Đăng ký Đăng nhập
Trang chủ TÓM TẮT BÁO CÁO HỘI NGHỊ KHOA HỌC KHOA VẬT LÝ...

Tài liệu TÓM TẮT BÁO CÁO HỘI NGHỊ KHOA HỌC KHOA VẬT LÝ

.PDF
84
136
105

Mô tả:

TÓM TẮT BÁO CÁO HỘI NGHỊ KHOA HỌC KHOA VẬT LÝ
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ TÓM TẮT BÁO CÁO HỘI NGHỊ KHOA HỌC KHOA VẬT LÝ Hà nội, 29/10/2016 1 BÁO CÁO MỜI 2 I-1. Phân tích truyền nhiệt trong kênh tải nhiệt lò VVER-1200 Đinh Văn Thìn1,*; Bùi Văn Loát2; Bùi Thị Hồng2 1 2 Bộ môn Điện hạt nhân - Trường Đại học Điện lực; Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Đầu năm 2015, Chính phủ Việt Nam đã quyết định lựa chọn công nghệ lò phản ứng VVER-1200 do Nga chế tạo để xây dựng tại Nhà máy Điện hạt nhân Ninh Thuận 1, đây là lò phản ứng tiên tiến thuộc thế hệ III+ và mới chỉ có duy nhất một tổ máy vừa được hoàn thành lần đầu tiên trên thế giới vào tháng 8 năm 2016. Việt Nam đang đứng trước một thử thách lớn, đó là làm sao phải đảm bảo tiếp thu được quá trình chuyển giao công nghệ, sau đó là vận hành an toàn các tổ máy điện hạt nhân này. Bài báo này sẽ phân tích về một số biến đổi của các đại lượng thủy nhiệt xảy ra trong lò phản ứng khi có sự thay đổi của thông lượng nhiệt. Đây là vấn đề liên hệ trực tiếp đến các công tác dự đoán sự cố và đưa ra cách khắc phục sự cố khi nhà máy đang trong các điều kiện như khởi động, vận hành bình thường và vận hành khi có sự cố bất thường. Để phân tích, nhóm tác giả sử dụng phương pháp CFD, đây là một phương pháp rất hiện đại và có độ tin cậy cao. Các kết quả thu nhận được có sự phù hợp tốt khi so sánh với các báo cáo phân tích an toàn của ROSATOM đưa ra. Từ khóa: Thủy nhiệt lò phản ứng; VVER-1200; CFD. Analysis of heat transfer in the VVER-1200 reactor’s heat channel 1 Dinh Van Thin1,*; Bui Van Loat2; Bui Thi Hong2 Department of Nuclear Power - Electric Power University. 2 Faculty of Physics, VNU University of Science. Email: [email protected] In early 2015, the Government of Vietname has decided to choose VVER-1200 Russian-made technology for building at the Nuclear Power Plant in Ninh Thuan 1, this is the advanced reactor generation III + and the only one has been completed for the first time in the world in August 2016. Vietnam is facing a major challenge, which is how to ensure the acquired technology transfer process, then the safe operation of this unit. This article analyzes some of the variables change occurs in reactor thermalhydraulics when there are changes of the heat flux. This is an issue directly related to the work of predicting incidents and give ways to fix the problem when the plant is in conditions such as startup, normal and abnormal operations. For analysis, the authors used CFD methods, this is a very modern method and have high reliability. The results received have fit well when compared with the safety analysis report of Rosatom published. Keywords: Reactor thermalhydraulics; VVER-1200; CFD. 3 I-2. Số hạng biên độ eikonal hàng đầu cho tán xạ hai hạt năng lượng cao trong hấp dẫn lượng tử và phương pháp sóng riêng phần Nguyễn Xuân Hãn và Nguyễn Như Xuân Khoa Vật lý, Trường Đại Học Khoa Học Tự Nhiên, Đại Học Quốc Gia Hà Nội Bộ môn Vật lý, Học viện KTQS Le Qui Don, Hà Nội Việt Nam E-mail: [email protected] Các biên độ tán xạ hai hat vô hướng ở vùng năng lượng Planck khối tâm được nghiên cứu bằng phương pháp sóng riêng phần. Trong khuôn khổ của phương pháp sóng riêng phần sơ đồ tìm các biên độ tán xạ eikonal hàng đầu được phát triển và thiết kế. Sự liên hệ giữa các kết quả mà chúng thu được trong các cách tiếp cận sóng riêng phần, phương trình chuẩn thế và phương pháp tích phân phiếm hàm, cũng được thảo luận. The leading eikonal amplitude for two particles high-energy scattering in quantum gravity and the partial wave method 1 Nguyen Suan Han anh Nguyen Nhu Xuan Faculty of Physics, Hanoi University of Science, Hanoi,Vietnam Department of Physics, Le Qui Don University, Hanoi, Vietnam E-mail: [email protected] Two-particles scattering amplitudes for spinless colliding at Planckian cetre-of-mass energies are considered by the partial wave method in quantum gravity. In the framework of the partial method a scheme of finding the leading eikonal scattering amplitudes is developed and constructed. The conection between the solutions obtained by partial wave, quasipotential and functional approaches is also discussed. 