. The system includes 3 adsorbent boxes with the size 1,2m x 0,75m x 1,3m; 3 faces of them (opposite face and 2 sides) are fitted by glass and mica to observe easily the reactions. The bottom is fitted by brick standing acid. Gas output flow: 1600 m3/giờ II. Hệ thống tủ hút phòng bao gồm 3 tủ hút kích thước 1,2m x 0,75m x 1,3m, có 3 mặt (mặt trước và 2 mặt bên) được lắp kính và mica để người tiến hành thí nghiệm dễ dàng quan sát những diễn biến của phản ứng xảy ra trong tủ hút. Mặt dưới của tủ hút được lát gạch chịu axit. Lưu lượng khí hút ra 1600 m3/giờ 16 CỤM CÁC THIẾT BỊ NHỎ OTHER TOOLS Cán bộ phụ trách /Administrator PGS. Vũ Đình Lãm ĐT: Email: Cán bộ vận hành /Main Operator Ứng Thị Diệu Thuý ĐT:7564333/1153 Email: [email protected] Vũ Đức Chính ĐT: 7564333/1161 Email: [email protected] DANH MỤC CÁC THIẾT BỊ Các thiết bị thí nghiệm: - Hệ nước cất 1 lần. - Hệ cất quay chân không (5mbar, 180oC). - Các máy khuấy từ gia nhiệt (370oC, 1100 vòng/phút). - Máy khuấy từ 5 vị trí, 120oC, 1100 vòng/phút. - Máy ly tâm 18000 vòng/ phút (Hettich zentrifugen – EBA 21) - Tủ sấy chân không 220oC/10-1Torr - Bình ổn nhiệt 25-100oC - Bơm dung dịch - Máy quay phủ (Spincoater) - Máy rung rửa siêu âm (Ultrasonic Cleaners) Các thiết bị phân tích nhanh: - Cân phân tích (Precisa XT220A) - May đo pH để bàn (InoLab pH 730) - Máy đo độ dẫn cầm tay (COND 330i / COND340i) - Máy đo độ nhớt - Kính hiển vi quang học (ML7520 optical microscopy) 17