BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM
CHƯƠNG TRÌNH KHCN CẤP NHÀ NƯỚC KC.01/06-10
"NGHIÊN CỨU, PHÁT TRIỂN VÀ ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ
THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG"
BÁO CÁO TỔNG HỢP
KẾT QUẢ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ ĐỀ TÀI
“NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ, CHẾ TẠO HỆ THỐNG TRUYỀN DẪN
QUANG, THIẾT BỊ TRUY NHẬP BĂNG THÔNG RỘNG VÀ ỨNG DỤNG
VÀO MẠNG VIỄN THÔNG THẾ HỆ MỚI (NGN) Ở VIỆT NAM”
Mã số: KC.01-06/06-10
Cơ quan chủ trì đề tài: Viện Khoa học vật liệu
Chủ nhiệm đề tài: PGS.TS. Phạm Văn Hội
8189
Hà nội – 2009
BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM
CHƯƠNG TRÌNH KHCN CẤP NHÀ NƯỚC KC.01/06-10
"NGHIÊN CỨU, PHÁT TRIỂN VÀ ỨNG DỤNG CÔNG NGHỆ
THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG"
BÁO CÁO TỔNG HỢP
KẾT QUẢ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ ĐỀ TÀI
“NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ, CHẾ TẠO HỆ THỐNG TRUYỀN DẪN
QUANG, THIẾT BỊ TRUY NHẬP BĂNG THÔNG RỘNG VÀ ỨNG DỤNG
VÀO MẠNG VIỄN THÔNG THẾ HỆ MỚI (NGN) Ở VIỆT NAM”
Mã số: KC.01-06/06-10
Chủ nhiệm đề tài
Cơ quan chủ trì đề tài
(ký tên)
PGS.TS. Phạm Văn Hội
Ban chủ nhiệm chương trình
(ký tên)
(ký tên và đóng dấu)
PGS.TS. Nguyễn Quang Liêm
Bộ Khoa học và Công nghệ
(ký tên và đóng dấu khi gửi lưu trữ)
Hà nội – 2009
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
MỤC LỤC
Trang
Mở đầu
1
Chương 1. Các kết quả nghiên cứu công nghệ chế tạo khuếch đại quang
sợi pha tạp Erbium ...........................................................................3
1.1.
Tổng quan về các vấn đề cần nghiên cứu cho công nghệ
chế tạo khuếch đại quang sợi pha tạp Erbium (EDFA)..................... 3
1.2. Sơ lược về tính chất quang của ion Erbium trong thủy tinh…………5
1.3.
Hệ khuếch đại quang sợi pha tạp Erbium …………………………..12
1.4. Tính chất quang của thủy tinh pha tạp Erbium nồng độ cao………...19
1.5.
Vai trò của thủy tinh nền và các ion đồng pha tạp ………………….22
1.6. Tạp âm trong khuếch đại quang EDFA …………………………….26
1.7. Các phương trình tính toán cho EDFA……………………………...31
1.8.
Kết quả nghiên cứu thiết kế nguồn bơm cho EDFA………………..36
1.9.
Kết quả nghiên cứu công nghệ chế tạo EDFA trong
khuôn khổ đề tài…………………………………………………….51
1.10. Kết quả thử nghiệm thiết bị EDFA trên mạng thông tin
quang thực tế………………………………………………………..68
1.11. Tài liệu tham khảo chương 1………………………………………. 73
Chương 2. Kết quả nghiên cứu chế tạo khuếch đại quang bán dẫn ..............77
2.1. Tổng quan về các vấn đề cần nghiên cứu cho công nghệ
chế tạo khuếch đại quang bán dẫn (SOA)..........................................77
2.2. Tóm tắt cơ sở lý thuyết cho khuếch đại quang trong bán dẫn.............78
2.3. Nguyên lý thiết kế linh kiện khuếch đại quang bán dẫn SOA.............86
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
2.4. Kết quả thiết kế và chế tạo phần điện tử cho SOA..............................92
2.5. Kết quả thiết kế và chế tạo phần mềm điều khiển cho SOA...............97
2.6. Kết quả thử nghiệm SOA trong điều kiện Phòng Thí Nghiệm...........99
2.7. Kết quả chế tạo và đo đạc các thông số cơ bản của SOA..................106
2.8. Tài liệu tham khảo chương 2.............................................................114
Chương 3. Các kết quả nghiên cứu về các bộ phát và thu tín hiệu quang
tốc độ STM1-STM16.................................................................115
3.1.
Sơ lược cơ sở vật lý của bộ phát tín hiệu quang trong
mạng viễn thông quang sợi..............................................................115
3.2.
Thiết kế các bộ phát tín hiệu quang tốc độ từ 155Mb/s
đến 2,5 Gb/s.....................................................................................126
3.3.
Sơ lược cơ sở vật lý của bộ thu tín hiệu quang trong mạng
viễn thông quang sợi........................................................................138
3.4.
