Tài liệu Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm – điện – từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử).

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI BÁO CÁO TỔNG KẾT KẾT QUẢ THỰC HIỆN ĐỀ TÀI KH&CN CẤP ĐẠI HỌC QUỐC GIA Tên đề tài: Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử). Mã số đề tài: QGTĐ . 12.01 Chủ nhiệm đề tài: GS.TS. NguyÔn Quang B¸u Hà Nội , tháng 10 năm 2014 PHẦN I. THÔNG TIN CHUNG 1.1. Tên đề tài : : Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử). 1.2. Mã số: QGTĐ. 12.01 1.3. Danh sách chủ trì , thành viên tham gia thực hiện đề tài/dự án TT Chức danh, học vị, họ và tên Đơn vị công tác Vai trò thực hiện đề tài 1 GS.TS.Nguyễn Quang Báu ĐHKHTN Chủ trì Đề tài 2 PGS.TS.Nguyễn Vũ Nhân Học Viện PKKQ Thư ký,ủy viên 3 Th.S. Nguyễn Thị Thanh Nhàn ĐHKHTN Ủy viên 4 Th.S.-NCS. Nguyễn Đình Nam ĐHKHTN Ủy viên 5 TS.Hoàng Đình Triển ĐHKHTN Ủy viên 6 NCS.Nguyễn Văn Hiếu ĐHKHTN Ủy viên 7 NCS. Lê Thái Hưng ĐHKHTN Ủy viên 8 NCS. Nguyễn Văn Nghĩa ĐHKHTN Ủy viên 1.4. Đơn vị chủ trì: Trường Đại Học Khoa học Tự nhiên , ĐHQGHN Điện thoại: ...04.8584069 Fax: .84.4.8583061 E-mail: Website: Địa chỉ: ...334 Nguyễn Trãi ,Thanh Xuân, Hà Nội Tên tổ chức chủ quản đề tài: ĐHQGHN. 1.5. Thời gian thực hiện: 1.5.1 Theo hợp đồng: 24 tháng ,từ 05 tháng 10 năm 2012 đến 05 tháng 10 năm 2014 1.5.2 Gia hạn (nếu có): đến tháng….. năm….. 1.5.3 Thực hiện thực tế:24 tháng ,từ 05 tháng 10 năm 2012 đến 05 tháng 10 năm 2014 1.6. Sản phẩm đã đăng ký: 1 1.6.1. Sản phẩm khoa học công nghệ: 14 công trình công bố (02 bài báo trong Tạp chí Quốc tế có ISI , 06 bài báo trong Tạp chí Quốc gia , 02 báo cáo khoa học ở Hội nghị KH Quốc tế , 04 báo cáo khoa học ở Hội nghị KH Quốc gia). 1.6.2 . Sản phẩm đào tạo: Góp phần đào tạo 03 NCS bảo vệ luận án TS , 05 Th.S. bảo vệ (ngoài ra còn góp phần đào tạo 05 cử nhân Vật lý ). 1.6.3. Các sản phẩm khác: 1.7.Những thay đổi so với thuyết minh ban đầu (nếu có) (Về mục tiêu, nội dung, phương pháp, kết quả nghiên cứu và tổ chức thực hiện; Nguyên nhân;Ý kiến của Cơ quan quản lý ) 1.8. Tổng kinh phí được phê duyệt của đề tài, dự án: 350 triệu đồng. PHẦN II. TỔNG QUAN KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử). Investigation of the Quantum Theory of the Acoustomagnetoelectric effects in Semiconductor One- dimensional and Two-dimenional systems (Supperlattices, quantum wells, quantum wires). (Đề tài QGTĐ . 12.01 , Chủ trì : GS.TS. Nguyễn Quang Báu) 1. ĐẶT VẤN ĐỀ Khởi đầu từ những thành công rực rỡ của vật liệu bán dẫn vào những thập niên 50-60 của thế kỷ trước, đặc biệt tìm ra dị cấu trúc bán dẫn (semiconductor heterostructure) vào thập kỷ 70 đã tạo tiền đề cho việc chế tạo hầu hết các thiết bị quang điện tử ngày nay. Tầm quan trọng của các thiết bị được chế tạo trên cơ sở vật liệu dị cấu trúc của bán dẫn này được công nhận bởi giải thưởng Nobel vật lý năm 2000 do công trình nghiên cứu cơ bản về công nghệ thông tin và truyền thông. Các dị cấu trúc bán dẫn là cơ sở để tạo ra bán dẫn thấp chiều. Cấu trúc thấp chiều là cấu trúc mà trong đó các hạt mang điện không được chuyển động tự do trong cả ba chiều mà bị giam giữ. Chúng bao gồm: cấu trúc hai chiều (2D), trong đó các hạt mang điện chuyển động tự do theo hai chiều; cấu trúc một chiều (1D), trong đó hạt mang điện chuyển động tự do theo một chiều và hệ không chiều (0D) với sự giam giữ hạt mang điện theo cả ba chiều. Cấu trúc hệ thấp chiều trong những thập niên gần đây được nhiều nhà vật lý quan tâm bởi những đặc tính mới ưu việt mà cấu trúc 3 chiều (3D) không có được. Việc chuyển từ hệ 3D sang hệ thấp chiều đã làm thay đổi đáng kể cả về mặt định tính lẫn định lượng nhiều tính chất vật lý. Các vật liệu mới với cấu trúc bán dẫn thấp chiều nói trên đã giúp cho việc tạo ra các linh kiện, thiết bị dựa trên nguyên tắc hoàn toàn mới và công nghệ hiện đại có tính chất cách mạng trong khoa học kỹ thuật. Đó là lý do tại sao các cấu trúc trên được nhiều nhà vật lý quan tâm nghiên cứu. Khi một sóng âm truyền dọc theo một vật dẫn có các electron dẫn thì do sự truyền năng xung lượng từ sóng âm cho các điện tử dẫn làm xuất hiện một hiệu ứng gọi là hiệu ứng âm điện, nếu mạch kín thì tạo ra dòng âm điện còn mạch hở thì tạo ra trường âm điện. Tuy nhiên khi có mặt của từ trường ngoài theo phương vuông góc với chiều truyền sóng âm thì nó gây ra một hiệu 2 ứng khác gọi là hiệu ứng âm điện từ, lúc này có một dòng xuất hiện theo phương vuông góc với phương truyền sóng âm và từ trường ngoài gọi là dòng âm điện từ, nếu mạch hở thì xuất hiện trường âm điện từ.Trên phương diện lý thuyết, hiệu