Báo cáo kết quả chế tạo màng ito cds tio2 cấu trúc nano bằng phương pháp bốc hơi chân không và ủ nhiệt và khảo sát cấu trúc nano của màng ito cds tio2

  • Số trang: 17 |
  • Loại file: PDF |
  • Lượt xem: 25 |
  • Lượt tải: 0
nganguyen

Đã đăng 34173 tài liệu

Mô tả:

VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU ĐỀ TÀI: BƯỚC ĐẦU NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG QUANG HÓA CỦA MÀNG NANO ITO/CdS/TiO2 (ZnO) ỨNG DỤNG TRONG XỬ LÝ MÔI TRƯỜNG Ô NHIỄM CHẤT HỮU CƠ Báo cáo: Báo cáo kết quả chế tạo màng ITO/CdS/TiO2 cấu trúc nano bằng phương pháp bốc hơi chân không và ủ nhiệt và khảo sát cấu trúc nano của màng ITO/CdS/TiO2 Người thực hiện: Nguyễn Thúy Vân Đơn vị: Phòng Vật liệu và Ứng dụng Quang sợi Viện Khoa học Vật liệu – Viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam Tháng 5/2012 Nghiên cứu chế tạo màng mỏng TiO2 trên màng FTO, ITO, hoặc thạch anh (quartz) có độ dày, độ xốp, và độ truyền qua mong muốn. I. Các phương pháp chế tạo màng mỏng Hiện nay có rất nhiều phương pháp khác nhau để chế tạo các vật liệu ở dạng màng mỏng với chiều dày từ vài nanomet đến vài micromet, thậm chí là có thể chế tạo được màng mỏng với chiều dày chỉ vài lớp nguyên tử. Các phương pháp được sử dụng phổ biến hiện nay là: - Lắng đọng pha hơi hóa học (Chemical Vapour Deposition - CVD) - Lắng đọng pha hơi vật lý (Physical Vapour Deposition - PVD) - Các phương pháp sol-gel, điện hóa, quay phủ ly tâm v.v… Căn cứ vào điều kiện thực tế của Việt Nam, chúng tôi chọn ba phương pháp, đó là: - Lắng đọng pha hơi vật lý (sử dụng hai phương pháp bốc bay nhiệt và bốc bay chùm tia điện tử); - Phương pháp quay phủ ly tâm. - Phương pháp phún xạ (sputtering) 1. Phương pháp bốc bay nhiệt Bốc bay nhiệt sử dụng nguồn nhiệt trực tiếp nhờ thuyền điện trở còn gọi là bốc bay nhiệt. Thuyền điện trở thường dùng là các lá volfram, tantan, molipden hoặc dây xoắn thành nhỏ. Vật liệu cần bốc bay (còn gọi là vật liệu gốc) được đặt trực tiếp trên thuyền. Buồng được hút chân không với áp suất trong khoảng 10-3-10-6 torr. Khi thuyền được đốt nóng lên đến nhiệt độ cao bằng hoặc hơn nhiệt độ hóa hơi của vật liệu gốc, thì các phần tử hóa hơi sẽ bay ra và lắng đọng trên để. Đây là phương pháp có nhiều thuận tiện có nhiều ưu điểm để chế tạo các màng mỏng kim loại đơn chất như nhôm, bạc, vàng. Khi bốc bay hợp chất nhiều thành phần, phương pháp này có nhược điểm lớn nhất là sự “hợp kim hóa” giữa thuyền và vật liệu gốc và sự hóa hơi không đồng thời của các phần tử, cho nên màng nhận được có chất lượng không cao về hợp thức hóa học, không sạch về thành phần và không hoàn hảo về cấu trúc tinh thể. 2. Phương pháp bốc bay chùm tia điện tử a) Cơ sở lý thuyết: Đặc điểm nổi bật của phương pháp chùm tia điện tử khác với các phương pháp bốc bay nhiệt hay phún xạ catốt là sử dụng năng lượng của chùm electron hội tụ trực tiếp trên vật liệu. Khi chùm electron năng lượng cao bắn phá vật liệu thì toàn bộ động năng của electron được chuyển thành nhiệt năng do electron bị dừng đột ngột. Nguyên lý hoạt động của súng điện tử trong chân không hoàn toàn giống như một đèn điện tử ba cực (triôt): catốt là sợi dây volfram có