ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
……………………..
DƯƠNG THỊ NGUYỆT
HIỆU ỨNG SHG TĂNG CƯỜNG NHỜ PLASMON BỀ
MẶT TRÊN CÁC CẤU TRÚC NANO KIM LOẠI
Chuyên ngành: Quang học
Mã số: 60.44.11
LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC
NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:
PGS.TS NGUYỄN THẾ BÌNH
Đại học Quốc Gia Hà Nội
Hà Nội – Năm 2011
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
MỤC LỤC
MỞ ĐẦU................................................................................................................................. 5
CHƯƠNG 1:CƠ SỞ CỦA QUANG HỌC PHI TUYẾN.................................................... 7
1.1Phương trình Maxwell trong môi trường phi tuyến...........................................7
1.2 Các hiệu ứng quang phi tuyến..............................................................................8
1.3 Sự đối xứng trong quang phi tuyến .....................................................................9
1.4 Lý thuyÕt vÒ SHG ..................................................................................................10
1.4.1 SHG truyền qua..................................................................................................10
1.4.2 SHG bề mặt ........................................................................................................12
CHƯƠNG 2: PLASMON.......................................................................................................14
2.1 Mô hình Drude về hằng số điện môi của khí e tự do .........................................14
2.2 Sù ph©n cùc plasmon t¹i c¸c giao diÖn ®iÖn m«i-kim lo¹i.................................15
2.2.1 Khái niệm plasmon bề mặt...................................................................................15
2.2.2.Lý thuyết về phân cực plasmon tại các giao diện điện môi -kim loại .................16
2.2.3 Sự kích thích plasmon bởi ánh sáng ....................................................................17
2.3 Plasmon bề mặt định xứ trong các hạt nano kim loại .......................................19
2.3.1 Cộng hưởng Plasmon bề mặt ...............................................................................19
2.3.2 Tính chất quang của các hạt nano kim loại..........................................................20
2.3.3 Cơ sở lí thuyết về plasmon bề mặt định xứ trong các hạt nano kim loạị.............24
2.4 Sự tăng cường trường định xứ quanh các cấu trúc nano kim loại.............. ....28
CHƯƠNG 3: SHG TĂNG CƯỜNG TRÊN CÁC CẤU TRÚC NANO KIM LOẠI ....... 32
3.1 Hệ số siêu phân cực β (hyperpolarizability) .................................................. ....33
3.2 SHG từ các hạt nhỏ .......................................................................................... ....33
3.2.1 Các hạt làm từ vật liệu đối xứng tâm .............................................................. ....33
3.2.2 Các hạt làm từ vật liệu không đối xứng tâm ................................................... ....40
3.3 SHG từ bề mặt kim loại và giao diện ............................................................ ....50
3.3.1 SHG tăng cường trên các khuyết tật bề mặt .................................................. ....51
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 2
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
Lêi c¶m ¬n
Lêi ®Çu tiªn em xin ®îc göi lêi c¶m ¬n s©u s¾c tíi thÇy gi¸o PGS.
TS. NguyÔn ThÕ B×nh lµ ngêi ®· trùc tiÕp híng dÉn em trong suèt thêi
gian qua vµ gióp em tõng bíc hoµn thµnh luËn v¨n cao häc cña m×nh.
Em xin ch©n thµnh c¶m ¬n bé m«n Quang lîng tö vµ khoa VËt Lýtrêng §¹i häc Khoa häc tù nhiªn ®· t¹o ®iÒu kiÖn vÒ trang thiÕt bÞ cho
em lµm luËn v¨n.
Em xin c¶m ¬n c¸c thÇy c« gi¶ng d¹y trong bé m«n Quang lîng tö,
khoa VËt lý ®· trang bÞ nh÷ng kiÕn thøc c¬ b¶n còng nh chuyªn m«n
trong qu¸ tr×nh em häc tËp t¹i trêng.
Xin göi lêi c¶m ¬n tíi c¸c c¸n bé trÎ vµ nghiªn cøu sinh cïng gia
®×nh, b¹n bÌ, nh÷ng ngêi gióp ®ì vµ ®éng viªn em trong qu¸ tr×nh lµm
luËn v¨n nµy.
Hµ néi th¸ng 12 n¨m 2011
Häc viªn :
D¬ng ThÞ NguyÖt
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 1
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
MỤC LỤC
MỞ ĐẦU................................................................................................................................. 5
CHƯƠNG 1:CƠ SỞ CỦA QUANG HỌC PHI TUYẾN.................................................... 7
1.1Phương trình Maxwell trong môi trường phi tuyến...........................................7
1.2 Các hiệu ứng quang phi tuyến..............................................................................8
1.3 Sự đối xứng trong quang phi tuyến .....................................................................9
1.4 Lý thuyÕt vÒ SHG ..................................................................................................10
1.4.1 SHG truyền qua..................................................................................................10
1.4.2 SHG bề mặt ........................................................................................................12
CHƯƠNG 2: PLASMON.......................................................................................................14
2.1 Mô hình Drude về hằng số điện môi của khí e tự do .........................................14
2.2 Sù ph©n cùc plasmon t¹i c¸c giao diÖn ®iÖn m«i-kim lo¹i.................................15
2.2.1 Khái niệm plasmon bề mặt...................................................................................15
2.2.2.Lý thuyết về phân cực plasmon tại các giao diện điện môi -kim loại .................16
2.2.3 Sự kích thích plasmon bởi ánh sáng ....................................................................17
2.3 Plasmon bề mặt định xứ trong các hạt nano kim loại .......................................19
2.3.1 Cộng hưởng Plasmon bề mặt ...............................................................................19
2.3.2 Tính chất quang của các hạt nano kim loại..........................................................20
2.3.3 Cơ sở lí thuyết về plasmon bề mặt định xứ trong các hạt nano kim loạị.............24
2.4 Sự tăng cường trường định xứ quanh các cấu trúc nano kim loại.............. ....28
CHƯƠNG 3: SHG TĂNG CƯỜNG TRÊN CÁC CẤU TRÚC NANO KIM LOẠI ....... 32
3.1 Hệ số siêu phân cực β (hyperpolarizability) .................................................. ....33
3.2 SHG từ các hạt nhỏ .......................................................................................... ....33
3.2.1 Các hạt làm từ vật liệu đối xứng tâm .............................................................. ....33
3.2.2 Các hạt làm từ vật liệu không đối xứng tâm ................................................... ....40
3.3 SHG từ bề mặt kim loại và giao diện ............................................................ ....50
3.3.1 SHG tăng cường trên các khuyết tật bề mặt .................................................. ....51
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 2
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
3.3.2 SHG tăng cường trên các bề mặt ráp .............................................................. ....52
3.4 Sơ đồ thực nghiệm............................................................................................ ....53
KẾT LUẬN ...................................................................................................................... .... 56
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 3
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
DANH MỤC NHỮNG TỪ VÀ KÍ HIỆU VIẾT TẮT
SHG: Họa ba bậc hai (Second harmonic generation)
SFG: phát tần số tổng (Sum frequency generation)
THG: Họa ba bậc ba (Third harmonic generation)
SPR: Cộng hưởng plasmon bề mặt(Surface plasmon resonance)
SPP: Sự phân cực plasmon bề mặt (Surface plasmon polarization)
SP: Plasmon bề mặt (Surface plasmon)
SERS: Tán xạ Ramnan tăng cường bề mặt (Surface Raman enhanced Scattering)
HRS: Tán xạ Hyper Raman (Hyper Raman Scattering)
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 4
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
MỞ ĐẦU
Các cấu trúc nano kim loại dưới nhiều dạng khác nhau đã thu hút sự quan
tâm của nhân loại trong nhiều thế kỉ. Tính chất của các cấu trúc nano, đặc biệt là các
tính chất vật lí được sử dụng trong nhiều lĩnh vực, từ kĩ thuật quang cho tới đời
sống. Những tính chất vật lí này lại phụ thuộc mạnh vào kích thước của hệ. Trong
đó, không ít những tính chất quang học thú vị được bắt nguồn từ hiệu ứng cộng
hưởng plasmon bề mặt (surface plasmon resonance).
Ngoài các thuộc tính quang học tuyến tính, người ta đã phát hiện được các
thuộc tính quang học phi tuyến có nguồn gốc từ cộng hưởng plasmon bề mặt trên
các cấu trúc nano kim loại. Các thuộc tính quang học phi tuyến này cho ta các thông
tin sâu sắc hơn về các hệ nano. Trong các hiệu ứng quang phi tuyến này, một hiệu
ứng quang học phi tuyến đơn giản đó là sự tạo thành họa ba bậc hai-SHG (Second
harmonic generation) được tăng cường nhờ cộng hưởng plasmon bề mặt.
SHG là một quá trình bị cấm trong môi trường có tâm nghịch đảo. Tuy nhiên
hiệu ứng này lại được phép trên các giao diện vì tại đó tính đối xứng bị phá vỡ.