Thiết kế bộ thu tín hiệu thông tin quang tốc độ STM 1
– STM4) bằng chương trình chuyên dụng.......................................148
Chương 4. Các kết quả nghiên cứu thiết kế và chế tạo thiết bị
truy nhập toàn quang NxE1.........................................................156
4.1. Thiết kế và chế tạo thiết bị truy nhập mạng quang 4xE1.................156
4.2. Thiết kế và chế tạo thiết bị truy nhập mạng quang 16xE1...............167
4.3. Các kết quả nghiên cứu thiết kế và xây dựng tuyến thông tin quang
tốc độ STM1 (155Mb/s) có sử dụng truy nhập tòan quang..............177
4.4.
Tài liệu tham khảo chương 4...........................................................177
Chương 5. Kết quả đạt được của đề tài.......................................................178
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
5.1.
Các sản phẩm dạng 1 của đề tài......................................................178
5.2.
Sản phẩm dạng II trong đề tài.........................................................183
5.3.
Các sản phẩm dạng III (công bố KHCN và đào tạo) của đề tài......184
VI. Kết luận và kiến nghị
6.1.
Kết luận...........................................................................................185
6.2.
Kiến nghị.........................................................................................186
Lời cảm ơn.....................................................................................................187
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT
Kí hiệu
Tiếng Anh
Tiếng Việt
ASE
Amplified Spontaneous Emission
Phát xạ tự phát được khuếch đại
ESA
Excited State Absorption
Hấp thụ ở trạng thái kích thích
WDM
Wavelength Division Multiplexing
Ghép kênh phân chia theo bước sóng
DWDM
Dense Wavelength Division
Ghép kênh phân chia theo bước
Multiplexing
sóng mật độ cao
ED
Electric dipole
Lưỡng cực điện
MD
Magnetic dipole
Lưỡng cực từ
FWHM
Full Width At Half Maximum
Độ bán rộng tại nửa cực đại
EDFA
Erbium Doped Fiber Amplifier
Bộ khuếch đại sợi pha tạp Er
EYDFA
Erbium Ytterbium Doped Fiber
Bộ khuếch đại bộ pha tạp Er- Yb
Amplifier
IO
Integrated Optics
Quang tổ hợp
MCVD
Modified Chemical Vapor
Lắng đọng pha hơi hóa
Deposition
học cải biến
RE
Rare Earth
Đất hiếm
SiO2
Silica
Thủy tinh SiO2
SiO2-Al2O3
Silica-Alumina
Thủy tinh SiO2-Al2O3
DFB laser
Distributed Feedback Laser
Laser phản hồi phân bố
DBR laser
Distributed Bragg Reflector Laser
Laser phản xạ Bragg phân bố
SOA
Semiconducter optical Amplifier
Khuếch đại quang bán dẫn
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
DANH MỤC CÁC BẢNG
Trang
Bảng 1.1.
Bảng 1.2.
Bảng 1.3.
Bảng 1.4.
Bảng 1.5.
Bảng 1.6.
Chức năng và điện áp hoạt động của các chân kết nối giữa module
EDFA và mạch chủ của hệ thống thông tin quang
Công suất tín hiệu ra Pra và hệ số khuếch đại G của sợi pha tạp
C1400 khi thay đổi công suất bơm (bơm đồng hướng)
Công suất tín hiệu ra và hệ số khuếch đại khi thay đổi công suất
bơm cho sợi ISOGAIN I-6 tại bước sóng 1552 nm
Công suất tín hiệu ra và hệ số khuếch đại của sợi ISOGAIN I-6
tại bước sóng 1533,5 nm và 1557,5 nm
Công suất tín hiệu ra và hệ số khuếch đại của sợi HCO-4000
chiều dài 3,6 mét khi thay đổi công suất bơm
Kết quả thí nghiệm thay đổi công suất tín hiệu vào trên các sợi
C1400
Bảng 1.7. Hệ số khuếch đại G của EDFA sử dụng sợi ISOGAIN I-6 khi
thay đổi công suất tín hiệu vào Pvào
Bảng 1.8. Công suất tín hiệu ra và hệ số khuếch đại của sợi HCO-4000
chiều dài 3,6 mét khi thay đổi công suất tín hiệu vào
Bảng 1.9. Công suất tín hiệu ASE phụ thuộc vào công suất bơm của sợi
C1400 chiều dài 6 mét
Bảng 1.10. Công suất ASE của sợi ISOGAIN I-6, chiều dài 12 mét
Bảng 1.11. Hệ số tạp âm của các EDFA sử dụng sợi pha tạp C1400 có chiều
dài L khác nhau khi thay đổi công suất bơm
Bảng 1.12. Các thông số chính của thiết bị EDFA đã chế tạo
Bảng 3.1. Danh mục các linh kiện cho bộ phát STM16
Bảng 3.2. Danh mục các linh kiện điện tử cho khối thu và phát của
modul STM1,4
49
55
57
58
59
60
61
62
63
64
66
70
138
155
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Bảng 4.1.