ứng âm điện và âm điện từ trong bán dẫn khối được xem xét dưới hai quan điểm khác nhau. Trên quan điểm lý thuyết cổ điển, bài toán này đã được giải quyết chủ yếu dựa trên việc giải phương trình động cổ điển Boltzmann xem sóng âm giống như lực tác dụng. Trên quan điểm lý thuyết lượng tử, bài toán liên quan đến hiệu ứng âm điện phi tuyến và âm điện từ đã được giải quyết bằng phương pháp lý thuyết hàm Green trong bán dẫn khối, phương pháp phương trình động lượng tử trong bán dẫn khối với việc xem sóng âm như một dòng phonon âm. Bên cạnh đó với sự phát triển mạnh mẽ của khoa học công nghệ thì các hiệu ứng âm điện và âm điện từ đã đo được bằng thực nghiệm trong siêu mạng, hố lượng tử, ống nano cacbon. Tuy nhiên, hiện nay chưa có một giải thích thỏa đáng, và chưa có một lý thuyết hoàn chỉnh cho các kết quả thực nghiệm về hiệu ứng âm điện và âm điện từ trong hệ bán dẫn thấp chiều trên. Như vậy, về mặt lý thuyết bài toán liên quan đến hiệu ứng âm điện phi tuyến và âm điện từ trong hệ bán dẫn thấp chiều nói chung và trong hệ bán dẫn một chiều và hai chiều nói riêng (gồm siêu mạng , hố lượng tử ,dây lượng tử) chưa từng được thực hiện cả trong nước và trên thế giới, và vẫn là bài toán lớn, còn bỏ ngỏ. Vì vậy, đề tài lựa chọn tiêu đề “Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều(siêu mạng , hố lượng tử ,dây lượng tử) ” và tập trung giải quyết bài toán còn bỏ ngỏ nói trên bằng phương pháp phương trình động lượng tử có kết hợp với phương pháp tính số bằng phần mềm tính số Matlab. Các kết quả chính thu được trong Đề tài được trình bày trong các mục 2, mục 3, mục 4, mục 5, mục 6, ở dưới và được so sánh với kết quả đã được nghiên cứu trong bán dẫn khối cho thấy sự khác biệt cả định tính lẫn định lượng[1-19]. 2. HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN PHI TUYẾN TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VỚI HỐ THẾ CAO VÔ HẠN 2.1 Toán tử Hamiltonian của hệ điện tử-phonon trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn Sử dụng công thức phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử khi không có từ trường, toán tử Hamiltonian của hệ điện tử- phonon âm trong hố lượng tử (2.1) H  H 0  H e ph , trong đó H 0 là năng lượng của các điện tử và phonon không tương tác  H 0    n ( p )an, p an, p    b b ,  k k k n, p (2.2) k Và H e  ph là Hamiltonian tương tác điện tử phonon H e ph    '   n , n , p , q  Dk I n,n'   n , n' , p ,k    CqU n,n' (q )an, p   q an ', p  bq exp iq t   (k z )an, p  a  n ', p   k (bk  bk ), (2.3) 2.2 Phương trình động lượng tử cho điện tử giam cầm trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn Để tính toán được dòng âm điện trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn trước hết chúng tôi thiết lập phương trình động lượng tử cho điện tử giam cầm trong hố lượng tử: f n, p  an, p an, p t 3 i( f n, p t )ac  i  an, p an, p (2.4)  an, p an, p , H  . t t t 2.3 Biểu thức dòng âm điện phi tuyến trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn. Dòng âm điện dọc theo chiều truyền sóng âm có dạng sau j ac   n  2e   f dp , 2  p 1 (2 ) (2.5) ở đây  p là vận tốc của điện tử cho bởi công thức  p  âm điện trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn. 2  2 n2 ac j  A1  U n,n ' exp( n,n ' ở đây A1  B  (1  C  a  c (2 ) 2 e 2 cl4q2 0cs 2 2mL kBT exp(  kBT  n , p  . Chúng tôi thu được dòng p )( B  B )  A2  I n,n ' exp( 2 n,n ' ); A2   2 n2 2mL2 k BT )(C  C ), (2.6) e 2 (2mkBT  )1/2  exp( ), (2 )3 0cs mq k BT m n,n ' m(k  q ) D2 D2 ) exp( ); D  q / 2   , mkBT 2mkBT q q (m n,n '  k )2  1/2 exp[  2(b c)1/2 ] 4c3/2 mkBT   n,n '  k m n,n '  mk exp(  n,n '  k 2kBT  [2c  2a (b c)1/2  a ]  ); b  (m n,n '  mk )2 2mkBT b K5/2 [2(b c)1/2 ] , 4c , 1 2 ;  n,n '  (n2  n '2 ). 8mkBT 2mL2 Với kB là hằng số Boltzmann, μ là thế hóa học, Kn(x) hàm Bessel bậc hai. 2.4 Kết quả tính số Sử dụng phần mềm Matlab tính số cho hố lượng tử được chọn là AlGaAs/GaAs/AlGaAs và cho các kết quả trong các Hình 2.1 , Hình 2.2 , Hình 2.3 , Hình 2.4 . Hình 2.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào nhiệt độ và năng lượng Fermi với q=3×1011s-1 Hình 2.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá tri khác nhau của độ rộng hố lượng tử, với L=30nm (đường liền nét), L=31nm (đường chấm), L=32nm 4 (đường nét đứt). Hình 2.