4 I-3. Ứng dụng công nghệ chiếu sáng rắn trên cơ sở LED vào các lĩnh vực sử dụng năng lượng hiệu quả Phạm Hồng Dương, Dương Thị Giang Institute of Materials Science, VAST *Email: [email protected] Tóm tắt: Mặc dù công nghệ chiếu sáng rắn trên cơ sở LED đang trở nên phổ thông trong cuộc sống của chúng ta và có vẻ như rất hứa hẹn cho các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực này, nhưng đóng góp thực tế của các nhà khoa học Việt nam còn hạn chế. Trong bài viết này, chúng tôi sẽ mô tả ngắn gọn các cơ hội và thách thức cho những ai muốn tham gia vào việc ứng dụng công nghệ chiếu sáng rắn và chia sẻ kinh nghiệm 5 năm làm việc trong lĩnh vực này. Những nghiên cứu về công nghệ chiếu sáng rắn trên cơ sở LED định hướng đến các lĩnh vực chiếu sáng đặc biệt như chiếu sáng nghệ thuật, chiếu sáng hiệu quả năng lượng cao trong nông nghiệp, đánh cá và bẫy côn trùng. Những đề tài này cũng đem lại một số kết quả, hứa hẹn một thị trường lớn hơn trong tương lai gần. Để thỏa mãn các yêu cầu của các lĩnh vực chiếu sáng mới đặc thù, chúng tôi đã nộp bản 5 đăng ký Sáng chế và 7 đăng ký Giải pháp hữu ích để cải tiến nguồn sáng LED và chiếu sáng rắn. Năm 2016, 2 bằng độc quyền Sáng chế và 2 bằng độc quyền Giải pháp hữu ích đã được trao cho chúng tôi, 8 đăng ký khác đã được chấp nhận hình thức. Application of LED-based Solid State Lighting Technology in the Efficient Energy Fields Pham Hong Duong*, Duong thi Giang. Institute of Materials Science, VAST *Email: [email protected] Abstract: Although LED-based Solid State Lighting (SSL) technology has becoming popular in our everyday life and seems to be very promising for researchers working in this field, but the real contribution of Vietnamese scientists is still limited. In this work, we review briefly the opportunities and challenges for those who want to join in SSL applications and share our five year experience working in this field. Our researches of LED-based SSL orient on the applications in special lighting field such as artistic lighting, energy efficient lighting in agriculture, fishing and insect trapping. These projects have achieved some successes, promising a larger market in the near future. In order to satisfy the requirements of the new special lighting field, we have also deposited 5 patents and 7 utility solution applications to improve LED light sources and SSL. In 2016, 2 patents and 2 utility solutions were attributed to us, and 8 others were formally accepted. 5 TIỂU BAN I: VẬT LÝ LÝ THUYẾT – VẬT LÝ TÍNH TOÁN – VẬT LÝ NĂNG LƯỢNG CAO VÀ VŨ TRỤ HỌC 6 O1-1. Hệ số Debye-Waller khai triển bậc cao theo mô hình Debye tương quan phi điều hòa đối với các tinh thể cấu trúc bcc. Áp dụng cho Wolfram Nguyễn Văn Hùng, Trịnh Thị Huế, Nguyễn Bảo Trung, Nguyễn Công Toản Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Email: [email protected] Mô hình Debye tương quan phi điều hòa đã được xây dựng đối với các tinh thể cấu trúc lập phương tâm khối (bcc) được biểu diễn theo khai triển cumulant đến bậc bốn. Các hiệu ứng hệ nhiều hạt đã được tính đến trong mô hình hệ một chiều này nhờ thế hiệu dụng phi điều hòa do nó thu hút các tương tác của nguyên tử hấp thụ và tán xạ với các nguyên tử lân cận lớp thứ nhất, trong đó thế Morse được sử dụng để biểu diễn tương tác cặp nguyên tử. Các biểu thức giải tích đối với biểu thức tán sắc, tần số và nhiệt độ Debye tương quan và bốn cumulant XAFS phụ thuộc nhiệt độ của các tinh thể cấu trúc bcc đã được dẫn giải với sử dụng phép gần đúng nhiễu loạn hệ nhiều hạt. Các kết quả tính số cho W đã được so sánh với thực nghiệm và cho sự trùng hợp tốt. Anharmonic correlated Debye model high-order expanded Debye-Waller factors of bcc crystals. Application to Wolfram Nguyen Van Hung, Trinh Thi Hue, Nguyen Bao Trung, Nguyen Cong Toan Faculty of Physics, VNU University of Science Anharmonic correlated Debye model is derived for Debye-Waller factors of bcc crystals presented in terms of cumulant expansion up to the fourth order. The many-body effects are taken into account in the present one-dimensional model based on the anharmonic effective potential that includes interactions of absorber and backscatterer atoms with their first shell near neighbors where Morse potential is assumed to describe the single-pair atomic interaction. Analytical expressions for dispersion relation, correlated Debye frequency and temperature and four first temperature-dependent XAFS cumulants of bcc crystals have been derived using the many-body perturbation approach. Numerical results for W are found to be in good agreement with experiment. 