Bảng 4.2.
Bảng 5.1.
Bảng 5.2.
Bảng 5.3.
Bảng 5.4.
Bảng 5.5
Bảng 5.6.
Bảng 5.7.
Các thông số của bộ truy nhập toàn quang 4 x E1
Các thông số của bộ truy nhập toàn quang 16 x E1
Phần Quang tử của EDFA
Phần Điện tử của EDFA
Phần Quang tử của SOA
Phần Điện tử của SOA
Các thông số chính của bộ phát tín hiệu quang STM1,4
Các thông số chính của bộ thu tín hiệu quang STM1,4
Các thông số chính của thiết bị NxE1:
165
175
178
179
179
180
181
181
182
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ
Trang
Hình 1.1.
Các mức Stark của ion Er3+ pha tạp trong thủy tinh
Hình 1.2.
Các chuyển dời phát xạ huỳnh quang từ mức 4I13/2 về mức 4I15/2
Hình 1.3.
4
7
4
Các chuyển dời hấp thụ (Absorption) từ mức I15/2 lên mức I13/2
8
9
Hình 1.4. Phổ tiết diện hấp thụ và phát xạ từ thực nghiệm (a) và từ lý thuyết
mở rộng thuần nhất (b)
11
Hình 1.5.
Mặt cắt ngang của sợi pha tạp Er3+
12
Hình 1.6.
Cường độ hấp thụ và phát xạ theo bước sóng của sợi pha tạp Er
13
Hình 1.7.
Cấu hình hệ EDFA bơm đồng hướng
14
Hình 1.8.
Công suất bơm và công suất tín hiệu trong cấu hình bơm đồng hướng
14
Hình 1.9.
Cấu hình hệ EDFA bơm ngược hướng
15
Hình 1.10. Công suất bơm và công suất tín hiệu trong cấu hình bơm ngược hướng 16
Hình 1.11. Cấu hình hệ EDFA bơm song công
16
Hình 1.12. Các chuyển dời chuyển đổi ngược
20
Hình 1.13. Phổ phát xạ của ion Er3+ trong thủy tinh silica với các đồng
pha tạp khác nhau
23
Hình 1.14. Tiết diện phát xạ của các loại thủy tinh khác nhau pha tạp Er3+
24
Hình 1.15. Sơ đồ chuyển dời giữa các mức năng lượng của ion Yb3+ và Er3+
25
Hình 1.16. Phổ phát xạ của Er3+ với bước sóng kích thích λ = 975nm
26
Hình 1.17. Sự thay đổi dạng phổ ASE phụ thuộc công suất quang bơm
27
Hình 1.18. Minh họa phương pháp tính hệ số tạp âm NF bằng thực nghiệm
30
Hình 1.19. Mô hình 3 mức năng lượng của hệ EDFA
32
Hình 1.20. Sơ đồ bên trong của module laser bán dẫn họ SDLO 2564 980nm
37
Hình 1.21. Sơ đồ nguyên lý của mạch ổn định nhiệt độ
38
Hình 1.22. Sơ đồ nguyên lý của mạch điều khiển dòng điện qua diode laser
40
Hình 1.23. Sơ đồ phần cứng của mạch điều khiển hệ EDFA
43
Hình 1.24. Sơ đồ hoạt động của chương trình hệ thống
45
Hình 1.25. Sơ đồ mạch điện của hệ điều khiển module EDFA
47
Hình 1.26. Sơ đồ mạch điện tử của bộ khuếch đại quang EDFA
48
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Hình 1.27. Sơ đồ các linh kiện quang tử trong bộ khuếch đại EDFA
48
Hình 1.28. Kết quả theo dõi các thông số của EDFA trên màn hình vi tính
50
Hình 1.29. Máy phân tích quang phổ ADVANTEST Q8384
52
Hình 1.30. Sự thay đổi công suất quang theo dòng bơm của laser SDLO
53
Hình 1.31. Phổ tín hiệu lối ra của EDFA sợi C1400 dài 5 mét
54
Hình 1.32. Hệ số khuếch đại của sợi pha tạp C1400 chiều dài 6 mét, bơm
đồng hướng tại hai bước sóng tín hiệu 1533,5 nm và 1557,5 nm
56
Hình 1.33. Phổ tín hiệu lối ra của EDFA sử dụng sợi
HCO-4000, chiều dài 3,6 mét
59
Hình 1.34. Phổ ASE của sợi C1400, chiều dài 6 mét, bơm đồng hướng với
công suất bơm khác nhau
63
Hình 1.35. Phổ tín hiệu lối ra của sợi HCO-4000, chiều dài 3,6 mét khi có
và không có tín hiệu vào
65
Hình 1.36. Hệ số tạp âm của các EDFA sử dụng sợi pha tạp C1400 với chiều dài
5 mét, 6 mét, 8 mét và 10 mét
67
Hình 1.37. Sự phụ thuộc của công suất tín hiệu ra và hệ số tạp âm vào
công suất bơm cho sợi pha tạp HCO-4000 chiều dài 3,6 mét
68
Hình 1.38. Thiết bị EDFA chế tạo đã lắp ráp trên tuyến thông tin quang
69
Hình 1.39. Thiết bị EDFA đang hoạt động trên tuyến tốc độ 2,5 Gb/s
72
Hình 1.40. Kết quả theo dõi tỷ số lỗi bit trong tuyến thông tin quang
có sử dụng EDFA
72
Hình 2.1.