Trong các môi trường đối xứng tâm thì đóng góp SHG của bề mặt kim loại là vượt
trội so với khối. SHG đòi hỏi sự không đối xứng tâm đối với cả các hạt nhỏ. Với
các hạt được tạo thành từ vật liệu không đối xứng tâm, nguồn chủ yếu tạo nên sự
phân cực phi tuyến là do đóng góp của khối. Ngoài ra chúng ta cũng phải xét tới
đóng góp của bề mặt và sự tương tác của các hạt với môi trường xung quanh. Mặt
khác, nếu các hạt làm từ vật liệu đối xứng tâm, sự phát tần số họa ba bị cấm trong
gần đúng lưỡng cực điện. Bài toán phải được xem xét ở bề mặt của hạt hoặc phải
được lấy tới bậc tiếp theo trong khai triển đa cực. Trong trường hợp này, sự bức xạ
là tứ cực điện và đóng góp của cộng hưởng plasmon bề mặt làm tăng cường hiệu
ứng là rất quan trọng. Điều này có ý nghĩa lớn đối với thực nghiệm trong nghiên
cứu các tính chất quang phi tuyến của hạt.
Đó là lí do chúng tôi chọn đề tài: “Hiệu ứng SHG tăng cường nhờ plasmon
bề mặt trên các cấu trúc nano kim loại”.
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 5
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
Mục đích của đề tài là: Nghiên cứu tổng quan về plasmon, tìm hiểu về cộng
hưởng plasmon bề mặt và cơ chế tăng cường hiệu ứng SHG nhờ cộng hưởng
plasmon trên các hạt nano kim loại và tại các giao diện, bề mặt. Ngoài phần mở đầu
và kết luận, khoá luận bao gồm 3 chương:
Chương 1:Cơ sở của quang học phi tuyến
Chương 2: Plasmon
Chương 3: SHG tăng cường trên các cấu trúc nano kim loại
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 6
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
CHƯƠNG 1:CƠ SỞ CỦA QUANG HỌC PHI TUYẾN
1.1
Phương trình Maxwell trong môi trường phi tuyến
Các định luật vật lí chia phối các hiện tượng điện từ có thể được tổng hợp
thành các phương trình Maxwell nối tiếng, viết dưới dạng :
(1.1)
(E: ®iÖn trêng; D: c¶m øng ®iÖn; B: c¶m øng tõ; H: cêng ®é tõ trêng; J là mật
độ dòng)
Ngoài ra chúng ta có các phương trình liên hệ các đại lượng là:
(1.2)
Các phương trình trên mô tả các tương tác ánh sáng-vật chất. Đại lượng P và
M là độ phân cực điện và từ, mô tả tính chất vật liệu đối với sự nhiễu loạn trường
điện từ ngoài.
Lầy ∇ . E = 0 và kết hợp các phương trình (1.1) và (1.2) ta được phương trình:
(1.3)
Đây là phương trình sóng đồng nhất với độ phân cực điện-từ P, M và mật độ
dòng J. Trong phương trình này không có biểu thức giữa các trường và nguồn. Tuy
nhiên, mật độ dòng có thể biểu diễn thông qua độ dẫn điện. Thêm vào đó, các dòng
đa cực khác nhau có thể được hấp thụ trong các nguồn tương ứng khác. Điều này
dẫn tới khai triển biểu thức của nguồn theo các bậc đa cực:
(1.4)
Ở đây các đại lượng Md, Pd và Q là độ phân cực lưỡng cực từ, độ phân cực
lưỡng cực điện và độ phân cực tứ cực từ tương ứng.
Nếu chỉ giữ lại độ phân cực điện, chúng ta có phương trình:
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 7
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
(1.5)
Đây là hàm sóng đối với E dẫn ra từ nguồn phân cực lưỡng cực, bao gồm sự
đóng góp của các dòng lưỡng cực. Nếu chỉ tập trung vào độ phân cực lưỡng cực
điện, chúng ta bỏ qua chỉ số d.
Khai triển P thành chuỗi các Ei phụ thuộc thời gian sau đó phân tích tiếp qua
khai triển Fourier thành sự chồng chập các dao động ở tần số ωn. Phương trình
Maxwell cho phép mỗi thành phần tần số tách riêng rẽ. Do đó, độ phân cực có dạng:
(1.7)
Ở đây, P(n) là phân cực lưỡng cực điện bậc n. Có thể nhóm chúng thành 2
phần, một phần tuyến tính và một phần phi tuyến:
(1.8)
Do đó, phương trình (1.5) trở thành:
(1.9)
Ở đây, ε=1+χ(1) là hằng số điện môi của môi trường. Phương trình (1.9) mô
tả sóng được tạo thành từ các nguồn phân cực phi tuyến.