7 O1-2. Độ linh động của hạt tải trong giếng vuông góc pha tạp một phía phụ thuộc vào nhiệt độ Trần Thị Hải Khoa khoa học tự nhiên, Đại học Hồng Đức Chúng tôi nghiên cứu độ linh động của hạt tải trong giếng lượng tử vuông góc pha tạp một phí. Bằng việc sử dụng phương pháp biến phân, chúng tôi đã đưa ra được biểu thức giải tích về sự phân bố của hạt tải và các hàm tự tương quan cho các cơ chế tán xạ. Chúng tôi xác định được sự phụ thuộc của độ linh động độ rộng kênh dẫn, nồng độ hạt tải và nhiệt độ. Lý thuyết của chúng tôi cũng giải thích thành công sự phụ thuộc của độ linh động của phonon âm vào nhiệt độ. Từ khóa: Pha tạp một phía, phương pháp biến phân, độ linh động, giếng lượng tử The mobilities of carriers confined in a single-side doped square quantum wells dependence on temperature Tran Thi Hai Faculty of Natural Science, Hong Duc University, Thanh Hoa We have presented a theory of the mobilities of carriers confined in single-side square quantum wells. We used variational approach to obtain analytic expressions for the carrier distribution, and autocorrelation functions for various scattering mechanisms. We examine the dependence of the mobilities of carriers on the channel width, density carrier and temperature. Our theory is able to well reproduce the recent experimental data on transport in 2S-doped square QWs, e.g., acoustic-phonon partial mobility dependece on temperature for single-side modulation doped square quantum wells. Key words: single-side (1S) doing, variational approach, mobility, square quantum wells 8 O1-3. Về bức tranh năm chiều của hấp dẫn có khối lượng Đỗ Quốc Tuấn Khoa Vật lý, Trường Đại Học Khoa Học Tự Nhiên, Đại Học Quốc Gia Hà Nội Email: [email protected] Tóm tắt: Nghiên cứu về bức tranh năm chiều của lý thuyết hấp dẫn phi tuyến có khối lượng nhưng không có hạt ma của de Rham, Gabadadze, và Tolley (dRGT) sẽ được trình bày trong báo cáo này. Một cách cụ thể, chúng tôi sẽ chỉ ra cách thức xây dựng số hạng graviton năm chiều bằng việc sử dụng định lý Cayley-Hamilton. Sau đó, một số nghiệm vũ trụ của lý thuyết dRGT năm chiều như các không thời gian Friedmann-Lemaitre-Robertson-Walker, Bianchi loại I, và Schwarzschild-Tangherlini sẽ được giải ra nhờ vào việc các số hạng graviton biểu hiện như hằng số dưới điều kiện metric tham chiếu tương thích với metric vật lý. On a five-dimensional scenario of massive gravity Tuan Q. Do Faculty of Physics, VNU University of Science Email: [email protected] Abstract: A study on a five-dimensional scenario of a ghost-free nonlinear massive gravity proposed by de Rham, Gabadadze, and Tolley (dRGT) will be presented in this talk. In particular, we will show how to construct a five-dimensional massive graviton term using the Cayley-Hamilton theorem. Then some cosmological solutions such as the FriedmannLemaitre-Robertson-Walker, Bianchi type I, and Schwarzschild-Tangherlini-(A)dS spacetimes will be solved for the five-dimensional dRGT theory thanks to the constant-like behavior of massive graviton terms under an assumption that the reference metric is compatible with the physical one. 9 O1-4. Ảnh hưởng của Phonon Quang Giam cầm và Bức xạ Laser lên Hiệu ứng Radio – Điện trong Dây Lượng Tử với Hố thế Parabol Nguyễn Quang Báu, Cao Thị Vi Ba, Đỗ Tuấn Long Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Bằng phương pháp phương trình động lượng tử, nghiên cứu ảnh hưởng của phonon quang giam cầm và bức xạ laser lên hiệu ứng Radio–điện trong dây lượng tử với hố thế pararabol, được đặt trong một điện trường không đổi và một sóng điện từ phân cực thẳng. Thu được biểu thức giải tích của trường Radio-điện phụ thuộc vào tần số và biên độ của sóng điện từ, các tham số cấu trúc dây lượng tử, nhiệt độ của hệ, và đặc biệt là các chỉ số lượng tử (n và m) đặc trưng cho sự giam cầm phonon. Tính toán số cho dây lượng tử GaAs/GaAlAs cho thấy ảnh hưởng mạnh của phonon quang giam cầm cũng như bức xạ laser lên độ lớn và dáng điệu của trường Radio-điện. Trường Radio-điện có nhiều đỉnh cộng hưởng hơn so với trường hợp phonon khối. Influence of Confined Optical Phonons and Laser Radiation on the Radioelectric Effect in a Semiconductor Quantum Wire with Parabolic Potential Nguyen Quang Bau, Cao Thi Vi Ba, Do Tuan Long Faculty of Physics, VNU University of Science Based on the quantum kinetic equation method, the influence of confined optical phonons and laser radiation on the Radioelectric effect in a semiconductor quantum wire with parabolic potential subjected to a dc electric field and a linearly polarized electromagnetic wave has been theoretically studied. The obtained analytical expression of the Radioelectric field (REF) depends on frequencies and amplitudes of the external electromagnetic waves, the quantum wire parameters, the temperature of the system, and especially the quantum numbers (n and m) which characterize the phonon confinement. Numerical calculations for the GaAs/GaAsAl quantum wire show the strongly impact of the confined optical phonons as well as the laser radiation on the REF magnitude and posture. The REF also has more resonance peaks in comparison with that in case of bulk phonon. 