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào kích thức hố lượng tử tại những giá trị khác nhau của tần số sóng âm, với q  32 1010 (s 1 ) (đường Hình 2.4: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào kích thức hố lượng tử tại những giá trị khác nhau của nhiệt độ, với T=45K (đường liền nét), T=50K (đường chấm), T=55K (đường nét đứt). Ở tần số liền nét), q  311010 (s 1 ) (đường chấm), q  1011 (s 1 ) q  30 10 (s ) (đường nét đứt). Ở nhiệt độ T=50K, 1 10  F  0.038eV 3.HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN PHI TUYẾN TRONG SIÊU MẠNG PHA TẠP 3.1 Biểu thức dòng âm điện phi tuyến trong siêu mạng pha tạp. Thực hiện những tính toán tương tự như trong phần 2, nhưng cho siêu mạng pha tạp chúng tôi thu được dòng âm điện trong siêu mạng pha tạp. j ac  A1  U n,n ' exp[  2 n,n '  A2  I n,n ' exp[  2 n,n ' (n  1/ 2) 4 e2 nD 1/2 ( ) ]( B  B )  kBT 0m (3.1) (n  1/ 2) 4 e2 nD 1/2 ( ) ](C  C ), kBT 0m ở đây A1  (2 ) 2 e 2 cl4q2 0cs B  (1  C  a  exp(  kBT e 2 (2mkBT  )1/2  exp( ), (2 )3 0cs mq k BT ); A2  m n,n ' m(k  q ) D2 D2 ) exp( ); D  q / 2   , mkBT 2mkBT q q (m n,n '  k )2  1/2 exp[  2(b c)1/2 ] 4c3/2 mk BT   n ,n '  k m n ,n '  mk exp(  n ,n '  k 2k BT  [2c  2a (b c)1/2  a ]  ); b  (m n ,n '  mk )2 2mK BT  c , 2 2 4 e2 nD 1/2 1 ;  n,n '  ( ) (n  n '); I n,n '   I n ,n ' (k z ) dz. 8mk BT 0m  5 b K5/2 [2(b c)1/2 ] , 4c 3.2 Kết quả tính số Các tính toán số được thực hiện cho siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be và cho các kết quả trong các Hình 3.1, Hình 3.2, Hình 3.3, Hình 3.4. Hình 3.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá trị khác nhau của nhiệt độ, với T=45K (đường liền nét), T=50K (đường chấm), T=55K (đường nét đứt). Ở đây nD=1×1023m-3 Hình 3.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá trị khác nhau của nồng độ pha tạp, với n D=1×1023m-3 (đường liền nét), nD=1.2×1023m-3 (đường chấm), nD=1.4×1023m-3 (đường nét đứt). Ở đây T=50K Current Density [arb. units] 12 10 8 6 4 2 0 0 2 4 6 23 độ Hình 3.4: Đồ thị biểu diễnn sự thuộc của xmật [m-3phụ ] 10 dòng âm điện vào nồng độ Dpha tạp tại những giá trị khác nhau của tần số sóng âm, với q  11011 (s 1 ) (đường liền nét), q  1.2 1011 (s 1 ) (đường chấm), Hình 3.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào nhiệt độ và năng lượng Fermi với q=3×1011s-1, nD=1023(m-3). q  1.4 1011 (s 1 ) (đường nét đứt). Ở đây T=50K. 4. HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN TỪ LƯỢNG TỬ TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VỚI HỐ THẾ PARABOL 4.1. Biểu thức trường âm điện từ lượng tử trong hố lượng tử với hố thế parabol. Bằng phương pháp phương trình động lượng tử chúng tôi thu được biểu thức giải tích trường âm điện từ lượng tử trong hố lượng tử với thế parabol: 6 E AME  1     1  2  Ci 2    Si    e mk BT   c 0   c 0   c 0 A 2    1   2 0 ( N  1/ 2) 1     2  4 02 ( N  1/ 2) 2  2  ci 2   si 1   2       ( k BT ) 2 k BT   c 0       c 0  (4.1)   1   1   2   2  2  1  1     2   2Si   Ci   cos    sin    Si    Ci        c 0   c 0   c 0   c 0    c 0   c 0     1 4.2. Kết quả tính số . 3 x 10 -6 Acoustomagnetoelectric Field (V/m) Acoustomagnetoelectric Field (V/m) Các tính toán số được thực hiện cho hố lượng tử AlAs/GaAs/AlAs và cho các kết quả trong các Hình 4.1, Hình 4.2, Hình 4.3, Hình 4.4: 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0.5 1 1.5 2  q(s-1) x 10 1.5 1 0.5 0 0.5 -3 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 2 2.2 2.4 2.6 B(T) 2.8 3 1 1.5 2 x 10 10 Hình 4.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá tri khác nhau nhiệt độ, với T=220K (đường liền nét), T=250K (đường chấm), T=280K (đường nét đứt). Ở đây B  0.08(T ) . 3.5 0 -6 q(s-1) Acoustomagnetoelectric field (V/m) Acoustomagnetoelectric field (V/m) x 10 x 10 10 Hình 4.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá tri khác nhau của từ trường ngoài, với B  0.06(T ) (đường liền nét), B  0.07(T ) (đường chấm), B  0.08(T ) (đường nét đứt). Ở đây T=270K 4 2 x 10 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 1 3.2 -4 1.5 2 B(T) 2.5 3 Hình 4.4: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường mạnh, nhiệt độ thấp, trong giới hạn 0  0 . Hình 4.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường mạnh, nhiệt độ thấp, với T=3K (đường liền nét), T=4K (đường chấm), T=5K (đường nét đứt). Ở đây q  1.5 1010 ( s 1 ) . Với T=3K (đường liền nét), T=4K (đường chấm), T=5K (đường nét đứt). Ở đây q  1.5 1010 (s 1 ) . 