1.2
Các hiệu ứng quang phi tuyến
Trong phương trình (1.7), số hạng thứ 2 rõ ràng biều diễn một sự tương tác
và kết hợp của 2 trường điện E(ω1) và E(ω2). Sự tương tác này sinh ra một sự phân
cực trong môi trường với tần số thứ ba. Sự phân cực này trong phương trình (1.9)
thể hiện giống như một nguồn của một trường điện dao động ở tần số mới.
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 8
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
Xét hai sóng ở tần số ω1 và ω2. Theo phương trình (1.7), hai sóng này kết hợp
với nhau để sinh ra một trường mới ở tần số khác. Sự tương tác này có thể sinh ra 3
tần số mới: ω1 + ω2, ω1 - ω2 hoặc -ω1 + ω2. Các hiệu ứng này được biết là sự tạo
thành tần số tổng và tần số hiệu. Khi các tần số ω1 và ω2 giống nhau, cùng là ω, thì
các hiệu ứng trở thành SHG.
Đối với tương tác phi tuyến bậc 3, các hiện tượng phức tạp hơn, ví dụ, sự tạo
thành họa ba bậc ba (THG). Các hiệu ứng bậc 3 cũng bao gồm các hiệu ứng mà tần
số của trường không thay đổi nhưng có thể ảnh hưởng đến bản thân trường tương
tác thông qua độ phân cực phi tuyến. Ví dụ, sự biến điệu pha của trường điện E(ω1)
làm thay đổi chiết suất của trường E(ω2). Sự thay đổi trong chiết suất phụ thuộc vào
độ lớn của E(ω1) dẫn đến các hiệu ứng tự điều chỉnh pha và tự hội tụ.
Trong các hiệu ứng phi tuyến, các hiệu ứng phi tuyến bề mặt là khá quan
trọng. SHG bề mặt là hiệu ứng tạo thành tín hiệu hoạ ba bậc hai do phản xạ trên bề
mặt giữa hai môi trường. Khi môi trường đối xứng tâm, SHG bị cấm nhưng được
phép xảy ra trên bề mặt giao diện vì ở đó tính đối xứng nghịch đảo bị phá vỡ. Do
đó, SHG đã trở thành một công cụ dò bề mặt với độ nhạy và đặc trưng bề mặt cao.
Khi xét tới SHG bề mặt, các giao diện được xem là một lớp mỏng có tính phân cực
phi tuyến bậc hai triệt tiêu trong môi trường bao quanh.
1.3
Sự đối xứng trong quang phi tuyến
Các hiệu ứng mô tả trong phần trên là kết quả của tương tác ten xơ của các
trường điện đa cực. Tính chất đối xứng của χ(n) là rất quan trọng. Để đơn giản,
chúng ta chỉ tập trung vào các hiệu ứng bậc hai, nhưng tương tự cũng có thể được
áp dụng cho các hiệu ứng cao hơn.
Đối xứng KLeinman
Đối xứng hoán vị là sự thay đổi tùy ý thứ tự các trường trong phương trình
(1.7). Trong biểu thức đối với χijk(2) ta có thể đổi chỗ 2 chỉ số, do đó có thể đổi chỗ 2
tần số:
(1.10)
Khi vật liệu không bị mất mát, thành phần thực của χ(2)
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 9
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
(1.11)
Đối xứng hoán vị hoàn toàn áp dụng cho một môi trường không mất mát. Có
nghĩa là tất cả các thành phần tần số trong χijk(2)(ωσ=ωn+ωm) có thể được hoán vị tự
do, các chỉ số i, j, k được hoán vị ở cùng thời điểm, nhưng phải chú ý tần số đầu tiên
luôn là tổng của 2 tần số tiếp theo
(1.12)
Trong môi trường không có mất mát và ở xa tần số dao động riêng, chúng ta
có thể hoán vị các chỉ số i, j, k và có được hệ thức:
(1.13)
Đối xứng này được gọi là đối xứng Kleinman. Nó chỉ có giới hạn đúng trong
quang phi tuyến.
Đối xứng cấu trúc
Khi hệ trục tọa độ gốc mô tả vật liệu phi tuyến (x,y,z) được chuyển sang hệ
trục tọa độ (x’,y’,z’) thì ten xơ hạng ba χijk(2) được chuyển thành:
(1.14)
Nếu sự chuyển đổi hệ trục cũng là một toán tử đối xứng, cả χijk(2) và χ’ijk(2)
phải bằng nhau.
Lí thuyết dựa vào sự đối xứng của vật liệu là rất quan trọng khi chúng được
sử dụng để rút gọn số thành phần ten xơ bất biến độc lập. Mặt khác, cấu trúc của
một ten xơ được xác định bằng thực nghiệm có thể cung cấp các thông tin quan
trọng về tính đối xứng trong cấu trúc của vật liệu.