10 O1-5. Nghiên cứu các hyperons lạ Ξ, Ω sinh ra trong va chạm pp tại năng lượng 8 TeV Nguyen Thi Dung1, Nguyen Mau Chung1, Tran Minh Tam2 1 2 Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội École Polytechnique Fédérale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, Switzerland Chúng tôi quan tâm đến việc sinh ra các hyperon lạ Ξ (Ω) bởi vì tỷ số giữa antihyperon và hyperon cho phép khảo sát quá trình hadron hóa cũng như kiểm tra lý thuyết vận chuyển baryon. Bài báo này sẽ trình bày kết quả chúng tôi mới thu được khi nghiên cứu các hyperon lạ Ξ (Ω) sinh ra trong va chạm pp tại s = 8 TeV. Các hyperon lạ Ξ, (Ω) được tái xây dựng bằng cách sử dụng tương ứng các kênh phân rã chủ yếu của chúng Ξ → Λ + π và Ω → Λ + K, tiếp theo đó hạt con Λ phân rã thành proton và pion. Trong thí nghiệm LHCb, các hadron p, π and K được nhận diện bằng detector RICH. Các hạt con lambda và pion (lambda và kaon) với xung lượng ngang tương ứng Pt > 500 MeV và 100 MeV được tổ hợp lại để có thể tái xây dựng hyperon lạ Ξ (Ω). Hạt tái xây dựng được coi như ứng cử viên Ξ (Ω) trong trường hợp khối lượng bất biến của chúng sai lệch khỏi giá trị khối lượng danh định nhỏ hơn 50 MeV/c2. Khoảng 6.34 × 107 sự kiện chọn lọc được phân tích và 6.6 × 104 ứng cử viên hyperon Ξ (8.1× 103 ứng cử viên hyperon Ω) được xác định.Trong tương lai gần, chúng tôi có ý định kết hợp các kết quả có được tại hai năng lượng va chạm 7 và 8 TeV. Study strange hyperons Ξ, Ω produced in pp collisions at energy 8 TeV Nguyen Thi Dung1, Nguyen Mau Chung1, Tran Minh Tam2 1 2 Faculty of Physics, VNU University of Science École Polytechnique Fédérale de Lausanne, CH-1015 Lausanne, Switzerland We are interested in strange hyperon Ξ (Ω) productions because the anti-hyperon to hyperon ratio allows us to probe the hadronization process and baryon transport theory. This paper presents the new results of strange hyperon Ξ (Ω) produced in pp collision at s = 8 TeV. The strange hyperon Ξ, (Ω) are reconstructed using its main decay channel Ξ → Λ + π and Ω → Λ + K respectively, and subsequently its daughter particle Λ decays into a proton and a pion. In the LHCb experiment, hadrons p, π and K are identified by the RICH detector. Lambda and pion (Lambda and kaon) daughter particles with Pt > 500 MeV and 100 MeV respectively are combined in order to reconstruct a strange hyperon Ξ (Ω). The reconstructed particles are considered as Ξ (Ω) candidates in the case their invariance mass deviates less than 50 MeV/c2 from the nominal value. About 6.34 × 107 compacted events have been analyzed and 6.6 × 104 hyperon Ξ candidates (8.1× 103 hyperon Ω candidates) have been found. In the near future, we have intention to combine our results at energy 7 and 8 TeV. 11 O1-6. Nghiên cứu phiếm hàm mật độ phổ Raman của D-Glucose và D-Fructose Nguyễn Tiến Cường, Nguyễn Hoàng Long và Hoàng Chí Hiếu Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Trong báo cáo này, phổ Raman của D-Glucose và D-Fructose được tính toán dựa trên lý thuyết phiếm hàm mật độ. Với Glucose, phổ Raman củ α D-Glucose và β D-Glucose đã được tính toán. Bản chất của các tần số và mode dao động, sự thay đổi phổ của các đồng phân D-Glucose khi không tương tác và có tương tác với các phân tử nước trong dung môi đã được phân tích. Kết quả đã chỉ ra nguồn gốc khác nhau trong phổ Raman của các đồng phân DGlucose này. Ngoài ra, phổ tính toán cũng được so sánh với kết quả thực nghiệm. Các kết quả thu được đã góp phần giải thích cơ chế của hiện tượng chuyển đặc trưng phổ α D-Glucose sang β D-Glucose đã quan sát được trong thực nghiệm. Với Fructose, phổ Raman của α DFructofuranose, α D-Fructopyranose và Fructose mạch hở đã được phân tích và so sánh với thực nghiệm. Kết quả chỉ ra rằng đặc trưng phổ của D-Fructofuranose đóng góp ít hơn của DFructopyranose trong dung môi nước. Trong