Sơ đồ vùng năng lượng trong chất bán dẫn có pha tạp suy biến
81
Hình 2.2.
Sơ đồ chuyển tiếp p-n khi không có thiên áp (a) và khi
có thiên áp (b)
Sơ đồ chuyển tiếp p-n có cấu trúc dị thể ở trạng thái cân bằng nhiệt
không có thiên áp (trên) và khi có thiên áp thuận (dưới)
Hình 2.4. Sơ đồ mạch điện của modul SOA
84
Hình 2.3.
84
93
Hình 2.5a,b. a) Sơ đồ bố trí linh kiện dùng cho lắp ráp b) Sơ đồ mạch in mặt trên
của card điện tử
Hình 2.6a,b. a) Sơ đồ mạch in mặt dưới của card điện tử b) Sơ đồ lỗ chân linh
94
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
kiện trong card điện tử
Hình 2.7. Mạch in chế tạo và tấm toả nhiệt cho card điện tử
95
96
Hình 2.8. Card điện tử nuôi và điều khiển cho SOA sau khi lắp ráp các linh kiện
Quang tử
96
Hình 2.9. Thiết bị SOA sau khi đã được chế tạo hoàn chỉnh
98
Hình 2.10. Phổ ASE trên lý thuyết (1) và thực nghiệm (2)
100
Hình 2.11. Sự phụ thuộc của hệ số khuếch đại SOA vào công suất quang
tín hiệu lối ra
Hình 2.12. Sơ đồ đo đặc trưng độ khuếch đại của khuếch đại quang bán dẫn
102
103
Hình 2.13. Đường đặc trưng độ khuếch đại phụ thuộc dòng bơm của module
SOA tại các giá trị tín hiệu vào
104
Hình 2.14. Độ khuếch đại phụ thuộc theo nhiệt độ hoạt động của SOA
105
Hình 2.15. Độ khuếch đại phụ thuộc theo độ ẩm của môi trường
106
Hình 2.16. Hình ảnh bên trong của module SOA trong quá trình ghép nối quang
106
Hình 2.17. Minh hoạ sơ đồ đo đặc trưng công suất ASE sử dụng máy đo Diode
109
Hình 2.18. Sơ đồ đo phổ ASE
109
Hình 2.19. Sơ đồ đo đặc trưng độ khuếch đại của khuếch đại quang bán dẫn
110
Hình 2.20. Đặc trưng công suất ASE phụ thuộc dòng hoạt động của SOA
111
Hình 2.21. Phổ bức xạ tự phát ASE của module SOA
111
Hình 2.22. Đặc trưng độ khuếch đại phụ thuộc công suất lối ra
112
Hình 2.23. Đặc trưng độ khuếch đại phụ thuộc dòng bơm
113
Hình 3.1.
Cấu trúc của laser bán dẫn và bộ cộng hưởng Faby-Perot của laser
117
Hình 3.2.
Các mode dao động trong buồng cộng hưởng của laser
118
Hình 3.3.
Sơ đồ laser bán dẫn cấu trúc dị thể kép (DHL)
120
Hình 3.4.
Cấu trúc laser dị thể chôn (BH-laser diode)
121
Hình 3.5.
Cấu trúc laser DFB (trái) và laser DBR (phải)
122
Hình 3.6.
Đường đặc trưng P-I của laser 1,3µm ở các nhiệt độ khác nhau
126
Hình 3.7.
Sơ đồ khối của hệ thu phát quang trên đường trục thông tin
127
Hình 3.8.
Cấu trúc của laser FP
128
Hình 3.9.
Phổ phát xạ của laser FP
128
Hình 3.10.
Đặc trưng IP của laser bán dẫn
129
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Hình 3.11.
Điều chế trực tiếp
130
Hình 3.12.
Điều chế từ bên ngoài
130
Hình 3.13.
Sơ đồ điện tử của mođul phát STM1,4
131
Hình 3.14.
Mạch in của modul phát STM1-4
132
Hình 3.15.
Đặc trưng cấu trúc và phổ của laser DFB
133
Hình 3.16.