5. HIỆU ỨNG ÂM – ĐIỆN LƯỢNG TỬ PHI TUYẾN TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH CHỮ NHẬT VỚI HỐ THẾ CAO VÔ HẠN 7 5.1. Biểu thức giải tích cho dòng âm – điện lượng tử phi tuyến Bằng phương pháp phương trình động lượng tử chúng tôi thu được biểu thức giải tích cho dòng âm – điện trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn như sau : 2 j 4e  m 2 k B T (2 )  v s  q 2 6 I n ',l ' 2 n ,l D1 exp   F  B  n ,l , n ',l ' 2 32e  vl4 q2W  m      6 FabL2 v s   3/ 2 2      B   2 L q 2   q D exp  2  F vl2 n ,l , n ',l '      (5.1) với D1  e 1 e  2 2 2 5    2  3  2  3  2  6  1 K1 (1 )  3  1 K 2 (1 )  8  1 K 3 (1 ) 1 K 0 (1 )  3            2 2 5    2  3  2  3  2  6   2 K1 ( 2 )  3   2 K 2 ( 2 )  8   2 K 3 ( 2 )  2 K 0 ( 2 )  3              D2  e  1 15 / 2  K 5 ( 1 )  3K 3 ( 1 )  3K 1 ( 1 )  K 1 ( 1 )   2 2 2  2     e   2  25 / 2  K 5 (  2 )  3K 3 (  2 )  3K 1 (  2 )  K 1 (  2 )  2 2 2  2   k ;  k   2  2  1   n ',l ',n,l  q  ;  2   n ',l ',n,l  q  ; 1  1  2 2 2 2 1 .  2 2 2 2  2 2 2 2 ;  2  2  n 2 l 2  ;   n ',l ',n,l  n '  n  l '  l B   2 2 2 2   k BT 2m  L x L y  2mLx 2mLy     ở đây kB là hằng số Boltzmann, T là nhiệt độ của hệ, εF là năng lượng Fermi và Kn(x) là hàm Bessel loại hai. 5.2.Kết quả tính số . Các tính toán số được thực hiện cho dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn GaAs/GaAsAl. Acoustoelectric current (arb.units) 1 x 10 -20 T=200K T=220K T=270K 0.8 0.6 0.4 0.2 0 2 3 4 5 6 The length of the wire L (m) 7 8 9 x 10 -9 Hình 5.2. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào kích thước (Lx,Ly) của dây lượng tử (với n=0,±1, n’=0,±1, l=1, l’=1). Hình 5.1. Sự phụ thuộc của dòng âm điện vào chiều dài của dây lượng tử (với n=0,±1, n’=0,±1, l=1, l’=1). 8 x 10 -19 8 Acoustoelectric current (arb.units) Acoustoelectric current (arb.units) 12 omegaq.T=200K omegaq T=250K omegaq T=300K 10 8 6 4 2 0 -2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 Acoustic wave number wq (s-1) 3 -15 omegaq.L=60(nm) omegaq.L=65(nm) omegaq.L=73(nm) 6 4 2 0 -2 0 3.5 x 10 x 10 0.5 1 11 Hình 5.3. Sự phụ thuộc của dòng âm – điện vào tần số sóng âm khi nhiệt độ của hệ thay đổi (với n=0,±1, n’=0,±1, l=1, l’=1). 1.5 2 2.5 3 Acoustic wave number wq (s-1) 3.5 4 x 10 11 Hình 5.4. Sự phụ thuộc của dòng âm–điện vào tần số sóng âm khi chiều dài dây lượng tử thay đổi (với n=0,±1, n’=0,±1, l=1, l’=1). 6. HIỆU ỨNG ÂM – ĐIỆN LƯỢNG TỬ PHI TUYẾN TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH TRỤ VỚI HỐ THẾ CAO VÔ HẠN 6.1. Biểu thức giải tích cho dòng âm – điện lượng tử phi tuyến Bằng phương pháp phương trình động lượng tử chúng tôi thu được biểu thức giải tích cho dòng âm – điện trong dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn như sau: 2 j e  f 0 3 2   2 2   2m   F Bn,l    I nn,',l l ' exp     e 5 2   vs mq    n ,l ,n ',l '  2m     3e   2m 3     K3 (  )  3K 2 (  )  3K1 (  )  K 0 (  )       2m 3      3e  K (  )  3 K (  )  3 K (  )  K (  ) 2  1  0    3       (6.1) 2  e  vl4q2 f 0W  2  4m    6  FSvs    3/2 2   2 2  e  F  U nn,',l l ' exp   Bn,l   n ,l ,n ',l '  2m      e    5/2  K 5 (   )  3K 3 (   )  3K 1 (   )  K 1 (   )    2 2 2  2      e    5/2  K 5 (   )  3K 3 (   )  3K 1 (   )  K 1 (   )    2 2 2  2   ở đây 2   2m  ( Bn2',l '  Bn2,l )   ;  m  q 2   2 R       6.2. Kết quả tính số 9 k 2 , Các tính toán số được thực hiện cho dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn GaAs/AlAs. Hình 6.1. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào nhiệt độ T của hệ ứng với các giá trị số sóng khác nhau. Hình 6.2. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào bán kính ứng với các giá trị nhiệt độ khác nhau. Hình 6.3. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào bán kính ứng với các giá trị số sóng q khác nhau. Hình 6.4. Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào chiều dài dây dẫn ứng với giá trị nhiệt độ khác nhau. 7. KẾT LUẬN 1. Lần đầu tiên bằng phương pháp phương trình động lượng tử cho điện tử trong hố lượng tử (với hố thế cao vô hạn và hố thế parabol) và siêu mạng cho cả trường hợp không có từ trường ngoài và có từ trường ngoài , thu được các biểu thức giải tích của dòng âm điện trong hố lượng tử với thế cao vô hạn, siêu mạng pha tạp, biểu thức giải tích trường âm điện từ trong hố lượng tử với thế parabol và biểu thức giải tích dòng âm điện khi có mặt sóng điện từ ngoài trong hố lượng tử với thế cao vô hạn. Các kết quả cho thấy rằng sự lượng tử hóa do giảm kích thước trong hố lượng tử và siêu mạng ảnh hưởng rất mạnh lên mật độ dòng âm điện cũng như trường âm điện từ. Sự phụ của mật độ dòng âm điện và trường âm điện từ vào các tham số như nhiệt độ T của hệ, tần số sóng âm, từ trường ngoài và các tham số cấu trúc của hố lượng tử và siêu mạng có nhiều sự khác biệt so với bài toán tương tự trong bán dẫn khối. Trong điều kiện giới hạn chuyển từ hố lượng tử về bán dẫn khối thì kết quả thu được phù hợp với kết quả trong bán dẫn khối. Các kết quả thu được chỉ ra rằng các hiệu ứng xuất hiện các đỉnh cực đại là do sự