dung môi nước có chứa cả 2 loại D-Fructose nêu trên và một vài đồng phân khác. Density Functional Studies on Raman spectra of D-Glucose and D-Fructose Nguyen Tien Cuong, Nguyen Hoang Long and Hoang Chi Hieu Faculty of Physics, VNU University of Science In this report, the Raman spectra of D-Glucose and D-Fructose have been calculated based on density functional theory. For Glucose, the Raman spectra of α D-Glucose, and β DGlucose were calculated. The nature of frequencies, vibrational modes and changes in spectra of these D-Glucose isomers without and within the interaction with water molecules on solution were analyzed. The results showed the origin of the Raman spectra differences in these D-Glucose isomers. In addition, the calculated spectra were also compared with experimental results. The obtained results contribute for explaining the mechanism of change spectrum of α D-Glucose to β D-Glucose which has been observed in experiments. For Fructose, the Raman spectra of α D-Fructofuranose, α D-Fructopyranose and open-chain Fructose were analyzed and compared with experimental results. It is found that the characteristic of D-Fructofuranose has less contribution than that of D-Fructopyranose in water solution. The water solution contain both of the α D-Fructose and a few other isomers. 12 O1-7. Điều chỉnh cấu trúc vùng điện tử của hợp kim nano Si1-xGex Trần Văn Quảng1,*, Nguyễn Trường Giang1,2, và Ngô Ngọc Hà2 1 Bộ môn Vật lý, Đại Học Giao Thông Vận Tải 2 ITIMS, Đại Học Bách Khoa Hà Nội Hợp kim nhị phân Si1-xGex, với x là thành phần Ge, đóng vai trò là các vật liệu chức năng trong các thiết bị vi điện tử và quang tử, nhận được nhiều quan tâm trong những năm gần đây. Trong nghiên cứu này, chúng tôi sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) và phương pháp k.p để nghiên cứu trạng thái nền của hợp kim SixGe1-x (với x = 0~1). Kết quả cho thấy, hầu hết các tính chất vật lý của các bán dẫn vùng cấm xiên đều được giữ lại. Cấu trúc vùng điện tử của SixGe1-x có thể thay đổi biến thiên tương ứng từ Si đến Ge nhờ thay đổi giá trị x. Cực tiểu vùng dẫn di chuyển dần từ một điểm dọc theo đường ΓX đến điểm L khi giá trị thành phần Ge tăng. Cấu trúc vùng năng lượng của hợp kim Si1-xGex tính bằng phương pháp k.p phù hợp với các kết quả từ tính toán DFT. Chúng tôi cũng thấy rằng dáng điệu topo của cấu trúc vùng năng lượng dọc theo đường ΓL kiến tạo sự hình thành các hiệu ứng chuyển tiếp lượng tử khác nhau và là nguyên nhân dẫn đến những thay đổi của hiệu suất lượng tử ngoài. Các kết quả tính toán lý thuyết đưa đến những hiểu biết toàn diện hơn về các kết quả quan sát thực nghiệm gần đây về sự thay đổi năng lượng hấp thụ được cho là các chuyển dời trực tiếp E1 xảy ra trong khoảng từ L tới Γ trong vùng Brillouin của tinh thể nano kim Si1-xGex. Từ khóa: Hợp kim tinh thể nano Si-Ge, cấu trúc điện tử, trạng thái nền, lý thuyết phiếm hàm mật độ Tuning the electronic structure of Si1-xGex alloys Tran Van Quang1,*, Nguyen Truong Giang1,2, and Ngo Ngoc Ha2 1 Department of Physics, University of Transport and Communications 2 ITIMS, Hanoi University of Science and Technology Binary alloys of Si1−xGex, where x is the Ge composition, have attracted much attention as functional materials of both micro-electronic and opto-electronic devices in recent years. In this study, we employ first-principles density functional theory (DFT) and k.p method to study ground states of the SixGe1-x (x = 0−1) alloys. In the systems, most physical properties of the indirect semiconductors are retained which are principally described by ground states. An interesting property of Si1−xGex alloys is that their electronic band structures are tunable between those of bulk Si and Ge. The conduction band minimum of Si shifts gently from a point along ΓX path to the L point with the increase of Ge composition x. The band structures of Si1-xGex alloys calculated by the k.p method are consistent with the results from DFT calculations. We also find that band topology changes along ΓL path yield various quantum transitions which may give rise to the changes of external quantum efficiency. The theoretical results provide a more comprehensive understanding of recent experimental observations as the shift of the absorption energy assigned to E1 direct transitions within the L and Γ points in the Brillouin zone of Si1-xGex alloy nanocrystals. Keywords: Si-Ge alloy nanocrystals, electronic structure, and ground state, density functional theory. 