Cấu trúc của chip laser 2MOE5816 và 4MOE5496
134
Hình 3.17.
Sơ đồ khối điều khiển công suất phát laser
136
Hình 3.18.
Sơ đồ khối cho mạch phát STM16
137
Hình 3.19.
Bản mạch in (4 lớp) của hệ thu phát tích hợp STM16
138
Hình 3.20.
Sơ đồ chuyển tiếp p-n của bộ thu quang bán dẫn
141
Hình 3.21.
Hình dáng xung quang điện của bộ thu quang bán dẫn
143
Hình 3.22.
Sơ đồ chuyển tiếp p-i-n của bộ thu quang bán dẫn
144
Hình 3.23.
Sơ đồ của bộ thu quang bán dẫn APD
146
Hình 3.24.
Sơ đồ khối của hệ thu phát quang trên đường trục thông tin
149
Hình 3.25.
Sơ đồ cấu trúc của PIN – Detector
150
Hình 3.26.
Cấu trúc cơ bản của đầu thu APD
151
Hình 3.27.
Cấu trúc đầu thu PIN kèm khuyếch đại quang
152
Hình 3.28.
Sơ đồ mạch điện tử Modul thu quang STM1,4
154
Hình 3.29.
PCB – Receiver
155
Hình 4.1.
Sơ đồ hệ thống E1
156
Hình 4.2.
Các phân cấp PDH theo tiêu chuẩn Châu Âu và Bắc Mỹ
157
Hình 4.3.
Giản đồ ghép theo thời gian
158
Hình 4.4.
Cấu trúc khung chèn E2
159
Hình 4.5.
Sơ đồ khối thiết bị PDH 4E1
160
Hình 4.6.
Sơ đồ nguyên lý tổng thể OPTIMUX-4E1
161
Hình 4.7.
Sơ đồ nguyên lý khối giao tiếp luồng OPTIMUX-4E1
162
Hình 4.8.
Sơ đồ nguyên lý khối biến áp OPTIMUX-4E1
162
Hình 4.9.
Sơ đồ nguyên lý khối ghép/tách luồng OPTIMUX-4E1
163
Hình 4.10. Sơ đồ nguyên lý khối xử lý E2 OPTIMUX-4E1
163
Hình 4.11. Sơ đồ nguyên lý khối thu phát quang OPTIMUX-4E1
164
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Hình 4.12. Sơ đồ nguyên lý khối nguồn OPTIMUX-4E1
165
Hình 4.13. Cấu hình mạng chung
166
Hình 4.14a,b Một số sơ đồ ứng dụng thiết bị theo cấu trúc điểm-điểm
166
Hình 4.14c. Một số sơ đồ ứng dụng thiết bị theo cấu trúc điểm-điểm
167
Hình 4.15. Giản đồ ghép theo thời gian
167
Hình 4.16. Cấu trúc khung chèn E2
168
Hình 4.17. Cấu trúc khung chèn E3
169
Hình 4.18. Sơ đồ khối thiết bị PDH 16E1
170
Hình 4.19. Sơ đồ khối giao tiếp luồng
170
Hình 4.20. Sơ đồ khối khối thu phát quang
172
Hình 4.21. Sơ đồ nguyên lý khối ghép tách kênh và xử lí tín hiệu ghép
kênh bằng FPGA
173
Hình 4.22. Sơ đồ nguyên lý khối giao tiếp luồng
173
Hình 4.23. Sơ đồ nguyên lý khối thu phát quang
174
Hình 4.24. Sơ đồ nguyên lý khối nguồn
174
Hình 4.25. Sử dụng thiết bị theo cấu hình điểm-điểm
176
Hình 4.26. Sử dụng thiết bị theo cấu hình ring có xen/rẽ
176
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
MỞ ĐẦU
Mạng thông tin quang sợi (TTQ) của Việt nam hiện đang được mở rộng và
hiện đại hóa rất nhanh theo từng năm. Các mạng thông tin quang đường trục
của các Hãng khai thác viễn thông lớn trong nước đều đã nâng dung lượng
truyền-thu lên hàng chục Gigabít/giây khi sử dụng công nghệ ghép kênh theo
bước sóng WDM. Gần đây nhất, mạng TTQ của VietTel đã được nâng cấp lên
dung lượng đến 400 Gb/s sử dụng ghép 40 bước sóng trong một sợi quang với
tốc độ bít mỗi bước sóng đạt 10 Gb/s. Khi mạng TTQ đường trục đã sử dụng
các công nghệ hiện đại vào bậc nhất trên thế giới, vấn đề nghiên cứu làm chủ
các cơ chế vận hành của mạng, bảo trì và sửa chữa các thiết bị sử dụng trong
mạng và từng bước tiến tới làm chủ công nghệ chế tạo các thiết bị và linh kiện
thông tin quang phục vụ cho các mạng nhánh sẽ mở rộng trong thời gian tới đã
trở nên rất cấp thiết.