dịch chuyển năng lượng giữa các mini vùng (dịch chuyển ngoại vùng) còn dịch chuyển nội vùng 10 không gây ra hiệu ứng, đồng thời hiệu ứng xuất hiện ngay cả khi thời gian phục hồi xung lượng xấp xỉ là hằng số. Đặc biệt kết quả thu được giải thích được kết quả thực nghiệm. Trong trường hợp có từ trường ngoài, kết quả thu được cho thấy sự phụ thuộc của hiệu ứng vào từ trường rất mạnh, trong miền từ trường yếu nhiệt độ cao thì kết quả thu được giống với kết quả thu được khi sử dụng phương pháp phương trình động Boltzmann, còn trong miền từ trường mạnh và nhiệt độ thấp thì xuất hiện nhiều giá trị cực đại thể hiện ảnh hưởng của sự lượng tử hóa mức Landau từ. Kết quả tính toán số trong trường hợp có sóng điện từ bên ngoài cho thấy sóng điện từ ảnh hưởng rất mạnh cả về định tính lẫn định lượng lên mật độ dòng âm điện, các đỉnh cực đại không những thay đổi về độ lớn mà vị trí đỉnh dịch chuyển khi thay đổi tần số sóng điện từ ngoài. 2. . Trªn c¬ së ph-¬ng ph¸p ph-¬ng tr×nh ®éng l-îng tö vµ xuÊt ph¸t tõ Halmiltonian cña hÖ ®iÖn tö-phonon ©m trong d©y l-îng tö h×nh trô víi hè thÕ cao v« h¹n, trong d©y l-îng tö h×nh ch÷ nhËt víi hè thÕ cao v« h¹n , tr-êng hîp t¸n x¹ ®iÖn tö-phonon ©m ®-îc coi lµ tréi , lần đầu tiên ®· nhËn ®-îc biÓu thøc gi¶i tÝch cña dßng ©m-®iÖn trong d©y l-îng tö h×nh trô víi hè thÕ cao v« h¹n, trong d©y l-îng tö h×nh ch÷ nhËt víi hè thÕ cao v« h¹n kÓ trªn . Dßng ©m-®iÖn trong d©y l-îng tö h×nh ch÷ nhËt và dây lượng tử hình trụ víi hè thÕ cao v« h¹n xuÊt hiÖn kh«ng nh÷ng phô thuéc phi tuyÕn vµo c¸c th«ng sè ®Æc tr-ng cña d©y l-îng tö nh- chiÒu dµi d©y L, kÝch th-íc hè thÕ (Lx vµ Ly) (đối với dây lượng tử chữ nhật) , b¸n kÝnh d©y R (đối với dây lượng tử trụ) mµ cßn phô thuéc phi tuyÕn m¹nh vµo nhiÖt ®é T cña hÖ, sè sãng q vµ tÇn sè sãng ©m ngoµi. BiÓu thøc gi¶i tÝch cña dßng ©m-®iÖn phi tuyÕn nhËn ®-îc trong d©y l-îng tö h×nh ch÷ nhËt víi hè thÕ vu«ng gãc cao v« h¹n ®-îc tÝnh sè vµ vÏ ®å thÞ víi d©y l-îng tö h×nh ch÷ nhËt ®iÓn h×nh GaAs/GaAsAl. KÕt qu¶ tÝnh sè vµ vÏ ®å thÞ cho thÊy dßng ©m-®iÖn phô thuéc m¹nh vµ phi tuyÕn vµo nhiÖt ®é T cña hÖ, sè sãng q, tÇn sè sãng ©m, kÝch th-íc cña d©y l-îng tö. KÕt qu¶ kh¶o s¸t sù phô thuéc cña dßng ©m-®iÖn vµo kÝch th-íc cña d©y l-îng tö (kÝch th-íc cña hè thÕ) cho thÊy dßng ©m-®iÖn phô thuéc phøc t¹p vµo kÝch th-íc hè thÕ (Lx vµ Ly) cña d©y l-îng tö h×nh ch÷ nhËt. C-êng ®é dßng ©m-®iÖn gi¶m phi tuyÕn theo chiÒu t¨ng cña kÝch th-íc hè thÕ. KÕt qu¶ kh¶o s¸t sù phô thuéc cña dßng ©m-®iÖn vµo tÇn sè sãng ©m ngoµi cho thÊy dßng ©m-®iÖn còng phô thuéc m¹nh vµ phi tuyÕn vµo tÇn sè sãng ©m q vµ ®¹t gi¸ trÞ cùc ®¹i khi tÇn sè sãng ©m cã gi¸ trÞ q  k   n,l ,n',l ' hoÆc q  k   n,l ,n',l ' (n  n’). Khi nhiÖt ®é T cña hÖ thay ®æi, c¸c ®Ønh cùc ®¹i nµy kh«ng dÞch chuyÓn, nguyªn nh©n lµ do q  k   n,l ,n ',l ' kh«ng phô thuéc vµo nhiÖt ®é.Víi d©y l-îng tö cã kÝch th-íc lín, dßng ©m-®iÖn ®¹t gi¸ trÞ cùc ®¹i khi tÇn sè sãng ©m kÝch thÝch nhá vµ ng-îc l¹i. KÕt qu¶ lý thuyÕt nhËn ®-îc cho hiÖu øng ©m-®iÖn l-îng tö phi tuyÕn trong d©y l-îng tö h×nh trô víi hè thÕ cao v« h¹n ®-îc tÝnh sè, vÏ ®å thÞ vµ bµn luËn ®èi víi d©y l-îng tö h×nh trô GaAs/AlAs. KÕt qu¶ tÝnh sè vµ ®å thÞ biÓu diÔn cho thÊy dßng ©m-®iÖn phô thuéc phi tuyÕn m¹nh vµo c¸c tham sè nh- nhiÖt ®é T, b¸n kÝnh vµ chiÒu dµi cña d©y l-îng tö h×nh trô vµ dßng ©m-®iÖn cã mét gi¸ trÞ cùc ®¹i (®Ønh cùc ®¹i). Khi b¸n kÝnh d©y l-îng tö h×nh trô cã kÝch th-íc vµo cì trªn 10-6m th× kÕt qu¶ nµy trë l¹i kÕt qu¶ cña dßng ©m-®iÖn trong c¸c b¸n dÉn khèi. Sù phô thuéc cña dßng ©m-®iÖn này vµo chiÒu dµi d©y l-îng tö sÏ gi¶m nhanh trong vïng L cã gi¸ trÞ nhá, khi L > 1,7.10-7 m gi¸ trÞ dßng ©m-®iÖn gÇn nh- kh«ng ®æi. Theo nhiÖt ®é T, dßng ©m-®iÖn này gi¶m ®¸ng kÓ trong vïng nhiÖt ®é thÊp vµ l¹i t¨ng m¹nh trong vïng nhiÖt ®é cao. Tuy nhiªn trong miÒn nhiÖt ®é tõ 40K ®Õn 70K dßng ©m-®iÖn cã gi¸ trÞ gÇn nh- kh«ng ®æi. 3. C¸c kÕt qu¶ thu được của Đề tài nµy lµ hoµn toµn kh¸c biÖt so víi kÕt qu¶ thu ®-îc trong b¸n dÉn khèi v× d©y l-îng tö thuéc cÊu tróc hÖ mét chiÒu cßn hè l-îng tö , siêu mạng thuéc cÊu tróc hÖ hai chiÒu vµ b¸n dẫn khèi cã cÊu tróc ba chiÒu. Những kết quả thu được của Đề tài này cũng đóng góp một phần vào việc hoàn thiện lý thuyết về các hiệu ứng động trong hệ thấp chiều mà cụ thể là lý thuyết về hiệu ứng âm - điện - từ trong hệ một chiều và hai chiều. Sự phụ thuộc 11 của các đại lượng vật lý đặc trưng cho hiệu ứng vào tham số đặc trưng cho cấu trúc hố lượng tử , siêu mạng , dây lượng tử có thể được sử dụng làm thước đo, làm tiêu chuẩn hoàn thiện công nghệ chế tạo vật liệu cấu trúc