13 O1-8. Sử dụng lý thuyết nhiễu loạn chiral trong việc nghiên cứu cấu trúc tinh tế của nguyên tử hydro-muonic Nguyễn Thu Hường, Hà Huy Bằng Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Sự đóng góp của pion đơn vào cấu trúc siêu tinh tế 2S của nguyên tử hydrogen – muonic là một trong các quá trình đóng góp vào việc cải thiện các kết quả lý thuyết để xác định bán kính proton. Ở đây chúng tôi đánh giá biên độ đỉnh, cụ thể là thực nghiệm lượng thấp. từ kết quả phân rã ra hai lepton và dựa vào lý thuyết khai triển chiral ở mức năng Using Chiral Perturbation theory (ChPT) in studying the hyperfine splitting in muonic hydrogen Nguyễn Thu Hường, Hà Huy Bằng Faculty of Physics, VNU University of Science The single pion contribution into the 2S hyperfine splitting in muonic hydrogen is one of the processes which plays a significance role to improve the theoretical results to determine the proton radius. Also, here we evaluate the vertex amplitude, in particular , via the experiment results from low energy chiral expansions. and decays into two leptons and based on the 14 O1-9. Nghiên cứu các tính chất nhiệt động của màng từ mô tả bởi mô hình ising ngang Nguyễn Từ Niệm, Bạch Thành Công Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Kết quả nghiên cứu các tính chất của màng từ siêu mỏng mô tả bởi mô hình Ising ngang sẽ được trình bày trong báo cáo này. Xấp xỉ trường trung bình được áp dụng để đưa ra biểu thức của năng lượng tự do của hệ spin, đồng thời tìm được phương trình cho nhiệt độ Curie phụ thuộc vào độ dày của màng. Ảnh hưởng của trường ngang lên các tính chất của màng cũng được xem xét. Sự gia tăng trường ngang dẫn đến sự thay đổi khác nhau của các thành phần của độ từ hóa đồng thời cũng làm cho nhiệt độ Curie giảm mạnh. Các kết quả tính số được thực hiện cho mạng lập phương đơn giản với các độ dày màng khác nhau. Từ khóa:màng từ siêu mỏng, mô hình Ising ngang, nhiệt độ Curie. Magnetic properties of ultra-thin films described by the transverse ising model Nguyen Tu Niem, Bach Thanh Cong Faculty of Physics, VNU University of Science This work studies on thermodynamic properties of ultra-thin ferroic (ferromagnetic or ferroelectric) films within the framework of a transverse Ising model. The equations for free energy of spin system and Curie temperature are obtained by using the mean field approximation. We also analyze the effect of transversal field on Curie temperature and on the relative magnetization of thin films. The increasing transversal field leads to the strong change of relative components of magnetization. Numerical calculation is carried out for cubic spin lattice with varying film thickness. Keyword: magnetic ultra-thin films, transverse Ising model, Curie temperature. 15 P1-1. Biên độ tán xạ eikonal trong trường thế ngoài Lê Thị Hải Yến Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Trong nghiên cứu này, chúng tôi xem xét bài toán tán xạ góc lớn (xung lượng truyền lớn) của hạt trong gần đúng eikonal bằng cách đưa ra số hạng bổ chính cho công thức Glauber. Ở đây, chúng tôi áp dụng kỹ thuật phân tích hàm truyền Green theo các hướng trước, sau và ngang tương ứng với hàm truyền của hạt, phản hạt và động năng ngang của hạt. Từ đó, chúng tôi áp dụng tính toán cụ thể cho biên độ tán xạ trong trường thế ngoài Yukawa. EIKONAL AMPLITUDE OF POTENTIAL SCATTERING Le Thi Hai Yen Faculty of Physics, VNU-Hanoi University of Science Eikonal amplitude of high-energy scattering by a potential through a large angle is obtained. In order to derive correction terms to Glauber's formula to make it applicable to large momentum transfers, we take into account the effects of propagation in the forward, backward and transverse directions. The eikonal scattering amplitude of Yukawa potential is presented. 16 1. P1-2. Nghiên cứu hệ số Debye-Waller phổ EXAFS của kim loại ở áp suất cao Nguyễn Việt Tuyên1, Trần Thị Hải2, Nguyễn Thị Hồng2, Hồ Khắc Hiếu3* 1 Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc Gia Hà nội 2 Đại học Hồng Đức, Thanh Hóa, Việt Nam 3 Đại học Duy Tân, Đà Nẵng, Việt Nam *Tác giả liên hệ, email: [email protected] Trong bài báo này, chúng tôi phát triển mô hình Debye tương quan phi điều hòa để nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất đến hệ số Debye-Waller của phổ cấu trúc tinh tế hấp thụ tia X mở rộng (EXAFS) của các kim loại. Biểu thức hệ số Grüneisen được xây dựng gần đây được chúng tôi sử dụng để thiết lập biểu thức giải tích phụ thuộc áp suất của hằng số lực hiệu dụng, tần số và nhiệt độ Debye. Kết hợp với mô hình Debye tương quan phi điều hòa, chúng tôi thu được biểu thức của hệ số Debye-Waller phổ EXAFS phụ thuộc áp suất. Kết quả tính toán số cho các kim loại Fe và Cu cho kết quả khá phù hợp với thực nghiệm. High-pressure EXAFS Debye-Waller factors of metals Nguyen Viet Tuyen1, Tran Thi Hai2, Nguyen Thi Hong2 and Ho Khac Hieu3* 1 Faculty of Physics, VNU University of Science 2 Hong Duc University, Thanhhoa, Vietnam 3 Duy Tan University, Danang, Vietnam *Corresponding author, email: [email protected] The anharmonic correlated Debye model has been developed to investigate the pressure effects on the extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) Debye-Waller factors of metals. The recent well-established Grüneisen parameter expressions have been applied to formulate the pressure-dependent analytical expressions of the effective spring constant, correlated Debye frequency and temperature. Combing with the anharmonic correlated Debye model, the expression of EXAFS Debye–Waller factor under pressure can be derived. Numerical calculations, performed for Fe and Cu metals show reasonable agreement with experiments. 17 P1-3. Hiệu ứng quang kích thích trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế vô hạn Hoàng Văn Ngọc, Nguyễn Vũ Nhân, Đinh Quốc Vương Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Hiệu ứng quang kích thích với tán xạ điện tử - phonon quang trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế vô hạn đã được nghiên cứu. Trên cơ sở phương trình động lượng tử cho các electron dưới tác dụng của một sóng điện từ phân cực phẳng, một trường điện không đổi và một trường laser cường độ cao, biểu thức giải tích của mật độ dòng điện một chiều cho trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang đã được tính toán. Từ đó thấy được sự phụ thuộc của dòng điện một chiều vào cường độ F và tần số Ω của trường laser, vào tần số ω của sóng điện từ, vào nhiệt độ của hệ. Biểu thức giải tích được tính toán số và vẽ đồ thị cho một dây lượng tử cụ thể là GaAs/AlGaAs. Tất cả những kết quả trên sẽ được so sánh với bán dẫn khối và siêu mạng để chỉ ra những khác biệt. The photon - Drag effect in rectangular quantum wire with an infinite potential Hoang Van Ngoc, Nguyen Vu Nhan, and Dinh Quoc Vuong Faculty of Physics, VNU University of Sciences The photon - drag effect with optical phonon-electron scattering in rectangular quantum wire with an infinite potential is studied. Based on the quantum kinetic equation for electrons under the action of a linearly polarized electromagnetic wave, a dc electric field and an intense laser field, analytic expressions for the density of the direct current for the case of electron – optical phonon scattering are calculated. The dependence of the direct current density on the intensity F and the frequency Ω of the laser radiation field, the frequency ω of the linearly polarized electromagnetic wave, the temperature T of the system is obtained. The analytic expressions are numerically evaluated and plotted for a specific quantum wire, GaAs/AlGaAs. All these results of quantum wire are compared with bulk semiconductors and superlattices to show the differences. 18 P1-4. Hiệu ứng từ nhiệt điện trong hố lượng tử với thế parabol dưới sự có mặt của sóng điện tử: trường hợp tán xạ điện tử phonon âm Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Thị Thanh Nhàn và Đào Thu Hằng Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Chúng tôi nghiên cứu về hiệu ứng từ nhiệt điện trong hố lượng tử với thế parabol (HLTP) dưới sự có mặt của sóng điện từ (SĐT). Biểu thức giải tích của hệ số Ettingshausen (HSET) trong HLTP dưới sự có mặt của SĐT được tìm ra bằng cách sử dụng phương trình động lượng tử cho electron. Sự phụ thuộc của HSET vào biên độ, tần số SĐT, các thông số đặc trưng cho hố lượng tử và đặc biệt sự phụ thuộc của HSET vào gradien nhiệt độ đã được tìm ra. Các kết quả được tính toán số, vẽ và thảo luận cho hố lượng tử GaAs/GaAsAl để thấy được sự phụ thuộc của HSET vào các thông số trên và các kết quả trong trường hợp này đươc so sánh với trường hợp bán dẫn khối. Chúng tôi nhận thấy rằng HSET giảm khi nhiệt độ tăng và HSET trong HLTP có giá trị lớn hơn 10 2 lần so với bán dẫn khối. Ngoài ra khi biên độ của SĐT tăng thì HSET giảm nhanh về không. Đây là kết quả mới mà chúng tôi nghiên cứu được. Từ khóa: Ettingshausen, hố lượng tử, sóng điện từ, thế