Đề tài với mục tiêu nghiên cứu công nghệ chế tạo một số linh kiện và thiết bị
cơ bản cho các tuyến thông tin quang SDH-STM1 với tốc độ 155Mb/s, trong đó
thiết bị truy nhập toàn quang cấp luồng NxE1và khuếch đại quang là các thiết bị
dự kiến có nhu cầu sử dụng cao trong quá trình phát triển và mở rộng mạng
TTQ nhánh. Trong tình hình công nghệ chế tạo thiết bị TTQ ở trong nước chưa
được phát triển, các mục tiêu nghiên cứu công nghệ chế tạo thiết bị của đề tài
KC.01-06/06-10 có khả năng mang lại hiệu quả tốt, đặc biệt có ý nghĩa quan
trọng cho các mạng thông tin quang phục vụ an ninh quốc phòng là các mạng
thông tin yêu cầu có độ bảo mật cao.
Đề tài có 4 mục tiêu cụ thể nhằm nghiên cứu công nghệ chế tạo một số linh
kiện, thiết bị thu phát tín hiệu quang, truy nhập mạng quang và khuếch đại
quang sử dụng trong tuyến thông tin quang SDH thử nghiệm với tốc độ 155
1
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Mb/s. Đề tài đã phân công cụ thể các nội dung nghiên cứu công nghệ cho các
cơ quan tham gia đề tài, cụ thể như sau:
+ Viện Khoa học vật liệu, Viện Khoa học và Công nghệ Việt nam chịu trách
nhiệm nghiên cứu công nghệ chế tạo thiết bị khuếch đại quang, bao gồm cả
khuếch đại quang sợi pha tạp Erbium (EDFA) và khuếch đại quang bán dẫn
(SOA), đáp ứng được các yêu cầu sử dụng trên tuyến thông tin quang hiện tại
với tốc độ từ 155 Mb/s đến 2,5 Gb/s. Kết hợp với Cục Kỹ thuật, Bộ Tư lệnh
Thông tin khảo sát và đưa tuyến thông tin quang thử nghiệm SDH-STM1(tốc
độ 155 Mb/s) vào hoạt động.
+ Trung tâm Quang điện tử, Viện Ứng dụng công nghệ, Bộ Khoa học và Công
nghệ chịu trách nhiệm nghiên cứu công nghệ chế tạo mô-đun thu phát tín hiệu
quang tốc độ 155-622 Mb/s sử dụng trong các thiết bị truy nhập toàn quang,
bước đầu tìm hiểu thiết kế các mô-đun thu phát tín hiệu quang tốc độ 2,5 Gb/s.
+ Cục Kỹ thuật, Bộ Tư lệnh Thông tin Liên lạc, Bộ Quốc phòng chịu trách
nhiệm nghiên cứu công nghệ chế tạo thiết bị truy nhập quang 4xE1 và 8xE1 sử
dụng trong mạng toàn quang
+ Cục Kỹ thuật, BTLTTLL xây dựng tuyến thông tin quang thử nghiệm SDHSTM1 độ dài đến 70 km, Viện KHVL kết hợp khảo sát và đưa tuyến thông tin
quang thử nghiệm vào hoạt động.
Báo cáo tổng kết này sẽ trình bày các kết quả nghiên cứu chính đã đạt được
của đề tài theo các nội dung đã được phân công cho các đơn vị tham gia đề tài.
Các cơ chế vật lý và công nghệ của các thiết bị, linh kiện quang-điện tử và
quang tử và các nghiên cứu chi tiết về công nghệ chế tạo thiết bị và linh kiện đã
đăng ký và đạt được sẽ trình bày ở các phần chuyên đề sản phẩm của đề tài.
2
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
CHƯƠNG 1
CÁC KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO KHUẾCH ĐẠI
QUANG SỢI PHA TẠP ERBIUM
I.1. Tổng quan về các vấn đề cần nghiên cứu cho công nghệ chế tạo khuếch
đại quang sợi pha tạp Erbium (EDFA)
Nguyên lý hoạt động của các bộ khuếch đại quang nói chung đều dựa trên các
cơ sở vật lý sau:
• Có môi trường khuếch đại quang (Pra > Pvào);
• Có nguồn bơm (điện, quang…).
Hiện nay có ba loại khuếch đại quang đang sử dụng trong các mạng thông tin
quang sợi là: khuếch đại quang sợi pha tạp Erbium (Erbium Doped Fiber
Amplifier – EDFA), khuếch đại quang bán dẫn (Semiconductor Optical
Amplifier – SOA) và khuếch đại quang sử dụng môi trường tán xạ Raman
cưỡng bức (Raman Optical Amplifier –ROA).
Trên cơ sở vật lý, môi trường khuếch đại quang đều phải tuân thủ các yêu cầu
sau đây :
+ Tốc độ bức xạ cưỡng bức tại bước sóng khuếch đại Rstim (λ) phải lớn hơn tốc
độ hấp thụ Rabs (λ) tại bước sóng đó.