nano ứng dụng trong các thiết bị điện tử siêu nhỏ, thông minh và đa năng hiện nay. TÀI LIỆU THAM KHẢO 1)Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu, Nguyen Vu Nhan. Journal of the Korean Physical society, Vol.61, No.12 .pp. 2026~2031(2012) ( Tạp chí thuộc danh mục ISI) 2) Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu. Superlattices and Microstructures , 63(2013), pp. 121 – 130 (2013) ( Tạp chí thuộc danh mục ISI) 3) Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi . Integrated Ferroelectrics,Vol.15, May 2014, pp.3944(2014) ( Tạp chí thuộc danh mục ISI) 4) Nguyen Van Hieu, Nguyen Dinh Nam, Nguyen Quang Bau. VNU –Journal of Science, Mathematics-Physics, Vol.28, No.1S (2012), pp. 63-67. 5) Nguyen Van Nghia, Nguyen Dinh Nam, Nguyen Quang Bau. VNU –Journal of Science, Mathematics-Physics, Vol.28, No.1S (2012), pp. 103-108. 6) Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang Báu.The University of Danang- Journal of Science and Technology, số 12, (2013), pp.1-5 7) Nguyễn Văn Hiếu, Nguyễn Quang Báu.The University of Danang- Journal of Science and Technology, số 1(74),(2014),pp.1-5. 8) Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang Báu.The University of Danang- Journal of Science and Technology(Tạp chí Khoa học và công nghệ Đại học Đà Nẵng), số 6(79), (2014), pp.1-5 9) Nguyen Van Nghia , Nguyen Quang Bau, Nguyen Vu Nhan. Tạp Chí Nghiên cứu Khoa học và Công nghệ Quân sự , N 31 (06-2014), tr.141-149 10) Nguyen Van Nghia ,Nguyen Vu Nhan , Nguyen Quang Bau, Dinh Quoc Vuong. Tạp Chí Nghiên cứu Khoa học và Công nghệ Quân sự , N 32 (08-2014), tr.103-110 11) N.V.Hieu, N.Q. Bau and N.V.Nghia . Progress in Electromagnetic Research Symposium Proceedings, Taipei , March 25-28 , 2013, pp.541-547 12) Nguyen Van Nghia, Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu and Nguyen Vu Nhan. Progress in Electromagnetic Research Symposium Proceedings, Taipei , March 25-28 , 2013, pp.410415 13) N.Q.Bau and N.V.Hieu. Progress in Electromagnetic Research Symposium Proceedings, Guangzhou, China, Aug. 25-28 , 2014, pp.1949-1953 14) Nguyen Van Nghia, Dinh Quoc Vuong, Nguyen Quang Bau . Proc. Natl. Conf. Theor. Phys. , 37(2012),pp.1-6 15) Nguyen Van Nghia and Nguyen Quang Bau . Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013 12 16) Nguyen Van Ngoc ,Nguyen Vu Nhan and Nguyen Quang Bau . Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013 17) Nguyen Van Hieu , Nguyen Van Nghia and Nguyen Quang Bau. Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013. 18) Nguyễn Quang Báu , Nguyễn Đình Nam . Natl. Conf. Theor. Phys. , 39(2014),p.39( Buon Ma Thuot ,28-31 July 2014 ) 19) Bui Dinh Hoi, Nguyen Thi Hang, Nguyen Quang Bau. Natl. Conf. Theor. Phys. , 39(2014),p.39( Buon Ma Thuot ,28-31 July 2014 ) Tóm tắt kết quả : Tiếng Việt : “Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều(siêu mạng , hố lượng tử ,dây lượng tử) ” 1. Mục tiêu : Phát triển và hoàn thiện lý thuyết lượng tử về các hiệu ứng âm- điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều (hố lượng tử, siêu mạng, dây lượng tử) 2. Nội dung chính và các kết quả đạt được : a)Nội dung chính : + Tính toán dòng âm-điện phi tuyến và dòng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn hai chiều (hố lượng tử, siêu mạng ) + Tính toán dòng âm-điện phi tuyến và dòng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều (dây lượng tử ) b) Các kết quả đạt được: +Công trình Khoa học mới công bố : 19 Công trình Khoa học mới công bố( trong đó có 03 Bài báo Quốc tế có ISI , 07 Bài báo Quốc gia , 06 Báo cáo Khoa học ở Hội nghị Vật lý Quốc tế , 03 Báo cáo Khoa học ở Hội nghị Vật lý Quốc gia ) +Sách mới xuất bản : 01 sách mới xuất bản +Góp phần đào tạo : 04 Tiến sỹ , 08 Thạc sỹ và 11 Cử nhân Vật lý Tiếng Anh : “ Investigation of the quantum theory of the acoustomagnetoelectric effects in Semiconductor One - dimensional and Two-dimenional systems (Supperlattices, quantum wells, quantum wires) ” 1.Objectives: Developing and improving the quantum theory on the acoustomagnetoelectric effects in Semiconductor One - dimensional and Two-dimenional systems (Supperlattices, quantum wells, quantum wires). 2.Main contents and Results obtained: a) Main contents: +Calculating the Acoustomagnetoelectriccurrent and the Nonlinear Acoustoelectric current in Semiconductor two-dimensional systems (Superlattices , Quantum wells ). +Calculating the Acoustomagnetoelectriccurrent and the Nonlinear Acoustoelectric current in Semiconductor one-dimensional systems( Quantum wires ) . 