điện áp tới -10kV. Điện áp trên điện cực lưới được điều khiển có độ chênh điện áp cần thiết so với catôt. Anốt thường là toàn bộ thành chuông thép không rỉ. Khác với triốt, trong thiết bị chân không còn có nam châm điện với từ trường có hướng song song với sợi catốt (vuông góc với hướng bay ra của electron). Điều khiển độ lớn của từ trường sẽ chỉnh được khoảng cách hội tụ của chùm tia điện tử. Quỹ đạo bay của chùm tia điện tử được quyết định bởi hai yếu tố quan trọng đó là vận tốc ban đầu thoát ra khỏi catốt và độ lớn của từ trường, theo định luật Lorentz: F=-ev x B Mật độ dòng electron Je sinh ra do phát xạ nhiệt bởi đốt nóng dây catốt được thể hiện bằng phương trình Richardson: Je = AT2exp[(-eФ)/kT)] A là hằng số Richardson, e là độ lớn điện tích electron và Ф là công suất thoát, Tnhiệt độ sợi đốt. Khi nguồn phát xạ hoạt động tại mức bão hòa thì dòng catốt cực đại được điều khiển bằng việc lựa chọn dòng đốt. Dưới mức bão hòa, mật độ dòng phụ thuộc vào thế gia tốc. Động năng ban đầu của electron phát xạ là 3kT/2, không đáng kể so với động năng cuối cùng chúng đạt được sau khi được gia tốc trong điện trường một chiều với điện áp cao từ 7 đến 10kV. Chùm electron bắn ra từ súng điện tử được chuyển động trên các cung tròn khác nhau và hội tự vào bia vật liệu. Đường đi của chùm electron đã được thăm dò một cách định lượng. Quĩ đạo của electron được tính toán bằng tích phân các phương trình chuyển động. Các kết quả đã chỉ ra rằng: có thể xác định được vị trí ban đầu của electron đối với sợi phát xạ trong điện trường và từ trường, phát ra từ sợi phát xạ, được điều khiển và bắn chính xác vào bia vật liệu theo cung tròn. Những electron nằm ở bên dưới sợi phát xạ được điều khiển và hội tụ vào bia vật liệu hoàn toàn chính xác. So sánh quĩ đạo chuyển động của các electron phát ra từ các vị trí của sợi phát xạ cho thấy những electron xuất phát từ vị trí ở bên dưới sợi phát xạ bắn vào chén nung chính xác hơn electron xuất phát bên trái sợi phát xạ và kém chính xác đối với vị trí xuất phát ở bên trên sợi phát xạ. Đối với vị trí bên phải sợi phát xạ, nghĩa là vị trí nằm giữa sợi phát xạ và chén nung, electron chuyển động với quĩ đạo lệch ra ngoài chén nung. Vì vậy, súng điện tử cấu tạo sao cho những electron bắn ra từ sợi phát xạ, qua khe hẹp, vào bia vật liệu đạt hiệu quả cao. Chùm tia điện tử được gia tốc trong điện trường có năng lượng cao và hội tụ vào bia vật liệu nhờ tác dụng của từ trường điều khiển. Vật chất từ bia vật liệu được hóa hơi, thành các phần tử rồi lắng đọng lên đế nóng. Phương pháp bốc bay chùm tia điện tử là phương pháp chế tạo màng mỏng có độ tinh khiết cao. Trong một số trường hợp lắng đọng màng mỏng, chùm tia điện tử được lai ghép cùng với chùm ion hoặc có sự tham gia của khí phản ứng. Trong quá trình bay hơi phản ứng, cả hơi kim loại và khí phản ứng dều được ion hóa trong môi trường plasma, tăng cường phản ứng của hơi kim loại trên bề mặt mọc của màng, thúc đẩy sự hình thành hợp chất. Quá trình lắng đọng bằng chùm tia điện tử được hỗ trợ bằng chùm ion (ion beam assisted deposition), đã kết hợp được lợi ích của tốc độ lắng đọng cao và sự bắn phá của chùm ion, làm