1.4 Lý thuyÕt vÒ SHG
1.4.1 SHG truyền qua
SHG là hiện tượng ở đó hai photon ở tần số cơ bản được biến đổi thành một
photon ở tần số họa ba Ω=2ω. Gi¶ sö cã hai chïm tia cã tÇn sè 1 vµ 2 chiÕu vµo
m«i trêng ®iÖn m«i phi tuyÕn. Trong gÇn ®óng lìng cùc ®iÖn ®é ph©n cùc cho
trêng hîp SFG cã biÓu thøc:
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 10
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
PΩ=χ(2)(Ω).Eω1Eω2
(1.15)
χ(2): Tenx¬ ®é c¶m phi tuyÕn bËc hai
=1+2
Eω1: Cêng ®é ®iÖn trêng ¸nh s¸ng tÇn sè 1
Eω2: Cêng ®é ®iÖn trêng ¸nh s¸ng tÇn sè 2
SHG lµ trêng hîp ®Æc biÖt cña SFG khi : 1=2
Khi đó, độ ph©n cùc phi tuyÕn g©y nªn SHG ®îc viÕt díi d¹ng:
Pi2ω =χijk(2)(2ω).EjωEkω
(1.16)
Víi χijk(2)=εodijk . C¸c yÕu tè tenx¬ dij k ®îc gäi lµ hÖ sè ®é c¶m phi tuyÕn bËc
hai hay hÖ sè SHG.
D¹ng cña tenx¬ SHG vµ ®Æc biÖt lµ yÕu tè dijk kh«ng triÖt tiªu phô thuéc vµo
nhãm ®iÓm ®èi xøng cña tinh thÓ. V× lµ mét tenx¬ cùc, bËc lÎ nªn tenx¬ SHG triÖt
tiªu trong tinh thÓ ®èi xøng t©m.
Trong trêng hîp t¹o thµnh SHG, gi¶ thiÕt mét sãng tÇn sè lan truyÒn theo
híng z trong m«i trêng cã chiÕt suÊt nω do ®ã cã vÐct¬ sãng kω =nω/c. NÕu m«i
trêng cã ®é c¶m bËc hai, sÏ t¹o ra ph©n cùc bËc hai ë tÇn sè 2ω:
P(2)(r,z)=εo d(2)eff (-2ω; ω, ω) ( Eω exp(ikω z-iωt))2
(1.17)
B»ng c¸ch ®Æt E(0)=0, biÓu thøc E cña ph¬ng tr×nh (1.9) trë thµnh:
E
2
i
2
2
d ( ) E e xp ( i ( 2k − k 2 ) z ' ) dz '
∫
n2 c 0
z
=
(1.18)
Víi ∆k=2kω -k2ω= (nω -n2ω )2ω/c
LÊy tÝch ph©n biÓu thøc (1.18), biÓu thøc cña biªn ®é cña trêng nhËn ®îc:
E 2 =
i ( 2) 2 exp(i∆kz ) − 1
d E
n2 c
i ∆k
E 2 ( z ) =
n2 c
d ( 2) E
2
(1.19)
exp ( i∆kz ) − 1
∆k
=
n2 c
d (2) E z
2
sin(∆kz / 2)
∆kz / 2
(1.20)
Cêng ®é sãng ho¹ ba bËc hai lèi ra:
ω
I
2
ω
1
( z ) = n2 ε oc E 2
2
ω
ωε
ω2
2 2 sin
(Δ ( / 2)/ 2)
2
2 2
∆kz
( 2)
=
I
d
z
2
3
n2 n o c
kz 2
ω ω
(z)
2
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
(1.21)
Trang 11
LuËn v¨n cao häc
lc =
D¬ng ThÞ NguyÖt
2
2
1
®îc gäi lµ ®é dµi kÕt hîp.
=
=
∆k 2k − k2 4 n − n2
∆k=0 ®îc gäi lµ ®iÒu kiÖn cã sù phï hîp pha. Khi cã sù phï hîp pha ∆k=0 (
Δ Δ/ 2)/ 2)
sin 2 ( kz
= sin(0)/0 =1), cêng ®é I2ω t¨ng theo z2.
2
( kz
1.4.2 SHG bề mặt
Xét tới SHG bề mặt, người ta đưa ra đại lượng độ cảm phi tuyến bề mặt S(2)
liên quan đến độ phân cực phi tuyến
Nói chung tín hiệu SHG và SFG đến từ bề mặt có thể là đóng góp của cả
khối và bề mặt. Người ta chỉ dùng tín hiệu này để khảo sát bề mặt trong trường hợp
đóng góp của bề mặt là vượt trội hoặc tách biệt được với đóng góp của khối. Ví dụ,
trong môi trường đối xứng tâm, đóng góp của bề mặt là chủ đạo còn khi xét tới các
môi trường không đối xứng, chúng ta phải xét tới cả hai loại đóng góp này.