13 b)Results obtained: +New Scientific Contributions: 19 New Scientific Contributions (03 papers in the International Journals(ISI) , 07 papers in the National Journals , 03 reports in the International and 06 reports in National Physical Conferences ) +New books : 01 +Contribution to Training: 04 Doctors , 08 Masters, 11 Bacherlors PHẦN III. SẢN PHẨM , CÔNG BỐ VÀ KẾT QUẢ ĐÀO TẠO CỦA ĐỀ TÀI 1. Sản phẩm khoa học công nghệ và đào tạo 1.1. Sản phẩm khoa học công nghệ Tình trạng (Đã in/chấp nhận in/xác ISSN/ nhận sử dụngkết quả; có ghi STT Sản phẩm ISBN địa chỉ và ghi nhận/ cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng quy định) 1 Công trình công bố quốc tế trên tạp chí thuộc danh mục ISI hoặc Scopus 1.1 Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu, ( ISSN Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của 0374ĐHQGHN đúng qui định Nguyen Vu Nhan « Calculations of 4884, acoustoelectric current in a quantum well Online by using a quantum kinetic equation”. ISSN Journal of the Korean Physical society, 1976Vol.61, No.12 .pp. 2026~2031(2012) 8524 ) 1.2 Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu. » The quantum acoustoelectric curent in a doped superlattice GaAs:Si/GaAs:Be.” Superlattices and Microstructures , 63(2013), pp. 121 – 130 (2013) (ISSN 0749 – 6036) Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định 1.3 Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi . « Dependence of the Hall coefficient on doping concertration in Semiconductor superlattices with a perpendicular magnetic field under the influence of a laser radiation”. Integrated ( ISSN 10584587, Online ISSN 1607- Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định 14 Ferroelectrics,Vol.15, May 2014, pp.39- 8489 ) 44(2014) Công trình công bố quốc tế trên tạp chí không thuộc danh mục ISI và Scopus 2 2.1 2.2 3 Công trình công bố trên tạp chí khoa học chuyên ngành trong nước 3.1 Nguyen Van Hieu, Nguyen Dinh Nam, ISSN Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của Nguyen Quang Bau. » The acoustoelectric 0866ĐHQGHN đúng qui định current in a doped superlattice”. VNU – 8612 Journal of Science, Mathematics-Physics, Vol.28, No.1S (2012), pp. 63-67. 3.2 Nguyen Van Nghia, Nguyen Dinh Nam, ISSN Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của Nguyen Quang Bau.” Calculations of the 0866ĐHQGHN đúng qui định acoustoelectric current in a cylindrical 8612 quantum wire with an infinite potential”. VNU –Journal of Science, MathematicsPhysics, Vol.28, No.1S (2012), pp. 103-108. 3.3 Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang ISSN- Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của Báu.”Theory of the Acoustoelectric current 1859ĐHQGHN đúng qui định in a Quantum well “.The University of 1531 Danang- Journal of Science and Technology(Tạp chí Khoa học và công nghệ Đại học Đà Nẵng), số 12, (2013), pp.1-5 3.4 Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang ISSN- Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của Báu.”The Dependence of the Quantum 1859ĐHQGHN đúng qui định Acoustoelectric current on the frequency 1531 of acoustic wave in a Superlattice “The University of Danang- Journal of Science and Technology(Tạp chí Khoa học và công nghệ Đại học Đà Nẵng), số 1(74), (2014), pp.1-5 3.5 Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang Báu.” ISSN- Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của Calculations of the Nonlinear 1859ĐHQGHN đúng qui định Acoustoelectric current in a Doping 1531 Superlattice GaAs:Si/GaAs:Be in the presence of an Electromagnetic wave “The University of Danang- Journal of Science and Technology(Tạp chí Khoa học và công nghệ Đại học Đà Nẵng), số 6(79), (2014), pp.1-5 3.6 Nguyen Van Nghia , Nguyen Quang Bau, ISSN- Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của Nguyen Vu Nhan.” Hiệu ứng Âm –Điện 1859- 15 3.7 4 4.1 4.2 4.3 5 5.1 5.2 lượng tử phi tuyến trong dây lượng tử hình 1043 chữ nhật với hố thế cao vô hạn”. Tạp Chí Nghiên cứu Khoa học và Công nghệ Quân sự , N 31 (06-2014), tr.141-149 Nguyen Van Nghia ,Nguyen Vu Nhan , ISSNNguyen Quang Bau, Dinh Quoc Vuong.” 1859Hiệu ứng Âm –Điện lượng tử phi tuyến 1043 trong dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn”. Tạp Chí Nghiên cứu Khoa học và Công nghệ Quân sự , N 32 (08-2014), tr.103-110 Báo cáo khoa học đăng kỷ yếu hội nghị quốc tế ISSNN.V.Hieu, N.Q. Bau and N.V.Nghia . » 1559The Influence of the Electromagnetic 9450 Wave on the Nonlinear Quantum acoustoelectric current in a quantum well.” ,ISBN978-1Progress in Electromagnetic Research Symposium Proceedings, Taipei , March 93414 2-24-0 25-28 , 2013, pp.541-547 Nguyen Van Nghia, Nguyen Quang Bau, ISSNNguyen Van Hieu and Nguyen Vu 1559Nhan. » The Influence of an 9450 Electromagnetic Wave on the ,ISBNacoustoelectric current in a Restangular 978-1quantum wire with an infinite potential.” 