thay đổi tính chất của màng mỏng được lắng đọng. Màng mỏng Ti trong luận án chủ yếu được bốc bằng hệ YBH-75PI của Liên xô, (hình…) b) Ưu điểm của phương pháp bốc bay chùm tia điện tử - Môi trường chế tạo mẫu sạch nhờ có chân không cao từ 10-5-10-6 mbar - Độ tinh khiết của màng so với vật liệu gốc được đảm bảo do các phần tử gần như - bay hơi tức thời dưới tác dụng nhiệt nhanh của chùm tia điện tử; Bốc bay được hầu hết các loại vật liệu vì chùm tia điện tử hội tụ có năng lượng rất lớn; Dễ điều chỉnh áp suất, thành phần khí, nhiệt độ, cũng như dễ theo dõi quá trình lắng đọng; Có thể sử dụng rất ít vật liệu gốc (dưới 10mg) để bốc bay, cho nên trong các trường hợp tiến hành nhiều thực nghiệm để tìm kiếm công nghệ chế tạo vật liệu mới sẽ tiết kiệm đáng kể nguyên vật liệu quý hiếm 3. Phương pháp quay phủ ly tâm: a) Cơ sở vật lý của phương pháp quay phủ ly tâm: Yếu tố quan trọng và quyết định của phương pháp này là lực ly tâm sinh ra trong quá trình quay để có phủ dung dịch chứa chất tạo màng. Trong suốt quá trình quay phủ li tâm, lực li tâm và lưu lượng xuyên tâm của dung môi có tác dụng kéo căng, dàn trải và tán mỏng dung dịch chống lại lực kết dính của dung dịch và tạo thành màng mỏng. b) Các phương pháp tạo màng bằng phương pháp quay phủ ly tâm: - Giai đoạn 1 (lắng đọng): Trong giai đoạn đầu tiên này, chất lỏng được nhỏ bằng ống nhỏ giọt dung dịch hoặc phun sương lên trên bề mặt đế. Vấn đề quan trọng đặt ra là dung dịch phải duy trì được độ ẩm cần thiết trên bề mặt đế trong suốt giai đoạn này. Có hai phương pháp chung để nhỏ chất lỏng là phân phối tĩnh và động. Phân phối tĩnh là sự lắng đọng đơn giản một “vùng” nhỏ chất lỏng ở tâm hoặc gần tâm của đế. Lượng thể tích có thể thay đổi từ 1cc đến 10cc phụ thuộc vào độ nhớt của chất lỏng và kích thước của đế. Độ nhớt cao hoặc đế rộng đòi hỏi lượng chất lỏng lớn hơn để chắc chắn có thể bao phủ được bề mặt đế trong suốt giai đoạn quay với tốc độ cao. Sự phân phối động là quá trình nhỏ chất lỏng trong khi đế quay với tốc độ thấp. Tốc độ quay khoảng 500 vòng/phút thường được sử dụng trong giai đoạn này. Giai đoạn này có lợi cho việc kéo giãn mỏng chất lỏng bên trên đế và có thể dẫn đến sự dư thừa vật liệu, phần này thường không cần thiết cho việc nhỏ mà là để làm ẩm bề mặt toàn bộ đế. - Giai đoạn 2 (spin-up): Giai đoạn thứ hai là giai đoạn đế nhanh chóng có tốc độ quay đạt được giá trị tối đa theo yêu cầu. Giai đoạn này thường được mô tả bởi sự kéo giãn, dàn trải và tán mỏng chất lỏng trên bề mặt đế bằng chuyển động quay tròn. Điều này sẽ tạo ra chuyển động xoáy ở đầu dòng chảy do quán tính, bất cứ phần nào của màng mà có chiều dày khác thì sẽ bị văng đi, khi đế đạt được tốc độ quay mong muốn thì chất lưu sẽ trở nên đủ mỏng để cho chuyển động kéo theo biến dạng nhớt cân bằng với gia tốc quay. - Giai đoạn 3 (spin-off): Giai đoạn này là giai đoạn mà đế được quay với tốc độ ổn định và lực nhớt của chất lỏng chi phối sự tán mỏng chiều dày màng. Giai đoạn này được mô tả bởi sự tán mỏng dần dần độ dày của chất lỏng, dẫn đến lớp phù cuối cùng đồng đều. - Giai đoạn 4 (bay hơi): Giai đoạn thứ tư là giai đoạn đế được quay với tốc độ không đổi