Nếu SFG truyền qua có thể đo thì có thể dùng để đánh giá đóng góp của
khối. Trong tín hiệu truyền qua, đóng góp của khối là chủ đạo vì độ dài kết hợp đối
với SFG truyền qua lớn hơn nhiều so với phản xạ. Đóng góp của khối cũng có thể
xác định nếu khối là một màng mỏng có độ dày nhỏ hơn λ/2π và biến thiên. Khi đó
đóng góp của khối phụ thuộc vào độ dày màng mỏng còn đóng góp của bề mặt thì
không.
Khi khảo sát bề mặt của một môi trường có đối xứng tâm hoặc giao diện
giữa hai môi trường đối xứng tâm thì sẽ tồn tại một lớp mỏng mà ở đó tính đối xứng
bị phá vỡ. Ta có thể mô hình hoá sự phát SHG như trên hình (1.1)
ω2
Môi trường 1
z
Ω
kfx
k
1
ω1
k
Môi trường 2
2
x
', S(2)
2, q(2)
Ω
ktq
Hình 1.1: Sơ đồ SFG bề mặt
PS là độ phân cực phi tuyến trên một đơn vị diện tích tạo bởi điện trường trên
bề mặt khảo sát.
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 12
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
Đây là mô hình 3 lớp trong đó lớp có độ phân cực phi tuyến kẹp ở giữa với
hằng số điện môi ε’ trên giao diện (z=0). Điện trường bơm có thể viết dưới dạng:
Eωi exp i(kωi .x) với kωi là vec tơ sóng của chùm tia bơm tần số ωi = ω1, ω2.
Độ phân cực phi tuyến cảm ứng trên bề mặt cho bởi công thức :
P(x,t) = PS (z) .δ(z) .exp i(k// . x - Ωt).
(1.22)
Trong đó : k// là vectơ sóng mô tả sự biển thiên trong không gian của độ
phân cực phi tuyến trên bề mặt ,
kΩ// = kω1// + kω2//
(1.23)
Độ lớn của vectơ độ phân cực phi tuyến PS tính theo độ cảm phi tuyến bề
mặt là:
PS =(2) ( Ω). E1 E2.
(1.24)
Trong tọa độ Đê-Các có thể viết :
PS,iΩ =χ(2)S,ij k(Ω). Ej ω1 Ekω2.
(1.25)
Trong đó tổng được lấy theo chỉ số lặp lại.
`Biểu thức tín hiệu SFG có thể nhận được bằng cách giải phương trình Maxwell
đối với thành phần phân cực phi tuyến. Kết quả cường độ tín hiệu SFG ở tần số Ω
là:
IΩ =
3
c
3
2
2
Ω
χ
8π Ω sin θ
| eΩ .
ε1 (Ω)ε1 (ω1 )ε1 (ω2 )
I
(2) ω1
S
e .eω2 |2
I
ω1 ω2
.
.
(1.26)
e Ω .e 1 .e 2 là các vectơ phân cực đã bị chuyển đổi ở giao diện.
Đối với các vật liệu có đối xứng tâm SFG của nền là bị cấm trong gần đúng
lưỡng cực điện nên có thể bỏ qua.
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 13
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
CHƯƠNG 2: PLASMON
Trong các cấu trúc kim loại thì các tính chất quang học chủ yếu là do các
điện tử dẫn của kim loại. Sự kích thích điện từ làm cho những điện tử này dao động
tập thể, tạo lên một hệ dao động được gọi là plasmon trong không gian của cấu trúc
kim loại đó. Tùy theo các điều kiện biên, các dao động có thể được phân loại thành
3 mode: plasmon khối, plasmon bề mặt và plasmon bề mặt định xứ.
Hình 2.1: a. Plasmon khối; b. Plasmon bề mặt; c. Plasmon bề mặt định xứ.
Plasmon khối là các dao động tập thể của các điện tử dẫn trong khối kim loại
và năng lượng của các lượng tử khoảng 10eV trong các kim loại quý (tương ứng với
bước sóng chân không cỡ 120nm). Plasmon khối có thể được kích thích trực tiếp
bằng bức xạ điện từ.
Plasmon bề mặt xảy ra ở giao diện điện môi-kim loại, tại đó các dao động
điện tích theo chiều dọc được lan truyền dọc giao diện gọi là ”sóng phân cực”.