parabol, GaAs/GaAsAl Magneto-thermoelectric effects in quantum well with parabolic potential in the presence of electromagnetic wave: the electron-acoustic phonon interaction Nguyen Quang Bau, Nguyen Thi Thanh Nhan and Dao Thu Hang Faculty of Physics, Hanoi University of Sciences, Vietnam National University, 334, Nguyen Trai Str., Thanh Xuan Dist., Hanoi. We have studied magneto-thermomagnetric effects in the Quantum Well with parabolic potential (QWPP) in the presence of Electromagnetic wave (EMW). The analytic expression for Ettingshausen coefficient (EC) in the QWPP in the presence of EMW is calculated by using the quantum kinetic equation for electrons. The dependence of EC on the frequency, the amplitude of EMW, the Quantum Well parameters and especially the dependence of EC on temperature gradient are obtained. The results are numerically calculated, plotted, and discussed for GaAs/GaAsAl Quantum Well to clearly show the dependence of EC in QWPP on above parameters and the results in this case are compared with the case in the bulk semiconductors. We realize that the EC decreases consecutively when temperature increases and the EC in QWPP has a 10 2 time bigger value than that in the bulk semiconductors. When the amplitude of EMW increases, the EC reduces to zero faster. This is the new results which we have already studied. Keywords: Ettingshausen, Quantum well, Electromagnetic wave, parabolic potential, GaAs/GaAsAl 19 P1-5. Mô phỏng Monte Carlo chuẩn tắc lớn hệ các muối đơn và đa trị và ứng dụng để nghiên cứu áp suất thẩm thấu của hệ DNA Nguyễn Viết Đức Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG Hà Nội Trong những năm gần đây, bài toán về sự ngưng tụ của DNA trong dung dịch với các phản iôn đa trị đang được quan tâm nghiên cứu, với tiềm năng hứa hẹn phát triển công nghệ nano dựa trên DNA để chế tạo thiết bị với kích cỡ nano ứng dụng trong y sinh học như: cảm biến sinh học, truyền dẫn thuốc…việc nghiên cứu các hệ liên quan tới ADN là rất quan trọng để nâng tầm hiểu biết của chúng ta về các quá trình sinh học, đồng thời giúp cho việc phát triển các ứng dụng y sinh học như trị liệu gene, chữ trị ung thư, vi rút, nghiên cứu quá trình tiến hóa, công nghệ sinh học, hay nghiên cứu tin sinh học… Trong môi trường nước, DNA tích điện âm, với mật độ điện tích lớn, do vậy, tương tác tĩnh điện và hiệu ứng màn chắn đóng một vai trò quan trọng trong việc quyết định các tích chất cấu trúc và chức năng sinh học của các hệ sinh học chứa DNA. Đặc biệt là phản ion đa hóa trị ảnh hưởng lớn tới sự ngưng tụ của DNA. Chúng tôi sẽ dựa vào các mô hình ion đơn giản với các cấu trúc xoắn kép của ADN để mô tả hệ. Chúng tôi sẽ sử dụng tập hợp thống kê chuẩn tắc lớn để mô phỏng hệ. Phương pháp tập hợp mở rộng được dùng để tính áp suất thẩm thấu của hệ. Áp suất này tỉ lệ với tương tác hiệu dụng của các phân tử ADN trong dung môi, do đó việc nghiên cứu áp suất này sẽ giúp nghiên cứu tương tác tĩnh điện của hệ ADN. Trong báo cáo này, chúng tôi nghiên cứu bài toán ngưng tụ DNA trong dung dịch muối với phản ion hóa trị 2. Kết quả này được ứng dụng để tính áp suất thẩm thấu của hệ DNA ngưng tụ trong dung dịch hỗn hợp muối đơn và đa hóa trị. Grand canonical Monte Carlo simulation of salt mixtures and an application to study osmotic pressure of DNA bundle Nguyen Viet Duc Faculty of Physics, VNU University of Science The problem of DNA condensation in the presence of multivalent counterions has seen a strong revival of interest in recent years. This is because of the promising development of DNA-based nanotechnology that can be controlled exquisitely at nanoscale into precise 2D and 3D shapes. This has the potential to enables the fabrication of precise nanoscale devices that have already shown great potential for biomedical applications such as: drug delivery, biosensing, and synthetic nanopore formation. Further more, DNA study enables us to find effective ways of gene delivery for the rapidly growing field of genetic therapy. DNA viruses such as bacteriophages provide excellent study candidates for this purpose. One can package genomic DNA into viruses, then deliver and release the molecule into targeted individual cells. Recently there is a large biophysics literature dedicated to the problem of DNA condensation (packaging and ejection) inside bacteriophages. Because DNA is a strongly charged molecule in aqueous solution, electrostatics and the screening condition of the 20
- Xem thêm -

Tài liệu liên quan