và sự bay hơi của dung môi trở thành quá trình chủ yếu chi phối sự tán mỏng chiều dày của màng trong quá trình phủ. Trong giai đoạn này, chiều dày màng phụ thuộc vào tốc độ quay, độ nhớt và có mối quan hệ với tốc độ bay hơi. Sau khi kết thúc quá trình quay, nhiều ứng dụng đòi hỏi sự xử lý nhiệt đối với lớp màng tạo được. 4. Phương pháp phún xạ “Phún xạ” trong tiếng Anh là “Sputtering”. Phún xạ thuộc phương pháp lắng đọng pha hơi vật lý, bởi vì các nguyên tử, cụm nguyên tử hay phân tử được tạo ra bằng cách bắn phá ion – một phương pháp vật lý. Trong phún xạ diode (phún xạ hai điện cực), nhờ sự phóng điện từ trạng thái plasma, các ion năng lượng cao (thí dụ ion Ar+) bắn phá lên bia (vật liệu cần phún xạ). Trong trường hợp này, bia là cathode, dưới tác dụng bắn phá của ion, các nguyên tử bị bật ra khỏi bia, lắng đọng lên bề mặt đế và hình thành lớp màng mỏng (đế đồng thời cũng là anode). Khi tẩy sạch bề mặt thì mẫu được gắn lên cathode đóng vai trò là bia, chùm ion năng lượng cao bắn phá lên bề mặt của mẫu làm cho các lớp nguyên tử của tạp chất và một phần nguyên tử ngoài cùng của mẫu bị tẩy, quá trình này gọi là ăn mòn phún xạ. a) Thiết bị và các phương pháp phún xạ  Phún xạ cao áp một chiều: Trong phún xạ cao áp một chiều, người ta sử dụng hệ chỉnh lưu điện thế cao (đến vài kV) làm nguồn cấp điện áp một chiều đặt trên hai điện cực trong chuông chân không (hình ). Bia phún xạ chính là cathode phóng điện, tùy thuộc vào thiết bị mà diện tích của bia nằm trong khoảng từ 10 đến vài trăm cm2. Anode có thể lầ đế và/hoặc toàn bộ thành chuông chân không. Khoảng cách anode và cathode ngắn hơn rất nhiều khoảng cách nguồn-đế trong bốc bay chân không và thường là dưới 10cm. Trong các khí trơ, argon được sử dụng làm phún xạ nhiều hơn cả, áp suất được duy trì trong chuông cỡ 1 Torr. Plasma trong trường hợp này được hình thành và duy trì nhờ nguồn áp một chiều. Cơ chế hình thành plasma giống cơ chế phóng điện lạnh trong khí kém. Điện tử thứ cấp phát xạ từ cathode được gia tốc trong điện trường cao áp, chúng ion-hóa các nguyên tử khí, do đó tạo ra lớp plasma (đó là trạng thái trung hòa điện tích của vật chất mà trong đó phần lớn là các ion dương và điện tử). Các ion khí Ar+ bị hút về Cathode, bắn phá lên vật liệu làm bật các nguyên tử ra khỏi bề mặt của cathode. Tuy nhiên, hiệu suất phún xạ trong trường hợp này là rất thấp. Ngày nay phương pháp phún xạ cao áp một chiều mà không sử dụng magnetron hầu như không sử dụng trong phương pháp chế tạo màng. Hình vẽ Sơ đồ hệ phóng điện cao áp một chiều (DC-sputter)  Phún xạ cao tần: Trong tiếng anh thuật ngữ này là Radio-frequency sputtering nghĩa là phún xạ tần số radio, một dải tần số cao cho nên chúng ta quen dùng từ cao tần để nói về phương pháp “phún xạ tần số radio”. Điện áp đặt trên điện cực của hệ chân không là nguồn xoay chiều tần số từ 0,1MHz trở lên, biên độ trong khoảng 0,5 đến 1KV. Trên hình..1là sơ đồ hệ thiết bị phún xạ cao tần có tụ điện làm việc theo cơ chế phóng điện trên đĩa song song. Phổ biến nhất ngày nay là nguồn cao tần có tần số 13,56MHz. Mật độ dòng ion tổng hợp tới bia trong khoảng 1mA/cm2, trong khi biên độ của dòng cao