+ Để có điều kiện Rstim (λ) > Rabs (λ), mật độ nguyên tử N2 trên mức năng
lượng kích thích E2 phải lớn hơn mật độ nguyên tử N1 ở mức năng lượng cơ bản
E1. Trạng thái phân bố ion trong môi trường này được gọi là trạng thái đảo mật
độ phân bố. Để môi trường có trạng thái đảo mật độ phân bố, ta phải phá vỡ
trạng thái cân bằng nhiệt bằng phương pháp sử dụng hệ 3 hoặc 4 mức năng
3
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
lượng (trong các môi trường phân tử) hoặc bằng phương pháp pha tạp suy biến
nặng trong bán dẫn và sử dụng chuyển tiếp p-n.
+ Các ion Erbium có hệ các mức năng lượng 4I15/2; 4I13/2 ; 4I11/2; 4I9/2 ..., trong đó
chuyển dời phát xạ giữa mức siêu bền 4I13/2 và mức cơ bản 4I15/2 cho hiệu suất
phát xạ cao, phù hợp với vùng có suy hao quang thấp nhất trong sợi quang
(1550nm),vì vậy ion Erbium được nghiên cứu và ứng dụng rất rộng rãi trong
khuếch đại quang và laser cho thông tin quang.
+ Sợi quang là môi trường truyền dẫn quang lý tưởng hiện nay với hệ số suy
hao thấp (α < 0,2 dB/km tại bước sóng 1550 nm), vì vậy sợi quang pha tạp
Erbium được nghiên cứu chế tạo từ ngay thời điểm phát hiện phát xạ mạnh của
ion Erbium tại vùng sóng 1550 nm (năm 1987).
+ Hệ số khuếch đại quang phụ thuộc vào nồng độ các tâm hoạt tính quang trong
môi trường, vì vậy với nồng độ càng cao ta nhận được hệ số khuếch đại càng
lớn. Tuy nhiên, đa số các ion đất hiếm trong họ Lanthanide có độ hoà tan rất
thấp trong thuỷ tinh SiO2, vì vậy khi pha tạp mạnh chúng sẽ tụ đám (clustering)
và gây ra hiệu ứng dập tắt phát xạ (quenching) làm giảm hệ số khuếch đại của
môi trường khuếch đại.
+ Xu hướng tìm kiếm các công nghệ làm tăng nồng độ Er pha tạp trong thuỷ
tinh SiO2 nhưng không có tụ đám đã được nghiên cứu từ những năm 90 của thế
kỷ trước, và hiện nay vẫn đang tiếp tục tiến hành.
Nghiên cứu công nghệ chế tạo khuếch đại quang sử dụng trong mạng thông tin
quang nói chung đều phải thu được các thông số chủ yếu sau đây :
• Hệ số khuếch đại G của thiết bị;
• Băng tần khuếch đại trong dải bước sóng ∆λ (hoặc tần số ∆ν);
• Công suất ra bão hoà Psatoutput của khuếch đại;
4
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
• Thông số tạp âm (Noise Figure –NF) của bộ khuếch đại;
Ngoài ra, khuếch đại quang hoạt động trong tuyến thông tin quang thực cần nêu
được các thông số hoạt động theo yêu cầu thực tế sau đây:
+ Độ ổn định của khuếch đại trong quá trình hoạt động;
+ Thời gian hoạt động (thời gian sống danh định) của bộ khuếch đại;
+ Kiểm soát và điều hành bộ khuếch đại trong một mạng thông tin chung;
+ Giá thành bảo trì, sửa chữa, thay thế và tương thích của thiết bị.
Các yêu cầu về khuếch đại quang đã nêu ở trên sẽ là đối tượng nghiên cứu chi
tiết của đề này này với mục tiêu hoàn thiện công nghệ chế tạo EDFA sử dụng
trên tuyến thông tin quang theo tiêu chuẩn ITU-G662.
I.2. Sơ lược về tính chất quang của ion Erbium trong thủy tinh
Do sợi quang chế tạo bằng vật liệu thủy tinh, vì vậy các nghiên cứu về thủy
tinh pha tạp Erbium đã được quan tâm nghiên cứu ngay từ thời điểm nghiên cứu
phát triển EDFA. Vấn đề nghiên cứu thủy tinh không nằm trong nội dung của
đề tài này, tuy nhiên để nghiên cứu công nghệ chế tạo EDFA có hiệu quả cao
rất cần có các kiến thức về tính chất quang của ion Erbium trong thủy tinh, đặc
biệt là thủy tinh SiO2 là vật liệu chủ yếu cho chế tạo sợi quang thông tin.