93414 2-24-0 Progress in Electromagnetic Research Symposium Proceedings, Taipei , March 25-28 , 2013, pp.410-415 N.Q.Bau and N.V.Hieu.” The Influence of ISSNthe Electromagnetic wave on the Quantum 1559Acoustomagnetoelectric field in a 9450 Quantum well with a parabolic potential” ,ISBN978-1Progress in Electromagnetic Research 93414 Symposium Proceedings, Guangzhou, China, Aug. 25-28 , 2014, pp.1949-1953 2-28-8 Báo cáo khoa học đăng kỷ yếu hội nghị quốc gia Nguyen Van Nghia, Dinh Quoc Vuong, Nguyen Quang Bau. » Calculations of the acoustoelectric current in a Rectangular quantum wire”. Proc. Natl. Conf. Theor. Phys. , 37(2012),pp.1-6 Nguyen Van Nghia and Nguyen Quang Bau.”The Acoustoelectric current in a 16 ĐHQGHN đúng qui định Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của Rectangular Quantum wire with an infinite potential GaAs in the presence of an Electromagnetic wave.” Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013(Chuyển in trong Journal of Science and Technology (1B)(2014) ) 5.3 Nguyen Van Ngoc ,Nguyen Vu Nhan and Nguyen Quang Bau.” The Longitudial radioelectrical effect in Quantum wire with a parabolic potential.” Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013(Chuyển in trong Journal of Science and Technology (1B)(2014) 5.4 Nguyen Van Hieu , Nguyen Van Nghia and Nguyen Quang Bau.”The Influence of the Electromagnetic wave on the nonlinear Quantum Acoustoelectric current in doping Superlattice.” Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013(Chuyển in trong Journal of Science and Technology (1B)(2014) ĐHQGHN đúng qui định 5.5 Nguyễn Quang Báu , Nguyễn Đình Nam “ The influence of Electromagnetic wave on the Magnetoresistance in doped Superlattice” Natl. Conf. Theor. Phys. , 39(2014),p.39( Buon Ma Thuot ,28-31 July 2014 ) Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định 5.6 Bui Dinh Hoi, Nguyen Thi Hang, Nguyen Quang Bau .” Dependence of Hall coefficient on Amplitude of an External Electromafnetic Wave in a Compositional Semiconductor Superlattice”. Natl. Conf. Theor. Phys. , 39(2014),p.39( Buon Ma Thuot ,28-31 July 2014 ) Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định 17 Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định 6 Sách chuyên khảo 6.1 Nguyễn Quang Báu (chủ biên),Nguyễn Vũ Chấp nhận in Nhân , Lê Thái Hưng , Hoàng Đình Triển , Đỗ Mạnh Hùng.” Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ trong các hệ bán dẫn thấp chiều”. Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội, 2014, 189 trang. 6.2 7 Bằng sáng chế, giải pháp hữu ích… 7.1 7.2 8 Kết quả công bố khác hoặc minh chứng kết quả nghiên cứu đã được sử dụng 8.1 Ghi chú: - Cột sản phẩm khoa học công nghệ: Liệt kê các thông tin các sản phẩm KHCN theo thứ tự - Gửi kèm toàn văn các kết quả khoa học công nghệ. 1.2. Kết quả đào tạo STT Họ và tên Thời gian và kinh phí tham gia đề tài/dự án (số tháng/số tiền) Công trình công bố liên quan (Sản phẩm KHCN, luận án, luận văn) Nghiên cứu sinh 1 Lê Thái Hưng 12 tháng / 10 triệu 2 Nguyễn Văn Hiếu 12 tháng / 20 triệu Luận án TS: Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên một số hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều.(Đã Bảo vệ 2013) Công trình 6.1 Luận án TS: Các hiÖu øng âm-điện-từ trong các hệ b¸n dÉn thấp chiều.(Đã Bảo vệ 2014) Công trình 1.1 ;1.2 ;3.1 ;3.3 ;3.4; 3.5; 18 4.1 ;4.2 ;4.3 ;5.4 3 Nguyễn Văn Nghĩa 12 tháng / 30 triệu Luận án TS: Các hiÖu øng âm-điện-từ trong các hệ b¸n dÉn một chiều.(Sẽ bảo vệ 2015) Công trình 3.2 ; 3.6 ; 3.7 ; 4.1 ; 4.2 ; 5.1 ; 5.2 ; 5.4 4 Nguyễn Dình Nam 12 tháng / 10 triệu Luận án TS : Nghiên cứu một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh(bức xạ laser) .(Sẽ bảo vệ 2015) Công trình 3.1 ; 3.2 Học viên cao học 1 Đào Thu Hằng Luận văn Th.S: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon (trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang) .(Bảo vệ2012) 2 Đỗ Tuấn Long Luận văn Th.S: Hấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử .(Bảo vệ2012) 3 Nguyễn Đức Huy Luận văn Th.S: . Hấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp.(Bảo vệ2012) 4 Sa Thị Lan Anh Luận văn Th.S: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon (trường hợp tán xạ điện tử phonon quang).(Bảo vệ2012) 5 Nguyễn Hữu Luận văn Th.S: Ảnh hưởng của sóng 19