tần cao hơn rất nhiều (có khi lớn hơn gấp một bậc hoặc hơn nữa). Máy phát cao tần được thiết kế chuyên dụng để nâng cao hiệu quả phún xạ: một tụ điện được ghép nối tiếp nhằm phún xạ được tất cả các bia (trong đó có cả bia kim loại). Mạch điện được thiết kế bù trừ một cách hợp lý để quá trình truyền năng lường từ nguồn công suất cao tần sang plasma đạt hiệu quả cao. Hình 1. Sơ đồ hệ phún xạ cao tần Kích thước của chông sử dụng trong phương pháp này hoàn toàn giống như trong phún xạ cao áp một chiều (trong nhiều trường hợp, người ta thiết kế hệ phún xạ bao gồm cả hai chức năng phún xạ cao tần và cao áp một chiều để có thể thực hiện đồng phún xạ từ hai nguồn bia có cấu tạo khác nhau). Phún xạ cao tần có nhiều ưu điểm hơn so với phún xạ cao áp một chiều, thí dụ điện áp thấp, phún xạ trong áp suất khí thấp hơn, tốc độ phún xạ lớn hơn và đặc biệt phún xạ được tất cả các loại vật liệu từ kim loại đến oxit hay chất cách điện. Plasma trong phún xạ cao tần được hình thành và duy trì nhờ nguồn cao tần, cũng giống như quá trình oxi hóa xảy ra trong phún xạ cao áp. Tuy nhiên, ngày nay phún xạ cao tần riêng biệt cũng không còn được sử dụng bởi hiệu suất phún xạ vẫn còn chưa cao. Người ta sử dụng magnetron để khắc phục nhược điểm này. Sơ đồ hệ phóng điện cao tần có tụ chặn làm tăng hiệu suất bắn phá ion.  Magnetron Magnetron là hệ thiết bị tạo ra phóng điện trong điện trường có sử dụng nam châm. Ngay từ những năm 70 magnetron đã được thiết kế sử dụng trong các hệ phún xạ cao áp và cao tần để tăng tốc độ phún xạ. Magnetron là sự phóng điện tăng cường nhờ từ trường của các nam châm vĩnh cửu (hoặc nam châm điện) đặt cố định dưới bia/cathode (hình ..). Như đã mô tả ở phần trên, với cấu hình của điện cực trong cả hai phương pháp phún xạ đều có điện trường vuông góc với bề mặt của bia. Nhưng với magnetron chúng ta còn thấy từ trường của các nam châm còn tạo ra các từ trường vuông góc với điện trường (có nghĩa là song song với mặt phẳng của bia). Vì thế, từ trường được tập trung và tăng cường plasma ở vùng gần bia. Magnetron áp dụng vào trong cả hai trường hợp phún xạ đều nâng cao hiệu suất bắn phá ion, và do đó, tốc độ phún xạ được cải thiện rất nhiều. Nói chung, sự phóng điện magnatron với việc kích thích bằng cao áp một chiều hay cao tần có hiệu suất cao hơn hẳn so với trường hợp không dùng bẫy điện tử (nhờ từ trường của các nam châm). Sơ đồ nguyên lý bẫy điện từ bằng từ trường trong hệ phún xạ magnetron  Các cấu hình phún xạ khác: Ngoài ba kiểu phún xạ nêu trên, trong thực tiễn người ta còn chế tạo các thiết bị phún xạ với cấu hình khác (các bộ phận chính vẫn dựa trên cấu hình của hai loại trước). Trong đó có cấu hình sử dụng đến phân thế trên đế để kích thích bắn phá ion và quá trình phủ màng, có loại hỗ trợ bằng ion nhiệt trong đó điện tử thứ cấp được tăng cường từ sợi volfram đốt nóng. Phún xạ chùm ion cũng là một cấu hình tỏ ra hữu hiệu trong công nghệ chế tạo màng mỏng. Trong cấu hình này, nguồn ion được thiết kế tách hẳn ra khỏi cathode, làm việc với điện thế phóng điện thấp hơn. Từ nguồn này chùm ion bắn thẳng vào bia với động năng lớn nhất đạt được tương đương năng lượng trong cao