Khi các dao động plasmon được giam cầm trong cả 3 chiều không gian, ví dụ
trong trường hợp các hạt nano kim loại, mode dao động được gọi là plasmon bề mặt
định xứ. Trong mode này, các điện tử dẫn dao động trong hạt và tạo thành một hệ
dao động với tính chất cộng hưởng. Các plasmon hạt có thể được kích thích bởi các
sóng lan truyền trong không gian.
2.1 Mô hình Drude về hằng số điện môi của khí điện tử tự do
Tính chất quang của các kim loại có thể được giải thích trên phạm vi
tần số rộng bằng mô hình plasma, trong đó các điện tử dẫn chuyển động gần
như tự do trong thể tích của kim loại. Trong mô hình này bỏ qua sự tương tác
của điện tử với nhau.
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 14
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
Sử dụng phương trình chuyển động của khí điện tử tự do dưới tác dụng
của trường điện, ta thu được hàm điện môi ε:
(2.1)
Ở đây γ là tần số va chạm đặc trưng của các khí điện tử tự do, m là khối
lượng của điện tử và ωp=ne2/εom là tần số plasma của khí điện tử tự do-phụ
thuộc vào mật độ n của điện tử trong kim loại. Tần số plasma của các kim loại
quý nằm trong vùng phổ nhìn thấy và tử ngoại.
Xét hàm điện môi, ta thấy đối với các tần số thấp, bản chất hàm điện
môi là ảo-tương ứng với độ dẫn điện cao của các kim loại ở tần số thấp. Mặc
dù mất mát lớn, hầu hết không có bức xạ nào có thể truyền qua kim loại do đó
độ phản xạ cao. Mặc khác, đối với các tần số cao, hàm xấp xỉ 1 cho phép bức
xạ truyền qua, ví dụ tia X.
Tần số quang và gần hồng ngoại thường thấp hơn tần số plasma. Giả
thiết rằng γ là tương đối nhỏ, khi đó bản chất hàm điện môi là thực nhưng âm.
Tính chất này là quan trọng nhất và làm phát sinh cộng hưởng plasmon và
tính chất quang của các cấu trúc nano kim loại.
2.2 Sự phân cực Plasmon tại các giao diện điện môi-kim loại
2.2.1 Khái niệm plasmon bề mặt
Plasmon bề mặt như đã nhắc tới là những sóng điện từ được truyền dọc theo
giao diện kim loại – điện môi. Đơn giản hơn, ta có thể định nghĩa plasmon bề mặt là
sự kích thích các điện tử bề mặt của kim loại bằng nguồn sáng tới. Cường độ điện
trường của plasmon bề mặt giảm theo hàm mũ khi xa dần giao diện kim loại – điện
môi. Tại vùng giao diện có sự định xứ lớn của năng lượng và các điện tích. Những
tính chất của chúng phụ thuộc vào các tính chất của cả kim loại (hàm điện môi
phức, cấu hình, độ nhám) và điện môi (chiết suất).
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 15
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
Năng lượng điện từ được định xứ mạnh dọc theo giao diện có thể được sử
dụng để dẫn ánh sáng trong các cấu trúc nhỏ. Độ nhạy cao của plasmon bề mặt có
thể cung cấp một công cụ để nghiên cứu bề mặt. Độ nhạy với chiết suất của điện
môi gần giao diện có thể được sử dụng để dò liên kết hóa học bằng cách coi một
chất lỏng là điện môi. Khi dung môi có mặt trong chất lỏng này liên kết với giao
diện điện môi-kim loại, chúng sẽ thay đổi chiết suất, dẫn tới sự thay đổi plasmon bề
mặt. Phương pháp này không chỉ cho phép dò các liên kết mà còn nghiên cứu các
tính chất động học của các liên kết.
2.2.2 Lý thuyết về phân cực plasmon tại các giao diện điện môi-kim loại
Trong hình 2.1b, nếu ta coi sóng lan truyền dọc bề mặt theo trục x, thì có thể
thu được 2 mode sóng truyền ngang là điện và từ TE và TM. Do điều kiện biên giữa
hai môi trường nên chỉ có mode TM có thể kích thích plasmon bề mặt và chỉ có
mode này có thể lan truyền do đó thỏa mãn hệ thức tán xạ:
//
=
(2.2)
Trong đó k// là thành phần của véc tơ sóng dọc theo hướng lan truyền của
sóng plasmon, ε1 và ε2 là hằng số điện môi của kim loại và môi trường điện môi
xung quanh, ko là véc tơ sóng của photon và xác định theo hệ thức: ko=ω/c. Một hệ
quả của hệ thức tán xạ là phần thực của ε1 phải âm. Điều này có được đối với các
kim loại quý trong vùng phổ nhìn thấy và gần hồng ngoại. Do đó, trường điện bên
ngoài kim loại có dạng:
(2.3)
Hai phương trình này tương ứng với các sóng giảm theo hàm mũ, vuông góc
với bề mặt.