I.2.1. Các mức năng lượng của ion Er3+ tự do
Cấu hình điện tử của ion Er3+ là [Xe] 4f11, số điện tử trên lớp 4f là 11, các
ion Er3+ có bán kính quỹ đạo của các điện tử lớp 5s2 và 5p6 nằm bên ngoài bán
kính quỹ đạo của lớp 4f. Tương tác của ánh sáng với ion Er3+ chỉ liên quan đến
các điện tử hóa trị thuộc lớp 4f, nhưng với sự che chắn của các điện tử nằm bên
ngoài thuộc lớp 5s2 và 5p6 nên các ion Er3+ tương tác khá yếu với trường tinh
5
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
thể. Từ đó các ion Er3+ có tính ion tự do khá rõ rệt và tính chất quang của ion
Er3+ ít phụ thuộc vào vật liệu nền.
Do ion Er3+ tương tác yếu với vật liệu nền, nên ta có thể xem chúng là ion
tự do và trường tinh thể của vật liệu nền tham gia như một nhiễu loạn bé,
Hamiltonian của ion Er3+ tự do là Hion tự do = Htrường trung tâm + Hlực tĩnh điện + Hspin –
quỹ đạo,
số hạng Hlực tĩnh điện mô tả tương tác Coulomb của các điện tử lớp 4f và số
hạng Hspin – quỹ đạo mô tả tương tác spin - quỹ đạo của các điện tử, hai số hạng
Hlực tĩnh điện và Hspin – quỹ đạo sẽ quyết định cấu trúc các mức năng lượng của ion
Er3+ tự do.
Khi chưa xét đến trường tinh thể, các mức năng lượng của ion Er3+ tự do
là 4I15/2, 4I13/2, 4I11/2, 4I9/2, 4F9/2, 4S3/2, 2H11/2 được phân bố như trên hình 1. Do số
điện tử trên lớp 4f là lẻ nên moment toàn phần J của ion Er3+ luôn luôn là bán
nguyên, độ suy biến của mỗi mức năng lượng là g = 2J+1.
Chúng ta sẽ nghiên cứu chi tiết hơn các chuyển dời phát xạ giữa hai mức
4
I15/2 và 4I13/2 liên quan đến quá trình khuếch đại quang trong vùng bước sóng
1550 nm.
Trước hết là chuyển dời phát xạ do lưỡng cực điện (electric dipole: ED)
giữa hai mức 4I13/2 và 4I15/2 của ion Er3+ là bị cấm, bởi vì toán tử lưỡng cực điện
có đối xứng lẻ, trong khi đó cả hai trạng thái 4I13/2 và 4I15/2 đều có đối xứng chẵn
do cùng có moment quỹ đạo L = 6. Tuy nhiên do tương tác của ion Er3+ với
trường tinh thể, với sự đóng góp của các dao động đối xứng lẻ của mạng thủy
tinh và sự pha trộn các hàm sóng của điện tử lớp 4f với điện tử thuộc lớp khác
(như 5d), khả năng chuyển dời phát xạ lưỡng cực điện có thể xảy ra nhưng với
xác suất bé.
Như vậy tương tác của photon với ion Er3+ pha tạp trong thủy tinh sẽ xảy
ra theo các dạng: phát xạ lưỡng cực từ (magnetic dipole: MD), phát xạ tứ cực
điện (electric quadrupole: EQ) và phát xạ lưỡng cực điện (ED) với xác suất bé.
6
Báo cáo tổng kết đề tài cấp nhà nước mã số KC.01-06/06-10
Hình 1.1. Các mức Stark của ion Er3+ pha tạp trong thủy tinh.
Cường độ chuyển dời lưỡng cực điện lớn hơn các chuyển dời khác rất
nhiều, tỉ lệ của các cường độ chuyển dời ED:MD:EQ là 1:10-5:10-6. Bởi vì
chuyển dời phát xạ lưỡng cực điện từ mức 4I13/2 về mức cơ bản 4I15/2 có xác suất
bé nên thời gian sống của ion Er3+ nằm ở mức 4I13/2 rất lớn τ ~ 10 ms.
I.2.2. Sự tách mức do hiệu ứng Stark khi pha tạp Er3+ trong thủy tinh
Khi pha tạp ion Er3+ vào thủy tinh, tương tác của ion với trường tinh thể
là khá yếu so với tương tác tĩnh điện và tương tác spin – quỹ đạo. Nhiễu loạn do
trường tinh thể làm cho các mức năng lượng của ion Er3+ tự do khử suy biến và
tách thành các mức con nằm gần nhau như sơ đồ trên hình 1.1, các mức con có
năng lượng cách nhau cỡ 50 cm-1 và thường được gọi là các mức Stark.
Trong lĩnh vực khuếch đại quang vùng bước sóng 1550 nm chúng ta chỉ
quan tâm nghiên cứu sự tách mức của hai mức 4I15/2 và 4I13/2. Theo lý thuyết, khi
7
- Xem thêm -