áp một chiều. b) Chế tạo màng mỏng bằng phương pháp phún xạ Phún xạ là phương pháp sử dụng ion trong phóng điện cao áp một chiều hay cao tần để thực hiện việc “đánh bật” các nguyên tử từ vật rắn (bia) ra khỏi bề mặt của nó. Tiếp theo là quá trình lắng đọng các nguyên tử ấy trên bề mặt của vật rắn khác (tức là đế). Do vậy chế tạo vật liệu bằng phương pháp phún xạ là quá trình chuyển các nguyên tử của vật rắn ở dạng khối của bia sang dạng màng mỏng trên đế. Nhìn chung, phún xạ là quá trình công nghệ xảy ra trong trạng thái plasma, thể hiện hết sức phức tạp. Để dễ hiểu chúng ta có thể chia quá trình phún xạ ra thành ba giai đoạn: 1. Gia tốc ion trong lớp vỏ plasma ở vùng cathode 2. Ion bắn phá vào bia, các nguyên tử trong bia chuyển động va chạm nhau 3. Các nguyên tử thoát khỏi bia và lắng đọng lên đế Trên hình..2 và hình 3 mô tả quá trình lắng đọng màng bằng phương pháp phún xạ với 3 giai đoạn chính nêu trên. Hình 2. Quá trình bắn phá bia và lắng đọn vật liệu trên đế Hình 3. Quá trình phún xạ c) Ưu điểm và nhược điểm của phương pháp phún xạ  Ưu điểm: - Tất cả các loại vật liệu đều được phún xạ, nghĩa là từ nguyên tố, hợp kim hay hợp chất. - Bia để phún xạ thường dùng được lâu, bởi vì lớp phún xạ rất mỏng. - Có thể đặt bia theo nhiều hướng, trong nhiều trường hợp có thể dùng bia diện tích lớn, do đó bia là nguồn “bốc bay” rất lớn. - Trong magnetron có thể chế tạo màng mỏng từ bia có cấu hình đa dạng, phụ thuộc vào cách lắp đặt nam châm, bia có thể thiết kế theo hình dạng của bề mặt đế (hình côn hoặc hình cầu). - Quy trình phún xạ ổn định, dễ lặp lại và dễ tự động hóa. - Độ bám dính của màng với đế rất tốt.  Nhược điểm - Phần lớn năng lượng phún xạ tập trung lên bia, làm nóng bia, cho nên phải có bộ làm lạnh bia. - Tốc độ phún xạ nhỏ hơn nhiều so với tốc độ bốc bay chân không. - Hiệu suất về năng lượng thấp, cho nên phún xạ không phải là phương pháp tiết kiệm năng lượng. - Bia thường là rất khó chế tạo và đắt tiền. Hiệu suất sử dụng bia thấp (không sử dụng được hết, nhiều khi do bia giòn, cho nên dễ bị nứt dẫn đến hỏng sau số lần phún xạ chưa nhiều). - Trong nhiều trường hợp, không cần đến nhiệt độ đế, nhưng nó luôn bị đốt nóng. Các tạp chất nhiễm từ thành chuông, trong chuông hay từ anode có thể lẫn vào trong màng. 5. Phương pháp oxi hóa nhiệt Đây là phương pháp được sử dụng chủ yếu trong đề tài để chế tạo màng TiO2từ màng mỏng Ti bốc bay được từ hai phương pháp bốc bay nhiệt và bốc bay chùm tia điện tử. Phương pháp oxi hóa nhiệt là phương pháp tạo ra hợp chất của một chất với oxi trong môi trường không khí giàu oxi dưới tác dụng của nhiệt độ. 6. Chế tạo màng TiO2/CdS và ZnO/CdS bằng phương pháp bốc bay nhiệt Các mẫu ITO/Ti sau khi đã qua quá trình xử lý nhiệt trở thành ITO/TiO2 và thủy tinh quang học kích thước (1,5x2cm) dùng làm đế, được gắn và gá đế của máy bốc bay nhiệt VHD-30. Các màng ITO/TiO2 sẽ không trải qua các quá trình xử lý bề mặt bằng các phương pháp hóa học nhằm tránh các dư chất trên màng TiO2. Phương pháp phóng điện lạnh sẽ được áp dụng để xử lý bề mặt của các màng ITO/TiO2 trong quá trình bóc bay nhiệt. Các điều kiện bốc bay như sau: - Vật liệu nguồn là CdS