Ví dụ về sự tán xạ plasmon bề mặt và sự tán xạ của các sóng điện từ phẳng
(các photon) ở giao diện không khí-bạc được chỉ ra trong hình (2.2). Do hàm điện
môi của các kim loại là âm (thường gặp ở các kim loại), xung lượng của plasmon bề
mặt lớn hơn so với xung lượng của sóng phẳng do mẫu số trong phương trình (2.2)
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 16
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
luôn nhỏ hơn tử số về độ lớn. Xung lượng của các mode liên kết bề mặt rõ ràng lớn
hơn các photon một ít khi năng lượng nhỏ. Sự chênh lệch giữa 2 mô men này tăng
lên đối với các mức năng lượng cao cho tới khi nó đạt tới giới hạn của sóng dừng
(đường nét đứt trên hình 2.2). Sự bất định của xung lượng bắt nguồn từ thời gian
sống hữu hạn của những mode này. Điều này chứng tỏ rằng xung lượng của các
mode plasmon bề mặt không được xác định đối với các năng lượng xấp xỉ giới hạn
dừng.
Hình 2.2:Plasmon trên giao diện bạc-không khí [1]. Đường nét đứt thể
hiện giới hạn sóng dừng.
2.2.3 Sự kích thích plasmon bởi ánh sáng
Hệ thức tán xạ chỉ ra rằng các plasmon bề mặt có véc tơ sóng lớn hơn các
photon ở cùng tần số: k// > ω/c=ko. Do đó, plasmon bề mặt không thể bị kích thích
bằng ánh sáng truyền trong không gian tự do. Để kích thích plasmon bề mặt, xung
lượng phải được thêm vào bằng cách nào đó. Trong thực tế, điều này được thực
hiện bằng cách đặt một cách tử ở giao diện hoặc bằng cách để ánh sáng kích thích
qua một môi trường có chiết suất cao (ví dụ một lăng kính). Trong trường hợp này
thì ánh sáng kích thích có thể đến từ một mặt của môi trường điện môi (được gọi là
cấu hình Otto), hoặc từ mặt kim loại (cấu hình Kretschmann) trong hình (2.3).Trong
cấu hình Otto, phải có một khe nhỏ giữa bề mặt điện môi và kim loại. Trong cấu
hình Kretschmann, tấm phim kim loại phải rất mỏng để trường ánh sáng tới được.
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 17
LuËn v¨n cao häc
D¬ng ThÞ NguyÖt
Hình 2.3: (a) cấu hình Otto và (b) cấu hình Kretschmann
Plasmon bề mặt lan truyền dọc một giao diện điện môi-kim loại sẽ bị tán xạ
và phản xạ bởi các khuyết tật như các chỗ lõm, hố, mép, hay các chỗ bị trũng
xuống. Trong hầu hết thực nghiệm, plasmon bề mặt được kích thích không cục bộ
bởi các sóng phẳng và được dò cục bộ bởi kính hiển vi PSTM ( tunneling scanning
photon) hoặc bởi kính hiển vi quang học trường gần SNOM.
Gần đây, người ta quan tâm nhiều đến sự truyền ánh sáng qua các hệ của các
hố kích thước nửa bước sóng trong các màng mỏng kim loại chắn sáng. Người ta
cho rằng sự truyền này có thể lớn hơn so với các tính toán lí thuyết đối với các hố
riêng biệt. Hiệu ứng lí thú này có thể được ứng dụng trong các bộ lọc hoặc bộ hiển
thị. Sự truyền này được tăng cường nhờ đóng góp của plasmon bề mặt được kích
thích bởi ánh sáng tới hệ. Các plasmon này được liên kết với nhau qua các hố và
cạnh của màng mỏng. Tuy nhiên, bản chất chính xác của sự tương tác plasmon bề
mặt với các hố nửa sóng vẫn chưa được tìm hiểu đầy đủ.
Hình 2.4:a, Sự truyền rất nhỏ qua một hố đơn lẻ. b, Sự truyền khá lớn qua một hệ
nhiều các hố nửa bước sóng.
HiÖu øng SHG t¨ng cêng nhê plasmon bÒ mÆt trªn c¸c cÊu tróc nano kim lo¹i
Trang 18
- Xem thêm -