đơn tinh thể; - Thuyền điện trở là thuyền Volfram; - Áp suất duy trì trong thời gian lắng đọng ~10-2Pa; - Nhiệt độ đế duy trì trong thời gian bốc là 1500C; - Cường độ dòng điện qua thuyền lá ~60A; - Tốc độ bốc bay đế 3nm/phút; - Đo độ dày tại chỗ bằng thiết bị đo độ dày bằng dao động thạch anh; - Diện tích phủ CdS 15mm x 8mm. Độ dày của màng CdS được bốc với các giá trị từ 10nm 300nm. Màng ITO/TiO2/CdS nhận được có màu vằng mịn, bám đế tốt. II. Thực nghiệm chế tạo màng TiO2 1. Chế tạo màng Ti băng phương pháp phún xạ rồi tạo màng TiO2 từ màng Ti (phải viết bằng phương pháp phún xạ) Đế dùng để bốc bay Ti kim loại là ITO kích thước 6cm x 6cm do chúng tôi tự chế tạo có điện trở khoảng 50Ω/vuông, độ truyền qua, độ truyền qua >85% và lá Si kích thước 1cm x 1cm. Nguồn vật liệu là Ti có độ nguyên chất 99,99%. Màng Ti lắng đọng trên đế Si ở đây được sử dụng để dùng trong các phép đo đạc như SEM, XRD…Việc làm sạch các đế ITO trước khi bốc màng Ti là rất quan trọng. Nếu bề mặt của ITO có nhiều tạp chất thì có thể chúng sẽ là các tâm bắt điện tử của màng TiO2 chế tạo được sau này. Từ đó làm giảm hiệu suất của linh kiện. Các bước làm sạch đế được thực hiện như sau: 4. Rung siêu âm đế trong Isopropanol (CH3)2CHOH trong 30 phút 5. Giai đoạn thứ hai là phương pháp phóng điện lạnh (growth dischage) trong chân không thấp bằng thiết bị VHD-30 (Cộng hòa liên bang Đức) dưới áp suất 10-2 torr trong thời gian 15 phút với điện áp khoảng 50V. Lúc này giữa Anode là các đế và Cathode, xảy ra hiện tượng ion hóa trong khí kém hay plasma lạnh. Khi đó các điện tử và ion khí được gia tốc bởi điện trường nên thu được động năng lớn. Các hạt này va chạm vào bề mặt đế làm bật ra những tạp chất không mong muốn còn lại sau khi đã qua giai đoạn xử lý bằng phương pháp hóa học. Sau khi các đế ITO và Si đã được làm sạch, chúng được đặt vào đĩa gá đế, cách nguồn vật liệu Ti khoảng 25cm. Quá trình lắng đọng được tiến hành trong các điều kiện sau: 6. Áp suất duy trì ở ~10-5 Torr 7. Nhiệt độ đế: 1200C 8. Cao áp cấp cho súng điện tử: 7,5 kV 9. Dòng Cathode: 8-10A; 10. Dòng Anode: 90-100mA 11. Tốc độ bay hơi 0,15 nm/s và 1nm/s 12. Độ dày mày được đo bằng thiết bị đo chiều dày dùng dao động thạch anh Kết quả màng Ti sau khi lắng đọng được đo truyền qua gần như bằng không, bề mặt mịn, mầu đen. Tiếp theo chế tạo màng TiO2 bằng phương pháp oxy hóa nhiệt Các màng Ti bốc bay trên đế ITO, Si được đưa vào ủ nhiệt trong không khí. Tốc độ gia nhiệt 50C/phút. Để nguội tự nhiên. 2. Chế tạo màng TiO2 bằng phương pháp phún xạ màng TiO2 rồi oxy hóa nhiệt Đế dùng để bốc bay TiO2 là ITO kích thước 6cm x 6cm do chúng tôi tự chế tạo có điện trở khoảng 50Ω/vuông, độ truyền qua, độ truyền qua >85% . Nguồn vật liệu là TiO2 có độ nguyên chất 99,99%. Màng TiO2 lắng đọng trên đế ITO ở đây được sử dụng để dùng trong các phép đo đạc như SEM, XRD…Việc làm sạch các đế ITO trước khi bốc màng TiO2 là rất quan trọng. Nếu bề mặt của ITO có nhiều tạp chất thì có thể chúng sẽ là các tâm bắt điện tử của màng TiO2 chế tạo được sau này. Từ đó làm giảm hiệu suất của linh kiện. Các bước làm sạch đế được thực hiện như sau: 1. Rung siêu âm đế trong Isopropanol (CH3)2CHOH trong 30 phút 2. Giai đoạn thứ hai là phương pháp phóng điện lạnh (growth dischage) trong chân không thấp bằng thiết bị VHD-30 (Cộng hòa liên bang Đức) dưới áp suất 10-2 torr trong thời gian 15 phút với điện áp khoảng 50V. Lúc này giữa Anode là các đế và Cathode, xảy ra hiện tượng ion hóa trong khí kém hay plasma lạnh. Khi đó các điện tử và ion khí được gia tốc bởi điện trường nên thu được động năng lớn. Các hạt này va chạm vào bề mặt đế làm bật ra những tạp chất không mong muốn còn lại sau khi đã qua giai đoạn xử lý bằng phương pháp hóa học. Sau khi các đế ITO và Si đã được làm sạch, chúng được đặt vào đĩa gá đế, cách nguồn vật liệu Ti khoảng 25cm. Quá trình lắng đọng được tiến hành trong các điều kiện sau: 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Áp suất duy trì ở ~10-5 Torr Nhiệt độ đế: 1200C Cao áp cấp cho súng điện tử: 7,5 kV Dòng Cathode: 8-10A; Dòng Anode: 90-100mA Tốc độ bay hơi 0,15 nm/s và 1nm/s Độ dày mày được đo bằng thiết bị đo chiều dày dùng dao động thạch anh Kết quả màng Ti sau khi lắng đọng được đo truyền qua gần như bằng không, bề mặt mịn, mầu đen. Tiếp theo chế tạo màng TiO2 bằng phương pháp oxy hóa nhiệt Các màng TiO2 bốc bay trên đế ITO được đưa vào ủ nhiệt trong không khí. Tốc độ gia nhiệt 50C/phút. Để nguội tự nhiên. III. Kết quả thực nghiệm Trong phần này, chúng tôi trình bày các kết quả nghiên cứu cấu trúc, hình thái học, tính chất quang, tính chất điện và tính chất quang điện hóa của các màng TiO2 chế tạo bằng phương pháp bốc bay chùm tia điện tử và bốc bay nhiệt kết hợp với xử lý nhiệt. 1. Đặc điểm cấu trúc và hình thái học của màng TiO2 a) Đặc điểm cấu trúc của màng TiO2 Tấm ITO được dùng làm đế để lắng đọng màng Ti bằng phương pháp phún xạ, tiếp theo là quá trình xử lý nhiệt ở nhiệt 4500C trong 2 tiếng (thổi khí Oxi)…. Màng TiO2 được chế tạo bằng phương pháp phún xạ lắng đọng màng Ti trên đế ITO. Tiếp theo là quá trình xử lý nhiệt ở nhiệt độ 4500C trong 2 giờ ngoài không khí như đã mô tả ở phần trên. Các kết quả nghiên cứu cấu trúc bằng giản đồ nhiễu xạ tia X được chỉ ra ở hình Từ giản đồ nhiễu xạ tia X hình chúng tôi thấy rằng màng Ti sau quá trình ủ nhiệt có các đỉnh nhiễu xạ tại góc 2 theta: 25,210; 37,800 ; 48,040; 53,800; 62,610 lần lượt ứng với họ các mặt phẳng (101); (004); (200); (105); (211); (204) đối chiếu với thẻ chuẩn 211272 thì đây chính là TiO2 pha anatase. Các đỉnh còn lại thể hiện đế ITO. Hầu hết các đỉnh nhiễu xạ có cường độ thấp nhưng có độ bán rộng khá lớn. Điều này chứng tỏ màng TiO2 được hình thành dưới dạng nano tinh thể. Kích thước hạt nano tinh thể vào khoảng 23nm. Như vậy bằng phương pháp phún xạ kết hợp với quá trình xử lý nhiệt , chúng tôi đã chế tạo được màng TiO2 đơn pha anatase cấu trúc nano. Hình là ảnh SEM bề mặt của mẫu màng TiO2 sau khi đã xử lý nhiệt màng Ti lắng đọng ở tốc độ 5nm/s. Nhiệt độ ủ ở đây là 4500C từ hình ta có thể thấy rằng mẫu có kích thước hạt vào khoảng 25nm Hình là ảnh SEM mặt cắt ngang của mẫu TiO2 nhận được sau khi xử lý nhiệt mẫu Ti lắng đọng ở tốc độ 5nm ở nhiệt độ 4500C, từ hình trên chúng tôi nhận thấy màng TiO2 có độ dày hơn 200nm và có độ xốp cao
- Xem thêm -